三明治结构电子阻挡层中势阱深度对LED性能的影响

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• 来源
  《发光学报》 |2013年第10期|1367-1372|共6页
• 作者

  章敏杰; 梅霆; 王乃印; 朱凝; 王达飞; 李浩; 文洁;

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• 作者单位

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

  中山大学光电子材料与技术国家重点实验室,广东广州510275;

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

  中山大学光电子材料与技术国家重点实验室,广东广州510275;

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

  华南师范大学光电子材料与技术研究所 微纳功能材料与器件重点实验室,广东广州510631;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN312.8;
• 关键词

  发光二极管; 插入势阱; 电子阻挡层;