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Characterizing Optical Proximity Effect Difference Among Exposure Tools

机译：曝光工具中的光学邻近效应差异的特征

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In terms of mass production, the CD variation between exposure tools is not avoidable because of different exposure tool characteristics. The major CD variation is coming from different optical proximity effect (OPE) response between exposure tools. Knowing and control the major contributor to the OPE, ramping up the device will be faster because of one reticle usage in various exposure tools. Therefore, the quantitative measurement and simulation with actual exposure tool characteristics need for analyzing proximity impact to CD. For this purpose, collecting CD data on the wafers and analyzing was carried out to find large ID bias exposure tool. Normal and abnormal exposure tool in terms of proximity matching is inspected using LITEL products of ISI™(In-situ Interferometer) and SMI™(Source Metrology Interferometer). ISI™ and SMI™ were for collecting machine characteristic and Solid-E™ was for simulation purposes. From this study, the practical procedure is proposed to prevent using of large proximity exposure tool for production line and the impact of actual tools characteristic on proximity matching is known.
机译：就批量生产而言，由于不同的曝光工具特性，曝光工具之间的CD变化不可避免。主要CD变化来自曝光工具之间的不同光学邻近效应（OPE）响应。了解并控制ope的主要贡献者，由于各种曝光工具中的一个掩模版使用，因此升高了该装置将更快。因此，具有实际曝光工具特性的定量测量和仿真需要分析对CD的邻近冲击。为此目的，进行晶片上的CD数据并进行分析，以找到大型ID偏置曝光工具。接近匹配方面正常和异常曝光工具使用ISI™（原位干涉仪）和SMI™（来源计量干涉仪）的LITEL产品检查。 ISI™和SMI™用于收集机器特性和Solid-E™用于模拟目的。从本研究开始，提出了实用程序来防止使用大型接近曝光工具进行生产线，并且已知对实际工具特性对邻近匹配的影响。

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