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Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing
Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing
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1.
The how's and why's of characterizing particle size distributions in CMP slurries
机译:
表征CMP浆料中粒度分布的方式和原因
作者:
Linda Anthony
;
John Miner
;
Michael Baker
;
Warren lai
;
John Sowell
;
Alvaro Maury
;
Yaw Obeng
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
2.
Aggregate Behavior in Metal CMP Slurries
机译:
金属CMP浆料中的聚集行为
作者:
D.C. Tamboli
;
V.H. Desai
;
A. Dogariu
;
K.B. Sundaram
;
A.Maury
;
Y.Obeng
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
3.
A cautious approach to the removal of Ta in the CMP polishing of Cu/Ta structures
机译:
在Cu / Ta结构的CMP抛光中谨慎去除Ta的方法
作者:
Vlasta Brusic
;
Rod Kistler
;
Shumin Wang
;
Joe Hawkins
;
Colin Schmidt
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
4.
High speed polishing of silicon dioxide thin films using linear planarization technology
机译:
使用线性平面化技术高速抛光二氧化硅薄膜
作者:
Brian Thornton
;
Andy Nagengast
;
Jayanthi Pallinti
;
Anil Pant
;
Rahul Jairath
;
Wilbur Krusell
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
5.
Evaluation of commercialized slurries and pads for polymer CMP (chemical mechanical polishing)
机译:
评估用于聚合物CMP(化学机械抛光)的商业化浆料和抛光垫
作者:
Fan Zhang
;
Ronald W. Wake
;
Lee Cook
;
Ahmed A. Busnaina
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
6.
Development of a Copper CMP Process for Multilevel, Dual Inlaid Metallization in Semiconductor Devices
机译:
用于半导体器件中多层,双镶嵌金属化的铜CMP工艺的开发
作者:
Susan Rabke Selinidis
;
David K. Watts
;
Jaime Saravia
;
Jason Gomez
;
Chelsea Dang
;
Rabiul Islam
;
Jeff Klein
;
Janos Farkas
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
7.
Chemical-mechanical polishing of tungsten: an electrophoretic mobility investigation of alumina-tungstate interactions
机译:
钨的化学机械抛光:氧化铝-钨酸盐相互作用的电泳迁移率研究
作者:
K. Osseo-Asare
;
Aman Khan
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
8.
Characterization of the oxide CMP process for shallow trench isolation based advanced bicmos technologies
机译:
基于先进的bicmos技术的浅沟槽隔离的氧化物CMP工艺的特性
作者:
John Damiano
;
Hong Tian
;
Asanga Perera
;
Chitra Subramanian
;
Jim Hayden
;
Barry Haygood
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
9.
Treatment of alumina and silica CMP waste by electrodecantation and electrocoagulation
机译:
电解和电凝处理氧化铝和二氧化硅CMP废料
作者:
B.M. Belongia
;
P.D. Haworth
;
J.C. Baygents
;
S. Raghavan
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
10.
Optimization of CMP processes for sti devices using novel metrology tools
机译:
使用新型计量工具优化sti设备的CMP工艺
作者:
David A. Hansen
;
C. Wu
;
H.B. Lu
;
M. Oyumi
;
V. Velidandla
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
11.
A theoretical model for chemical-mechanical polishing of blanket wafers with soft pads
机译:
带有软垫的橡皮布化学机械抛光的理论模型
作者:
Frank G. Shi
;
Bin Zhao
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
12.
Aging effect in CMP slurries probed by multiple light scattering
机译:
通过多次光散射探测CMP浆料中的老化效应
作者:
G. Popescu
;
M. Lauwidjaja
;
L. Denney
;
K. Richardson
;
A. Dogariu
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
13.
A high oxide: nitride selectivity CMP slurry for shallow trench isolation
机译:
用于浅沟槽隔离的高氧化物:氮化物选择性CMP浆料
作者:
Olivier Laparra
;
Milind Weling
;
Sharath Hosali
;
Ray Lavoie
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
14.
Non-contact post-CMP cleaning using a single wafer processing system
机译:
使用单晶片处理系统进行非接触式CMP后清洁
作者:
Michael B. Olesen
;
Brian Fraser
;
Cole Franlin
;
Mario Bran
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
15.
Dual salicide and self-aligned metal gate formation for sub-0.25#mu#m CMOS technologies using CMP
机译:
使用CMP的低于0.25#μ#m CMOS技术的双硅化物和自对准金属栅极形成
作者:
Milind Weling
;
Xi-Wei Lin
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
16.
Mechanistic Aspects Of The Relationship Between CMP Consumables And Polishing Characteristics
机译:
CMP耗材与抛光特性之间关系的机械方面
作者:
Y.S. Obeng
;
K.M. Forsthoefel
;
K.A. Richardson
;
R.H. Burton
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
17.
Inhibiton of alumina particle deposition onto SiO_2 surfaces during tungsten CMP through the use of citric acid
机译:
通过使用柠檬酸抑制钨CMP过程中氧化铝颗粒在SiO2表面的沉积
作者:
L. Zhang
;
S. Raghavan
;
S. Meikle
;
G. Hudson
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
18.
Impact of slurry particle aggregation upon pad surface topography and film removal rate in chemical mechanical planarization
机译:
化学机械平面化中浆料颗粒聚集对焊盘表面形貌和膜去除速率的影响
作者:
Lei Zhong
;
Jerry Yang
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
19.
Electrochemical characterization of copper in ammonia-containing slurries for chemical mechanical planarization of interconnects
机译:
含氨浆料中铜的电化学表征,用于互连的化学机械平面化
作者:
Carlyn Sainio
;
David J. Duquette
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
20.
Curvature-induced wafer down pressure distribution and its influence on chemical-mechanical polishing process
机译:
曲率引起的晶片向下压力分布及其对化学机械抛光过程的影响
作者:
Wei-Tsu Tseng
;
Yui-Sheng Wang
;
Jyh-Hwa Chin
;
Wen-Chueh Pan
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
21.
CMP Applications for Sub-0.25#mu#m Process Technologies
机译:
0.25#mu#m以下工艺技术的CMP应用
作者:
Dipankar Pramanik
;
Milind Weling
;
Xi-Wei Lin
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
22.
Characterization of concentrated CMP slurries by acoustic techniques
机译:
浓缩CMP浆料的声学技术表征
作者:
Melanie L. Carasso
;
Jorge L. Valdes
;
Linda A. Psota-Kelty
;
Linda J. Anthony
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
23.
Chemical-mechanical polishing of metals: the role of metal concentration gradient
机译:
金属的化学机械抛光:金属浓度梯度的作用
作者:
K. Osseo-Asare
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
24.
Chemical and structural characterization of aluminum oxide (Al_2O_3) slurries
机译:
氧化铝(Al_2O_3)浆料的化学和结构表征
作者:
M. Lauwidjaja
;
G. Popescu
;
K. Richardson
;
A. Dogariu
会议名称:
《Chemical mechanical planarization in integrated circuit device manufacturing》
|
1998年
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