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Real time control of plasma deposited multilayers by ellipsometry

机译：椭圆偏振法实时控制等离子体沉积的多层膜

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A direct method for real time control, by multiwavelength Phase Modulated Ellipsometry (PME), of the growth of plasma deposited structures is presented here. Transparent multilayers consisting of SiO_2 and SiN_x alloys are investigated here. This feedback control method is based on the comparison between the real time PME measurements and pre computed target trajectories. It can provide the high precision required to deposit high performance optical coatings. In particular an overall accuracy better than 1% is obtained on a fifteen layers quaterwave filter, designed at 670 nm.%Une méthode de contrôle en temps réel, par ellipsométrie à modulation de phase (PME) multi-longueur d'onde, de la croissance de couches minces par plasma est présentée. Elle est appliquée au dépôts de multicouches d'oxyde et de nitrure de silicium. La méthode de contrôle est basée sur la comparaison entre les mesures de PME en temps réel et les trajectoires théoriques. On obtient ainsi la précision nécessaire au dépôt de revêtements optiques très performants. En particulier une précision meilleure que 1 % est obtenue dans le cas d'un filtre quart-d'onde (à 670 nm) constitué de quinze couches.
机译：本文介绍了通过多波长相位调制椭圆偏振法（PME）实时控制等离子体沉积结构生长的直接方法。在此研究了由SiO_2和SiN_x合金组成的透明多层。这种反馈控制方法基于实时PME测量值与预先计算的目标轨迹之间的比较。它可以提供沉积高性能光学涂层所需的高精度。特别是在设计为670 nm的15层四分之一波滤波器上获得了优于1％的总体精度。％通过多波长相位调制椭偏仪（PME）实时控制方法，将提出了通过等离子体的薄膜生长。它适用于多层氧化物和氮化硅的沉积物。该控制方法基于PME实时测量值与理论轨迹之间的比较。这提供了沉积高性能光学涂层所需的精度。特别地，在由十五层组成的四分之一波长滤光片（在670 nm）的情况下，可获得优于1％的精度。

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