Institute of physics, Chinese Academy of Sciences 8, South 3rd Street, Zhongguancun Beijing 100080, P. O. Box 603, China;
机译:离散量子能级对具有超小量子点的硅单电子晶体管中电子输运的影响
机译:原子力显微镜局部氧化制备的单个自组装量子点单电子晶体管的截面透射电镜分析
机译:双量子点单电子晶体管的两位单电子逻辑电路的设计与仿真
机译:GaAs量子线晶体管和使用肖特基包装栅极的单电子晶体管用于量子集成电路
机译:双量子点耦合到射频单电子晶体管:量子测量和反向作用。
机译:铁磁单电子晶体管的量子临界性
机译:通过侧壁图案化方法制造的基于绝缘体上硅量子线的单电子晶体管