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首页> 外文会议>18th International Symposium on VLSI Design and Test >TID effects on retention of 0.13 #x03BC;m SONOS memory cell: A device simulation approach
【24h】

TID effects on retention of 0.13 #x03BC;m SONOS memory cell: A device simulation approach

机译：TID对0.13μmSONOS存储单元保持力的影响：一种设备仿真方法

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Flash memory cells used in space applications are under continuous impact of Total Ionizing Dose (TID) effects. It causes charge trapping in the oxide and in the oxide/substrate interface. In this work, we investigate the TID radiation response of 0.13μm SONOS flash memory cell with different charge states upto 1 Mrad(Si). It is found that threshold voltage of programmed and virgin states of memory decreases with irradiation due to accumulation of holes. For erased state, accumulation of induced holes and loss of holes in nitride layer tends to cancel each other, causing no significant change. Further, we also proposed a device simulation approach to test data retention at room and high temperature as a function of TID irradiations received. We observed that retention is not much dependent on irradiation dose. TID exposure degrades the device retention and this effect enhances with increase in temperature due to thermally activated electron detrapping. All the analyses are accomplished using physical simulation models of charge trapping in Sentaurus TCAD suite, comparing results with established qualitative models.
机译：太空应用中使用的闪存单元受到总电离剂量（TID）效果的持续影响。它导致电荷在氧化物中以及在氧化物/基底界面中捕获。在这项工作中，我们研究了具有高达1 Mrad（Si）的不同电荷状态的0.13μmSONOS闪存单元的TID辐射响应。发现由于空穴的积累，存储器的编程状态和原始状态的阈值电压随着照射而降低。对于擦除状态，在氮化物层中感应空穴的累积和空穴的损失趋于彼此抵消，没有引起显着变化。此外，我们还提出了一种设备模拟方法来测试在室温和高温下数据的保留程度，作为接收到的TID辐射的函数。我们观察到保留率与辐射剂量的关系不大。 TID暴露会降低器件的保留能力，并且由于热激活电子的去俘获，随着温度的升高，这种影响会增强。所有分析都是使用Sentaurus TCAD套件中的电荷陷阱物理仿真模型完成的，将结果与已建立的定性模型进行了比较。

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