半导体物理

摘要： 近年来,互联网信息技术的不断发展为社会各行各业带来了新的发展机遇,同时也为电子信息技术提供了巨大的发展空间。因此,我们需及时了解物理电子信息技术的发展现状,并探究在互联网背景下物理电子信息技术的发展前景和创新路径,进而为高校物理电子信息技术的教学改革提供借鉴和思考。

摘要： 为了使学生更好地掌握半导体物理的基本内容,针对半导体物理教学中的问题,结合我校实际情况,本文分别对教学内容、教学方法、实验教学和考核方式四方面进行教学改革探究。以提升了学生学习的兴趣并培养学生工程实践能力。

摘要： 为充分发挥课堂教学主渠道育人作用,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课“半导体物理”结合课程内容,在专业知识点授课过程中融入思政元素。通过对业界老一辈科学家的介绍、专业知识点的隐喻作用分析等方式,寻找课程思政与专业知识的“撞击点”,引导学生树立正确的“三观”。

摘要： 近年来,随着“第三代”半导体等行业技术的成熟,我国光电产业迎来了重大发展机遇,国内光电人才的缺口主要集中在具有丰富行业经验的工程人员以及具有创新能力的高端研究人员。本科教育是高等教育的基础,对于高端人才的培养至关重要。半导体物理作为光电工程技术的基础性研究学科,对光电工程学院的学生学习至关重要。但现有教学模式缺乏个性化,无法激发学生的自主学习激情,缺乏探索创新的意识。本项目通过构建以科研项目为导向,基于兴趣驱动的培养模式,树立学生的创新思维及创新能力,培养学生的实践能力,激发其从事科学研究的积极性与热情。

摘要： 在迅速发展的经济浪潮中,人才是决定经济发展的推动力量。而人才的培养在于高校。本文以半导体物理课程为例,探究如何在教学工作中贯穿“理实交融、协同创新”的理念,切实提升高校学生在未来工作中的核心竞争力。以关系国家和区域重大需求为导向,打破理论和实践的界限,凝练研究方向,结合学科研究特色,提出可持续发展的课程改革方式。有机结合教学科研以及应用,对于国家科技进步和经济发展有着重要的作用。

摘要： 半导体物理作为专业基础课,具有理论性强、公式推导烦琐、数学要求高且与实际应用联系困难等特点。针对半导体物理教学实践中普遍存在的问题和矛盾,课题组在理论教学与实践教学相结合、科研实验室对本科生开放等方面做了深入的改革和创新。文章指出高校一方面要采用多种即时通信手段和平台软件拓展课程教学时间和空间,以破解半导体物理总学时数不足的矛盾;另一方面应有效利用科研平台优势设计半导体物理相关实验,同时将科研项目与半导体物理知识相关联,分析实验中半导体物理现象和本质,实现半导体物理理论与应用实践、教与学有机结合和统一,以促进半导体物理理论教学、实践教学及实践应用水平的提升。

摘要： 半导体物理学是一门涉及领域广泛的重要基础学科,基于它的学科特点和对教学内容、教学模式的思考,本文从知识结构和内容、教学方法等重要环节提出改革探索。引入实时前沿科技报道以及相关文献查阅和重要数据库简介,结合笔者教学和科研背景,把半导体在能源、环境上的光催化应用引入到课堂教学,有效加强了理论与科研实践的结合,激发和培养了学生的学习兴趣、科研思维和创新能力,为高校学科建设与改革提供一种新的思路。

摘要： "半导体物理与器件"作为微电子技术专业的基础课程,具有知识点多、授课时间短等特点.在教学过程中精简内容,强调对基本概念、基本思想和基本理论方法的理解与掌握,引入Materials Studio和Silvaco TCAD模拟计算软件,引导学生探索不同半导体材料的性质和不同器件结构的性能,并用实验测量相关器件的电学特性,理论、模拟仿真和实验相结合,培养学生的学习兴趣、创新能力和探索精神,提高学生的科研能力与素质.

摘要： 新材料的探索以及相关凝聚态物理的研究,是催生技术革命和产业化飞跃发展的重要催化剂。半导体物理和硅材料的研究导致了上一次工业革命,促进了计算机产业和信息产业的飞速发展,对人类的科技进步产生了无法估量的重大影响。如今,新型的二维碳基材料——石墨烯,同样在国际上催生了一股研究二维电子材料的热潮。

摘要： 近年来,随着人工智能、大数据、物联网,以及5G通信技术的逐步普及与商业化,全球半导体产业迎来又一轮快速发展的机遇期.随着半导体行业的迅速发展,对相关人才的培养提出了更高的要求.在重庆大学教改项目的支持下,拟对"半导体物理"课程进行一系列教学改革.此次改革侧重于培养学生的动手能力及创新思维,通过产业、教学、研究相结合的方式,追踪行业发展前沿,采用探讨式教学法,有效地提高了学生的积极性和教学质量.

摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.

摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.

摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.

摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.

摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据几率在系统初始阶段的瞬时性振荡,而从源流向漏的电流单调地衰减到一个稳定值.点间耦合把AB环分成两个相互耦合的子环,这将破坏通常以2π为周期的AB振荡,产生一种新的复杂的振荡,其周期随着通过两个子环的磁通比的变化而变化.

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 辅助存储器电路(12)由串联连接有多个触发器的移位寄存器、以及反转各D触发器的输出(Q0)～(Qn)而输出的多个反转电路构成。主存储器电路(13)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWa)，以及与开关(SWa)串联连接且通过写入电压(1)驱动的EPROM构成。可变电阻电压(19)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWb)，以及与开关(SWb)串联连接的电阻(Ra)构成。如此，能够使写入电压(1)和写入电压(2)的端子通用化。并且，能够提供一种使写入EOROM时的电压为恒定而能够进行电修整的低成本的半导体集成电路及半导体物理量传感装置。

摘要： 辅助存储器电路(12)由串联连接有多个触发器的移位寄存器、以及反转各D触发器的输出(Q0)～(Qn)而输出的多个反转电路构成。主存储器电路(13)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWa)，以及与开关(SWa)串联连接且通过写入电压(1)驱动的EPROM构成。可变电阻电压(19)由通过来自于辅助存储器电路(12)的信号制动的开关(SWb)，以及与开关(SWb)串联连接的电阻(Ra)构成。如此，能够使写入电压(1)和写入电压(2)的端子通用化。并且，能够提供一种使写入EOROM时的电压为恒定而能够进行电修整的低成本的半导体集成电路及半导体物理量传感装置。