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首页> 外文会议>Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XX pt.2 >Characterizing Optical Proximity Effect Difference Among Exposure Tools
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Characterizing Optical Proximity Effect Difference Among Exposure Tools

机译：表征曝光工具之间的光学邻近效应差异

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In terms of mass production, the CD variation between exposure tools is not avoidable because of different exposure tool characteristics. The major CD variation is coming from different optical proximity effect (OPE) response between exposure tools. Knowing and control the major contributor to the OPE, ramping up the device will be faster because of one reticle usage in various exposure tools. Therefore, the quantitative measurement and simulation with actual exposure tool characteristics need for analyzing proximity impact to CD. For this purpose, collecting CD data on the wafers and analyzing was carried out to find large ID bias exposure tool. Normal and abnormal exposure tool in terms of proximity matching is inspected using LITEL products of ISI™(In-situ Interferometer) and SMI™(Source Metrology Interferometer). ISI™ and SMI™ were for collecting machine characteristic and Solid-E™ was for simulation purposes. From this study, the practical procedure is proposed to prevent using of large proximity exposure tool for production line and the impact of actual tools characteristic on proximity matching is known.
机译：就批量生产而言，由于不同的曝光工具特性，无法避免曝光工具之间的CD变化。 CD的主要变化来自曝光工具之间不同的光学邻近效应（OPE）响应。了解并控制OPE的主要贡献者，由于各种曝光工具中使用了一个标线片，因此提高设备的速度将更快。因此，具有实际曝光工具特征的定量测量和模拟需要分析对CD的邻近影响。为此，在晶片上收集CD数据并进行分析以找到大的ID偏置曝光工具。使用ISI™（原位干涉仪）和SMI™（源计量学干涉仪）的LITEL产品对接近和匹配方面的正常和异常曝光工具进行了检查。 ISI™和SMI™用于收集机器特性，而Solid-E™用于模拟目的。从这项研究中，提出了防止使用大型接近曝光工具用于生产线的实用程序，并且已知了实际工具特性对接近匹配的影响。

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