极紫外

摘要： 分别以AZ50XT和聚乙烯醇为脱膜剂,在本底真空度为5.0×10^(-4) Pa的磁控溅射镀膜机中沉积Al膜,制备出厚度为80 nm的自支撑Al滤光片,并对滤光片进行表面缺陷分析。通过扫描电镜和CMOS相机观察得到,制备的Al滤光片表面均匀性较好,有少量针孔。对滤光片的光学性能进行了表征。用紫外可见分光光度计测得滤光片在可见光及红外光波段的透过率低于0.02%,基本满足使用要求。用软X射线透过率测试系统测得滤光片在1.6~10 keV能段的透过率高于90%,透过率曲线与理论结果基本一致,满足应用要求。用同步辐射装置测得两种滤光片在50~250 eV能段的最高透过率分别为53%和35%,受Al膜表面氧化和脱膜剂残留的影响,实际测得的透过率比理论计算值偏低。

摘要： 极紫外正入射光学系统广泛应用于生物结构显微成像、等离子体诊断、太阳物理观测和极紫外光刻等领域中,对其开展深入研究具有重要意义。本文对同济大学精密光学工程研究所在极紫外正入射光学系统方面的最新进展进行介绍,列举了应用于超热电子诊断、微纳成像、极紫外辐照损伤及Z箍缩等离子体诊断等不同场景中的多套正入射光学系统。这些系统分别在相应的应用中实现了优异的性能表现:毫米级视场内微米级的空间分辨;几十微米级视场内亚微米的超高空间分辨;大数值孔径下的超高能量密度极紫外辐照及多能点多通道的时空间诊断。研究所在极紫外正入射光学系统研究中取得的进展为我国等离子体诊断设备的自主可控及高端制造装备的技术储备提供了有力支持。

摘要： 随着超短超强自由电子激光等光源的应用,极紫外、X射线波段薄膜反射镜的抗辐照性能备受关注。本文介绍了IPOE实验室搭建的纳秒极紫外辐照损伤装置,并对极紫外-X射线自由电子激光常用的B_(4)C薄膜反射镜、Au和Ru金属单层膜反射镜、B_(4)C/Ru双层膜反射镜以及极紫外光刻用Mo/Si多层膜反射镜开展了辐照损伤测试,获得了不同材料和结构的薄膜反射镜抗损伤性能,结合理论模拟揭示了热熔融、热应力和膜层间扩散反应等损伤机制的作用。

摘要： 极紫外、X射线为微观物质认识、宏观空间探测提供了高精度的观测手段,但这类观测的实现需要大量高精度光学反射元件的支撑。由于极紫外、X射线在光学表面更易发生散射,其光学反射镜基底的精度需求和制作技术也明显区别于长波元件。近年来,同济大学精密光学工程技术研究所建立了极紫外、X射线反射元件基底的超精密加工与检测平台,研发了超光滑非球面的离子束修形技术,提出了基于泽尼克多项式的随机离轴旋转绝对检测方法,形成了极紫外、X射线光学用反射镜基底的高精度全流程研制技术,并将该技术成功地应用于国内和国际短波光学大科学装置中。本文综述了本课题组在极紫外、X射线用反射镜制作领域中的研究进展。

摘要： 为了确保基于Schwarzschild结构的极紫外光刻掩模缺陷检测系统的成像质量,本文应用等效工作面法对其进行了优化设计。将传统光学设计方法得到的Schwarzschild放大系统的优化设计反射面视为由多层膜和裸镜面形共同构成,应用多层膜的等效工作面法反演出最佳裸镜面形。设计结果表明,考虑多层膜的Schwarzschild非球面系统全视场调制传递函数达到衍射极限水平,系统两裸镜的最大面形梯度分别为5.9 μm和10.2 μm,适合检测和加工。本文为添加多层膜的光学成像系统能够达到衍射极限水平提供了一种具有较强实用性的设计方法,避免了多层膜严重降低系统成像质量的问题。

摘要： 2020年10月14日,半导体巨头、全球光刻机领头企业阿斯麦(ASML)首席财务官罗杰·达森对向中国出口光刻机的问题作出了表态。他表示,阿斯麦可以从荷兰向中国出口DUV(深紫外)光刻机,无需美国许可。但讲话并未提到更先进的EUV(极紫外)光刻机。芯片竞赛的火热,带着背后低调的光刻机也频频出圏。小小的芯片,不过拇指盖大小,却能在几十平方毫米的空间里,运行几十亿个晶体管。其中之精妙,令人惊叹。

摘要： 极紫外光刻技术作为下一代光刻技术,被行业赋予了拯救摩尔定律的使命.极紫外光刻胶是极紫外光刻技术的核心子技术之一,其分辨率、粗糙度、灵敏度以及放气情况等指标的检测是开展极紫外光刻胶研发的必要条件和实现极紫外光刻胶配方优化的重要环节.基于同步辐射的极紫外干涉光刻技术是目前最适合开展的一种用于极紫外光刻胶性能检测的方法.上海光源根据相关的研发需求,已建立了一个基于该方法的极紫外光刻胶检测平台.通过不断改善装置的稳定性,发展自主的分束光栅掩膜制作技术,以及不断摸索和优化相应的干涉曝光工艺,目前检测平台的曝光分辨率测试水平已能达到20 nm以下,基本满足极紫外光刻7 nm工艺节点的相应要求.

摘要： 利用压强升高法建立了极紫外(Extreme ultraviolet,EUV)光刻胶产气检测系统,对以分子玻璃(Molecular glass)螺芴(9,9'-Spirobifluorene,SP)为主体材料的光刻胶薄膜体系Film A、B、C和D进行产气的定性和定量分析,其中,Film A的主体材料外围取代基团为叔丁氧羰基(t-Butylcarbonyl,Boc),Film B和C是在Film A光刻胶薄膜顶层覆盖不同厚度的保护层,Film D的主体材料外围取代基团为醋酸金刚烷酯(Adamantyl acetate,Ad).采用四极杆质谱检测光刻胶薄膜在EUV曝光条件的产气组分,结果表明,Film A产气的主要来源为光照产生的酸催化光刻胶主体材料脱Boc取代基反应释放的异丁烯(C4 H8)和CO2气体,以及少量由于产酸剂(Photo-acid generator,PAG)分解释放的苯类挥发性组分.覆盖保护层的Film B、C产气成分与Film A类似,但各离子峰的丰度明显降低.Film D的质谱图上显示气体释放成分为CO2和极微量的金刚烷类取代基的碎片峰.通过高精度真空规定量分析不同薄膜的产气量,原位实时检测结果表明,光刻胶薄膜产气速率在曝光初始阶段最快,而后逐渐变缓或趋于稳定,表明光刻胶薄膜表面的分子在EUV光照更容易释放气体.对比Film A和Film B、C体系发现,顶层覆盖可以显著降低光刻胶的产气速率和产气量,增加顶层覆盖厚度,抑制产气效果更明显,在Film A顶层覆盖厚度30 nm的保护层,10 mJ/cm2曝光剂量下,产气量从1.19×1015 molecule/cm2降低到2.35×1014 molecule/cm2,降低了约5倍,证明顶层覆盖是降低光刻胶薄膜产气的有效方法.不同取代基团的主体材料形成的光刻胶薄膜Film D和Film A在EUV曝光中的产气差别明显,Film D的产气速率和产气量比Film A降低了10倍以上,表明光刻胶主体材料的外围取代基团对光刻胶薄膜的产气量具有显著影响,更大分子量和更高脱保护反应活化能的取代基团有助于降低光刻胶薄膜的产气量.

摘要： 飞秒光学频率梳对光学频率精密测量和超快科学的发展起到了至关重要的作用,而将其拓展至极紫外波段,即可作为阿秒脉冲、紫外非线性光学、电子跃迁光谱探测以及量子电动力学等研究的有力工具.极紫外飞秒光学频率梳需要通过高重复频率、高峰值功率的飞秒激光驱动高次谐波间接产生.本文从极紫外飞秒光学频率梳的产生原理出发,首先对其驱动源参数要求以及获取方式进行了介绍,分别对比了啁啾脉冲放大技术、光参量啁啾脉冲放大技术、光纤放大技术和飞秒共振增强放大技术用于驱动极紫外飞秒光学频率梳产生的优缺点及适用性.其次,针对共线和非共线产生高次谐波的两种方式,详细阐述了国际上常用的几种极紫外飞秒光学频率梳的耦合输出方法.最后,从基于飞秒共振增强腔、光参量啁啾脉冲放大器和由振荡器直接产生的极紫外飞秒光学频率梳三个角度出发,对其研究进展进行了综述,并对目前尚待优化的问题进行了总结.

摘要： 10月14日,半导体巨头、全球光刻机领头企业阿斯麦(ASML)首席财务官罗杰·达森对向中国出口光刻机的问题作出了表态。他表示,阿斯麦可以从荷兰向中国出口DUV(深紫外)光刻机,无需美国许可。但讲话并未提到更先进的EUV(极紫外)光刻机。

摘要： 研究了极紫外宽带多层膜偏振光学元件,包括反射式检偏器与透射式相移片.基于Mo/Si非周期多层膜结构,采用解析与数值优化相结合的方法进行了多层膜的设计;采用磁控溅射技术制备了多层膜.利用X射线衍射仪对非周期多层膜的结构进行了表征,利用德国BESSY-Ⅱ同步辐射实验室的偏振测量仪对多层膜的偏振特性进行了测试.测量结果表明,在13～19 nm波段,s偏振分量的反射率高于15％;在15～17 nm波段,获得了37％的反射率.宽带多层膜同样可作为宽角偏振光学元件,在13.8～15.5 nm波段,宽带透射相移片的平均相移为41.7°.采用所研制的宽带多层膜相移片与检偏器,建立了宽带偏振分析系统,并对BESSY-Ⅱ的UE56/1 PGM1光束线的偏振特性进行了系统研究.这种宽带多层膜偏振光学元件可以极大地简化极紫外偏振测量。

摘要： 综述了我所软X射线-极紫外波段关键技术的研究进展.描述了软X射线-极紫外波段光源技术,研制了工作波段为6～22 nm的微流靶激光等离子体光源;介绍了光子计数成像探测器技术,研制出了有效直径为25 mm,等效像元分辨率为0.3 mm的极紫外波段探测器;开展了超光滑表面加工、检测技术的研究,研制了超光滑表面抛光机,加工出高面形精度的超光滑表面,面形精度为6 nm(RMS值),表面粗糙度达0.6 nm(RMS值);进行了软X射线-极紫外波段多层膜技术的研究,研制出13 nm处反射率为60％的多层膜反射镜,150 mm 口径反射镜的反射率均匀性优于±2.5％;最后,讨论了软X射线-极紫外波段测量技术研究,研制出该波段反射率计,其测量范围为5～50 nm,光谱分辨率好于0.2 nm,测量重复性好于士1％.在上述关键技术研究基础上,研制出了极紫外波段成像仪和空间极紫外波段太阳望远镜,这些仪器在我国空间科学研究项目中发挥了作用。

摘要： 本文首先介绍了极紫外与软X射线多层膜光学技术的研究意义和主要进展。然后，给出作者在软X射线多层膜分束镜和X射线超反射镜方面的研究，给出相应的实验结果。

摘要： 首先介绍了极紫外与软x射线多层膜光学技术的研究意义和主要进展.然后,介绍了作者在软X射线多层膜分束镜和X射线超反射镜方面所做的研究,及相应的实验结果。

摘要： 对所研制的EUV相机微通道板(MCP)位置灵敏阳极光子计数成像探测器的暗噪声进行了分析及测量,该探测器主要由工作在脉冲计数模式下球面MCP堆、楔条形阳极及相关的模拟和数据处理电路组成.首先,分析了探测器暗噪声的主要来源及其对图像信噪比的影响,为了获得较小的暗计数率,对MCP堆进行了预处理,包括380°C条件下真空高温烘烤18h,以及电子清刷100μAh,并测量了预处理前后暗计数率及脉冲高度分布;其次,分析了在探测器研制过程中影响暗噪声的外在因素,包括MCP通道损伤、高温工作环境、存储不当导致的MCP通道污染、分压电阻与MCP电极之间引线过长引起的电磁干扰等外在因素对暗噪声的影响;最后,在消除了影响暗噪声的主要外在因素后获得了满足EUV相机要求的暗计数率.

摘要： 全面介绍了国际上著名的极紫外和x射线实验室定标测试试验装置的基本特点和技术指标，并简要介绍了国内正在建造的满足太阳X-EUV成像望远镜开发需要的短波标定测试装置的基本情况。

摘要： 介绍长春光机所八、九十年代在短波光学方面的某些研究工作.

摘要： 本发明提出了一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及制备方法。所述外延结构包括自下而上依次设置的衬底、PVD AlN层、第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、n型AlGaN接触层、多量子阱有源层、p型AlGaN阻挡层和p型GaN层，所述第二AlN层和所述第三AlN层的接触面之间形成有微孔结构。本发明所提出的紫外发光二极管外延结构，通过在第二AlN层上生长第三AlN层，形成三维到二维生长模式的转换，模式转换过程中自然形成微孔结构。通过生长模式的转换和微孔结构，可以大幅改善材料的晶体质量和有效释放外延层的张应力，从而制备出高质量的无裂纹AlN层。

摘要： 本发明实施例提供一种紫外发光二极管外延结构、紫外发光二极管及电子设备。该外延结构包括自下至上依次生长的衬底、第一AlN层、多周期复合式调控层、n型AlxGa1‑xN接触层、多量子阱发光层、p型AlyGa1‑yN阻挡层和p型GaN层，所述多周期复合式调控层包括多个自下至上依次生长的周期结构，每个所述周期结构均包括自下至上依次生长的第二AlN层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层，其中，所述n型AlxGa1‑xN接触层、AlmGa1‑mN层、AlnGa1‑nN层和AlkGa1‑kN层中的Al组分不同。本发明通过在第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间生长多周期复合式调控层，减少第一AlN层和n型AlxGa1‑xN接触层之间的晶格失配，调控紫外发光二极管外延片的翘曲，过滤第一AlN层向上延伸的位错，减小n型AlxGa1‑xN接触层的压应力，改善晶体质量，提升器件的发光效率。

摘要： 本公开属于半导体技术领域，具体而言涉及一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法。所述倒装深紫外二极管，包括二极管外延面以及设置在所述二极管外延面上的N电极和P电极，所述N电极，包括由铜铝合金形成的金属膜和设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属形成的单质膜；所述P电极包括NiO膜和位于所述NiO膜上的透明电极，所述透明电极包括位于底层的ITO膜，以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜；所述N电极和所述P电极上设置有加厚电极，所述加厚电极包括由Al、Ag和Rh中的一种形成的高反射金属膜。以实现减低漏电风险，防止光衰，减小二极管使用功耗并且提高二极管亮度的效果。

摘要： 一种用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备。用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。

摘要： 一种清洗极紫外(EUV)辐射源设备的方法，其中EUV辐射源设备包括用于在腔室内生成金属靶液滴的靶液滴产生器，以及干冰喷射组件。干冰喷射组件具有设置在腔室内部的喷射喷嘴及干冰支承构件。清洗方法包括以下步骤：形成包括来自干冰喷射组件的干冰支承构件的干冰颗粒及加压气流的加压干冰颗粒，接着，将加压干冰颗粒经由喷射喷嘴朝向靶液滴产生器的喷嘴处的残余材料喷出。从靶液滴产生器去除残余材料，以及收集残余材料及来自加压干冰颗粒的升华气态二氧化碳。

摘要： 本揭露的一实施例提供一种极紫外线反射结构。极紫外线反射结构包括一基板以及多对硅层体与钼层体。多对硅层体与钼层体设置于该基板之上，其中该硅层体包括多个孔洞。

摘要： 一种用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备。用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。

摘要： 本申请公开了一种激光等离子体极紫外光源系统及其生成极紫外光的方法，系统包括：液滴发生器用于生成扁平状的目标液滴；激光源用于生成激光脉冲，以使激光脉冲冲击所述目标液滴生成等离子体；采集器用于收集等离子体辐射出的EUV光线，并将收集的EUV光线聚焦定向到扫描器中。通过液滴发生器直接产生扁平状的目标液滴，从而仅使用一种激光脉冲撞击目标液滴即可生成等离子体，由于减少了激光脉冲撞击液滴的次数，因此可以减少污染物的产生，进而降低了采集器受污染的严重程度，延长了采集器的使用寿命。另外，由于激光源只需要生成一种激光脉冲，无需生成两种激光脉冲，因此本申请还可以简化激光源的结构，以及减少激光源的光束对准程序。

摘要： 本发明涉及极紫外光产生的方法以及激光等离子体极紫外光源的装置，极紫外光产生的方法包括步骤：液滴驱动处理、信号检测处理以及位置处理。将激光脉冲信号转化为驱动信号，扰动液体，产生液滴，检测所述液滴的极紫外辐射强度，通过计算获取所述激光脉冲的位置及所述液滴的位置信息，调节所述激光脉冲的位置，使所述激光脉冲聚焦于所述液滴上，产生极紫外光。采用本发明所述的极紫外光产生的方法以及激光等离子体极紫外光源的装置，可以不需要增加同步控制装置，在高频下实现激光脉冲与液滴的精确同步，而且通过调节激光脉冲的位置，实现精确打靶，极大提高了等离子体极紫外光源的转换效率，其次所述方法和装置都简便易操作。

摘要： 提供了一种极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法，极紫外光罩包括基板、位于基板上的反射多层堆叠及位于反射多层堆叠上的覆盖层。在反射多层堆叠上形成覆盖层之前，对反射多层堆叠进行处理。通过离子辅助离子束沉积或离子辅助溅射制程形成覆盖层。