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高输出功率

高输出功率的相关文献在1981年到2022年内共计298篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、公路运输、电工技术 等领域,其中期刊论文228篇、会议论文1篇、专利文献527440篇;相关期刊116种,包括军民两用技术与产品、中国电子商情·通信市场、新材料产业等; 相关会议1种,包括第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议等;高输出功率的相关文献由255位作者贡献,包括傅海鹏、马建国、刘忠植等。

高输出功率—发文量

期刊论文>

论文:228 占比:0.04%

会议论文>

论文:1 占比:0.00%

专利文献>

论文:527440 占比:99.96%

总计:527669篇

高输出功率—发文趋势图

高输出功率

-研究学者

  • 傅海鹏
  • 马建国
  • 刘忠植
  • 李龙雨
  • 杨晓婵(摘译)
  • 柳周铉
  • 金钟宣
  • 丁建隆
  • 刁利军
  • 刘志刚
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

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    • 韩玉朝; 孔令甲; 李德才
    • 摘要: 本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频,将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后,加工制作了实物模型进行测试,整体组件的饱和输出功率优于25mW,带内杂散抑制度优于40dBc,并且在脉冲周期20μs,占空比10%的条件下可正常工作,达到了预期设计目标,满足工程化应用的需求。
    • 摘要: 近日,罗姆半导体召开媒体发布会,推出LiDAR用75W高输出功率激光二极管"RLD90QZW3",并对媒体分享了其中期经营计划。据罗姆半导体北京技术中心工程师吴波先生介绍称,新产品非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR的工业设备领域的AGV和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
    • 李世元
    • 摘要: 由于集成电路工艺截止频率Ft的限制,直接通过振荡器获取的太赫兹信号源具有输出功率低、带宽较窄等问题.针对该问题,提出一种可实现高性能太赫兹源的宽带倍频链路设计.对比了传统push-push技术与改进的跨导增强push-push技术,并提出将跨导增强push-push技术运用到倍频器中,提高了倍频链路的倍频增益;在链路级间采用具有幅度与相位纠正功能的新型有源巴伦结构,进一步提高了倍频器的倍频增益与谐波抑制性能.仿真结果表明,倍频链路可实现带宽为210~256 GHz,饱和输出功率为-0.5 dBm,峰值倍频增益为-0.55 dB的太赫兹信号源,链路的总直流功耗仅为30.6 mW.
    • 汪柏康; 徐雷钧; 白雪
    • 摘要: 在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出.提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方法输出二次谐波300 GHz信号,增加了振荡器的输出功率并突破了MOS管截止频率,并通过增加栅极互连电感增加输出功率.其次,太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式,通过调节MOS管衬底电压改变MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐,避免太赫兹频段引入低Q值电容,进一步增加了输出功率.提出的太赫兹振荡器采用台积电40 nm CMOS工艺,基波工作频率为154.5 GHz,输出二次谐波为309.0 GHz,输出功率可达-3.0 dBm,相位噪声为-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为28.6 mW,频率调谐范围为303.5~315.4 GHz.
    • 汪柏康; 徐雷钧; 白雪
    • 摘要: 在太赫兹频段,无源器件电容电感的品质因数低、电路的寄生参数以及MOS管的截止频率影响使太赫兹振荡器电路难以实现高功率输出。提出一种300 GHz可调谐振荡器,首先,采用改进的交叉耦合双推(Push-Push)振荡器结构,通过输出功率叠加的方法输出二次谐波300 GHz信号,增加了振荡器的输出功率并突破了MOS管截止频率,并通过增加栅极互连电感增加输出功率。其次,太赫兹振荡器摒弃传统片上可变电容调谐的方式,通过调节MOS管衬底电压改变MOS管的栅极寄生电容实现频率调谐,避免太赫兹频段引入低Q值电容,进一步增加了输出功率。提出的太赫兹振荡器采用台积电40 nm CMOS工艺,基波工作频率为154.5 GHz,输出二次谐波为309.0 GHz,输出功率可达-3.0 dBm,相位噪声为-79.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为28.6 mW,频率调谐范围为303.5~315.4 GHz。
    • 王溪; 姚鸿飞; 苏永波; 丁武昌; 阿瑟夫; 丁芃; 童志航; 金智
    • 摘要: A fundamental W-band voltage-controlled oscillator ( VCO) featuring high output power and wide tuning range has been successfully designed. The VCO was fabricated utilizing 0. 8 μm InP DHBT technology. The DHBT exhibits peak fTof 170 GHz and fmaxof 250 GHz. The VCO core implemented a balanced Colpitts-type topology modified for high-frequency application. An additional buffer amplifier stage was connected with the core to further boost output power as well as eliminate the load pulling effect. The DHBT base-collector P-N junction at reverse bias was chosen as a varactor diode to realize a wide frequency tuning. The measured results demonstrate that the oscillation frequency of the proposed VCO can be tuned between 81 ~ 97. 3 GHz, which is a relative tuning bandwidth of 18. 3 %. Over this frequency range the oscillator has a maximum output power of 10. 2 dBm, and the power variation is less than 3. 5 dB. A phase noise of-88 dBc/Hz@ 1 MHz is obtained at the highest tuning frequency.%成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺, 晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑, 在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应, 并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明, 压控振荡器的频率调谐范围为81~97. 3 GHz, 相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm, 输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.
    • 周雅; 焦晓波
    • 摘要: To reduce the power consumption related to the RF system and to increase the output power,a cascade CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)is proposed.The VCO core consists of a cascade structure to increase the supply voltage of the VCO.To mitigate the reliability problem associated with gate-source and gate-drain breakdowns,the gate nodes of common-source transistors are connected to the source nodes of common-gate transistors.To verify the functionality of the proposed VCO,a 2.4 GHz CMOS VCO using the 90 nm RF CMOS process is designed.It is known from the measured results that the proposed VCO can achieve a high output power,a low phase noise,and a flat-changed oscillation frequency under 2 V supply voltage.%为了降低与射频系统级相关的功耗,以及增加输出功率,提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO.所提出的VCO核心包含有共源共栅结构,以增加VCO的供电电压.为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题,将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连.为了验证所提出VCO的有效性,采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4 GHz的CMOS VCO芯片,由测试结果可得,该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率.
    • 摘要: 就在法拉利推出SP1和SP2两款概念车后不久,又推出了SP3概念车。不过,SP3概念车完全是款全球独一份的客户定制版车型。这款全新概念车采用了法拉利F12 TDF的底盘与车身结构进行打造,动力系统也是F12那台6.3L排量V2发动机,最高输出功率经过重新调校后达到了780cv,且能够在2.9s内完成0-100km/h加速。
    • 摘要: 路虎总是喜欢在各种车型系列上用一下自己的那台5.0L排量V8发动机,甚至只要有一丝可能性都不会被他们放过,而就在前不久,星脉也被5.0了。本次坐落到星脉体内的是那台完整版的正统5.0L排量V8,采用机械增压,最高输出功率达到了550PS。
    • 王博威; 王科平; 周明珠; 王涛
    • 摘要: 介绍了一种具有高输出功率的功率放大器,设计利用的是两路伪差分电路结构,每一条支路都由两级电路构成,第一级电路为驱动级电路,第二级电路为功率级电路.电路的匹配网络由传输线和电容构成,以保证信号能够高效率地传输.用威尔金森功分器将两支路结合在一起,通过调试功率分配器使整体电路到达最优化.功率放大器属于AB类放大器,采用0.13um SiGeBiCMOS工艺,在中心频率30GHz时得到整体电路后仿真结果:输出1dB压缩点OP1dB =22.91dBm,功率增益Gp=25.52dB.
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