Bell Labs, Lucent Technologies, 600 Mountain Ave., Murray Hill, NJ 07974, USA;
机译:具有硅化钴和硅化钛结构的短沟道MOSFET的可靠性比较
机译:共硅化工艺中栅极长度为30 nm的CoSi_2薄膜电阻与氮化钛覆盖层厚度的关系
机译:分析与硅化钛细丝有关的侧壁清洁
机译:通过注入C49 TiSi_2和快速热退火,应力增强了砷化钛结中砷的扩散。
机译:用于深亚四分之一微米MOSFET的激光辅助硅化钛的制造。
机译:多孔钽与钛植入物:干细胞增殖和分化后增强的矿化基质形成
机译:钛硅化CmOs集成电路中的源极/漏极位错和漏电