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一种新型的耐高压箝位ESD保护电路设计

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对全芯片的静电释放(ESD)防护进行了设计与研究,提出了一种新的耐高压增强型箝位ESD芯片保护电路。该ESD保护电路由2个电阻、2个电容和3个MOS管组成,包含1个静电检测模块。仿真结果显示,此电路能完美实现ESD保护作用,可以承受5 kV的瞬时高压。

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来源
《北部湾大学学报》 |2022年第4期|33-36|共4页
作者
朱兆旻; 何艳梅; 程宪宝;
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作者单位

北部湾大学电子与信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
静电释放; 耐高压; 保护电路; 数模混合信号;

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