• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Symposium on Multicomponent Oxide Films for Electronics held April 6-8,1999,San francisco,California,U.S.A. >Wafer bonding involving complex oxides
【24h】

Wafer bonding involving complex oxides

机译：晶圆键合涉及复杂的氧化物

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The present paper proposes a simple method which may be able to provide true single-crystal films of complex oxides on large substrates including semiconductors like silicon or gallium arsenide. The method describes a layer transfer process using layer splitting by hydrogen implantation and direct wafer bonding (DWB) to obtain single-crystal oxide films on different substrates. Alternatively, a fabrication process of ferroelectric-semiconductor heterostructures based on direct wafer bonding and layer transfer is also described. This process is an alternative method to the direct wafer bonding and layer transfer is also described. This process is an alternative method to the direct deposition of oxides films (ferroelectric, high-k) on silicon and allows fabrication of metla oxide-silicon heterostructures with an interface having a good structural quality as well as a low trap density.
机译：本文提出了一种简单的方法，该方法可能能够在包括半导体（如硅或砷化镓）在内的大型基板上提供复杂氧化物的真实单晶膜。该方法描述了一种层转移工艺，该工艺使用通过氢注入和直接晶圆键合（DWB）进行的层分离来在不同基板上获得单晶氧化膜。或者，还描述了基于直接晶片键合和层转移的铁电半导体异质结构的制造工艺。该工艺是直接晶圆键合和层转移的另一种方法。此工艺是在硅上直接沉积氧化物膜（铁电，高k）的一种替代方法，可以制造具有良好结构质量和低陷阱密度的界面的金属钛-硅异质结构。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号