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SiH2CL2-NH3-N2体系LPCVD Si3N4薄膜因素分析

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以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅(Si3N4)薄膜的硅源和氨源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中反应生成Si3N4薄膜.考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对Si3N4薄膜淀积速率的影响.结果表明:Si3N4薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大,随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量之比的增大单调减小.随着反应温度的升高,淀积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低.在适当的工艺条件下,制备的Si3N4薄膜均匀、平整.较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。

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来源
《第五届全国精密工程学术研讨会》|2005年|34-37|共4页
会议地点深圳
作者
谭刚; 吴嘉丽;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
二氯甲硅烷; 氨气; LPCVD; 氮化硅薄膜; 淀积速率; 化学气相淀积;

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