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1.
A simple compact model for carrier distribution and its application in single-, double- and triple-gate junctionless transistors
机译:
用于载流子分布的简单紧凑模型及其在单,双和三栅极无结晶体管中的应用
作者:
Fanyu Liu
;
Ionica Irina
;
Bawedin Maryline
;
Cristoloveanu Sorin
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
carrier densities;
coupling effect;
full depletion;
junctionless transistors;
partial depletion;
threshold voltage;
2.
Band structure of III-V thin films: An atomistic study of non-parabolic effects in confinement direction
机译:
III-V薄膜的能带结构:限制方向上非抛物线效应的原子学研究
作者:
Mugny G.
;
Triozon F.
;
Li J.
;
Niquet Y.-M.
;
Hiblot G.
;
Rideau D.
;
Delerue C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
3.
Dependence of spin lifetime on spin injection orientation in strained silicon films
机译:
应变硅膜中自旋寿命与自旋注入取向的关系
作者:
Ghosh J.
;
Osintsev D.
;
Sverdlov V.
;
Selberherr S.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Spin relaxation in silicon;
kp method;
spin injection direction;
spin relaxation hot spots;
surface roughness;
4.
Al
2
O
3
/InGaAs interface study on MOS capacitors for a 300mm process integration
机译:
用于300mm工艺集成的MOS电容器上的Al
2 inf> O
3 inf> / InGaAs接口研究
作者:
Billaud M.
;
Duvernay J.
;
Grampeix H.
;
Pelissier B.
;
Martin M.
;
Baron T.
;
Boutry H.
;
Chalupa Z.
;
Casse M.
;
Ernst T.
;
Vinet M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
InGaAs;
border traps;
capacitors;
high-k;
oxide;
5.
From double to triple gate: Modeling junctionless nanowire transistors
机译:
从双闸到三闸:建模无结纳米线晶体管
作者:
Cardoso Paz Bruna
;
Pavanello Marcelo Antonio
;
Casse Mikael
;
Barraud Sylvain
;
Reimbold Gilles
;
Faynot Olivier
;
Avila-Herrera Fernando
;
Cerdeira Antonio
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Junctionless;
measurements;
modeling;
simulation;
triple gate;
6.
Analytical model of thin-body InGaAs-on-InP MOSFET low-field electron mobility for integration in TCAD tools
机译:
集成在TCAD工具中的InIn MOSFET薄体InGaAs的低场电子迁移率分析模型
作者:
Betti Beneventi Giovanni
;
Reggiani Susanna
;
Gnudi Antonio
;
Gnani Elena
;
Aliane Alireza
;
Collaert Nadine
;
Mocuta Anda
;
Thean Aaron
;
Baccarani Giorgio
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
7.
Cu nanolines in coplanar waveguide transmission lines
机译:
共面波导传输线中的铜纳米线
作者:
Sarafis P.
;
Nassiopoulou A.G.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
CPW;
Cu nanolines;
RF interconnects;
coplanar waveguide;
litz-wire;
transmission lines;
8.
Experimental demonstration of planar SiGe on Si TFETs with counter doped pocket
机译:
具有反掺杂口袋的Si TFET上平面SiGe的实验演示
作者:
Blaeser S.
;
Richter S.
;
Wirths S.
;
Trellenkamp S.
;
Buca D.
;
Zhao Q.T.
;
Manti S.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
SiGe;
TFET;
counter doped pocket;
line tunneling;
selective;
self-adjusted silicidation;
9.
Drift-diffusion simulation without Einstein relation
机译:
无爱因斯坦关系的漂移-扩散模拟
作者:
Bufler F.M.
;
Erlebach A.
;
Wettstein A.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
10.
Effects of D
it
-induced degradation on InGaAs/InAlAs Nanowire Superlattice-FET using Al
2
O
3
and HfO
2
/La
2
O
3
as gate stacks
机译:
Al
2 inf> O
3 inf>和HfO
2 inf对D
inf>诱导的降解对InGaAs / InAlAs纳米线超晶格FET的影响> / La
2 inf> O
3 inf>作为门叠
作者:
Maiorano P.
;
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Reggiani S.
;
Baccarani G.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
11.
Characterization of bonding surface and electrical insulation properties of inter layer dielectrics for 3D monolithic integration
机译:
用于3D单片集成的层间电介质的键合表面和电绝缘特性的表征
作者:
Garidis K.
;
Jayakumar G.
;
Asadollahi A.
;
Dentoni Litta E.
;
Hellstrom P.-E.
;
Ostling M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
3D integration;
Ge;
GeOI;
atomic layer deposition;
current leakage;
defects;
inter layer dielectrics;
monolithic;
strained Ge;
wafer bonding;
12.
Impact of non uniform strain configuration on transport properties for FD14+ devices
机译:
非均匀应变配置对FD14 +器件传输特性的影响
作者:
Medina-Bailon C.
;
Sampedro C.
;
Gamiz F.
;
Godoy A.
;
Donetti L.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
13.
A new latch-free LIGBT on SOI
机译:
SOI上的新型无闩锁照明灯
作者:
Olsson J.
;
Vestling L.
;
Eklund K.-H.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
14.
GeSn for nanoelectronic and optical applications
机译:
用于纳米电子和光学应用的GeSn
作者:
Buca D.
;
Wirths S.
;
Stange D.
;
von den Driesch Nils
;
Stoica T.
;
Grutzmacher D.
;
Mantl S.
;
Ikonic Z.
;
Hartmann J.-M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
GeSn;
direct bandgap;
gate staks;
strained Ge;
15.
Investigation of ambipolar signature in SiGeOI homojunction tunnel FETs
机译:
SiGeOI同质结隧道FET中双极性签名的研究
作者:
Oeflein R.P.
;
Hutin L.
;
Borrel J.
;
Villalon A.
;
Le Royer C.
;
Martinie S.
;
Tabone C.
;
Vinet M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
SiGeOI;
Tunnel FET;
ambipolar;
homojunction;
16.
Experimental investigations of SiGe channels for enhancing the SGOI tunnel FETs performance
机译:
SiGe通道增强SGOI隧道FET性能的实验研究
作者:
Le Royer C.
;
Villalon A.
;
Martinie S.
;
Nguyen P.
;
Barraud S.
;
Glowacki F.
;
Cristoloveanu S.
;
Vinet M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
I;
SGOI;
SOI;
SS;
SiGe;
TFET;
Tunnel FET;
17.
Leakage current and breakdown of GaN-on-Silicon vertical structures
机译:
漏电流和硅上GaN垂直结构的击穿
作者:
Cornigli D.
;
Monti F.
;
Reggiani S.
;
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Baccarani G.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
18.
Low-power 3D integrated ferromagnetic computing
机译:
低功耗3D集成铁磁计算
作者:
Becherer M.
;
Breitkreutz S.
;
Eichwald I.
;
Ziemys G.
;
Kiermaier J.
;
Csaba G.
;
Schmitt-Landsiedel D.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
19.
Determination of ad hoc deposited charge on bare SOI wafers
机译:
测定裸露的SOI晶片上的临时沉积电荷
作者:
Fernandez C.
;
Rodriguez N.
;
Marquez C.
;
Gamiz F.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Pseudo-MOSFET;
SOI;
charge sensing;
threshold voltage;
20.
New insights on strained-Si on insulator fabrication by top recrystallization of amorphized SiGe on SOI
机译:
通过在SOI上对非晶硅锗进行顶部再结晶来制造绝缘体上应变硅的新见解
作者:
Bonnevialle A.
;
Reboh S.
;
Grenouillet L.
;
Le Royer C.
;
Morand Y.
;
Maitrejean S.
;
Hartmann J.-M.
;
Halimaoui A.
;
Rouchon D.
;
Casse M.
;
Plantier C.
;
Wacquez R.
;
Vinet M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
SOI;
STRASS;
SiGe;
amorphization;
recrystallization;
sSOI;
21.
Quasi-static capacitance measurements in pseudo-MOSFET configuration for D
it
extraction in SOI wafers
机译:
SOI晶片中D
it inf>提取的伪MOSFET配置中的准静态电容测量
作者:
Pirro L.
;
Ionica I.
;
Mescot X.
;
Cristoloveanu S.
;
Ghibaudo G.
;
Faraone L.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
SOI;
capacitance measurement;
interface trap density;
pseudo-MOSFET;
quasi-static;
22.
Measurement of the minimum energy point in Silicon on Thin-BOX(SOTB) and bulk MOSFET
机译:
在Thin-BOX(SOTB)和体MOSFET上测量硅中的最小能量点
作者:
Nakamura Shohei
;
Kawasaki Jun
;
Kumagai Yuichi
;
Usami Kimiyoshi
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Energy minimum point;
Silicon-on-Thin-BOX MOSFET;
Ultra-low voltage;
23.
Modeling approaches for band-structure calculation in III-V FET quantum wells
机译:
III-V FET量子阱中能带结构计算的建模方法
作者:
Caruso E.
;
Zerveas G.
;
Baccarani G.
;
Czornomaz L.
;
Daix N.
;
Esseni D.
;
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Grassi R.
;
Luisier M.
;
Markussen T.
;
Palestri P.
;
Schenk A.
;
Selmi L.
;
Sousa M.
;
Stokbro K.
;
Visciarelli M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
DFT;
III-V compounds;
band-structure;
24.
Schottky barrier height engineering for next generation DRAM capacitors
机译:
下一代DRAM电容器的肖特基势垒高度工程
作者:
Kyuho Cho
;
Pesic Milan
;
Knebel Steve
;
Changhwa Jung
;
Jaewan Chang
;
Hanjin Lim
;
Kolomiiets Nadiia
;
Afanasev Valeri V.
;
Schroeder Uwe
;
Mikolajick Thomas
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
DRAM capacitor;
Schottky barrier height;
ZrO;
25.
Nano systems and nano scaled devices for new applications in biology and nanotechnology
机译:
用于生物学和纳米技术新应用的纳米系统和纳米级设备
作者:
Collard Dominique
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
MEMS;
Tweezers;
molecular programming;
nanowire;
26.
SOI/SOS MOSFET universal compact SPICE model with account for radiation effects
机译:
考虑了辐射效应的SOI / SOS MOSFET通用紧凑型SPICE模型
作者:
Petrosyants Konstantin O.
;
Kharitonov Igor /A/.
;
Sambursky Lev M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
SOI/SOS MOSFETs;
compact SPICE models;
parameter extraction;
pulse effects;
radiation effects;
radiation-hardened circuit design;
simulation time;
single events;
total dose effects;
27.
Effect of independently sized gates on the delay of reconfigurable silicon nanowire transistor based circuits
机译:
独立大小的门对可重构硅纳米线晶体管电路延迟的影响
作者:
Trommer Jens
;
Slesazeck Stefan
;
Weber Walter M.
;
Heinzig Andre
;
Baldauf Tim
;
Mikolajick Thomas
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
RFET;
Schottky barrier;
Schottky field effect transistor;
device-circuit co-design;
functional enhanced devices;
logic gates;
logical effort;
multigate;
polarity control;
reconfigurable transistor;
silicon nanowires;
28.
Sub-22nm scaling of UTB2SOI devices for Multi-V
t
applications
机译:
适用于Multi-V
t inf>应用的UTB2SOI器件的22nm以下缩放
作者:
Diaz-Llorente C.
;
Medina-Bailon C.
;
Sampedro C.
;
Gamiz F.
;
Godoy A.
;
Donetti L.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
29.
Modeling of OxRAM variability from low to high resistance state using a stochastic trap assisted tunneling-based resistor network
机译:
使用随机陷阱辅助基于隧穿的电阻器网络对从低电阻状态到高电阻状态的OxRAM可变性进行建模
作者:
Garbin Daniele
;
Rafhay Quentin
;
Vianello Elisa
;
Jeannot Simon
;
Candelier Philippe
;
DeSalvo Barbara
;
Ghibaudo Gerard
;
Perniola Luca
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
OxRAM;
RRAM;
trap assisted tunneling;
variability;
30.
Modeling study of the mobility in FDSOI devices with a focus on near-spacer-region
机译:
FDSOI设备中迁移率的建模研究,重点放在近间隔区域
作者:
Pereira F.G.
;
Rideau D.
;
Nier O.
;
Tavernier C.
;
Triozon F.
;
Garetto D.
;
Mugny G.
;
Sklenard B.
;
Hiblot G.
;
Pala M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
FDSOI;
Kubo-Greenwood;
Poisson-Schrödinger;
QCDD;
mobility;
transport;
31.
Systematic study of the palladium-graphene contact
机译:
钯-石墨烯接触的系统研究
作者:
Gahoi A.
;
Passi V.
;
Kataria S.
;
Wagner S.
;
Bablich A.
;
Lemme M.C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
TLM;
contact resistance;
graphene;
graphene transfer;
rapid thermal annealing;
32.
BIMOS transistor in thin silicon film and new solutions for ESD protection in FDSOI UTBB CMOS technology
机译:
薄膜中的BIMOS晶体管和FDSOI UTBB CMOS技术中用于ESD保护的新解决方案
作者:
Galy Ph
;
Athanasiou S.
;
Cristoloveanu S.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
BIMOS transistor;
CMOS;
ESD protection;
FDSOI;
33.
Spectral sensitivity of a graphene/silicon pn-junction photodetector
机译:
石墨烯/硅pn结光电探测器的光谱灵敏度
作者:
Riazimehr Sarah
;
Schneider Daniel
;
Yim Chanyoung
;
Kataria Satender
;
Passi Vikram
;
Bablich Andreas
;
Duesberg Georg S.
;
Lemme Max C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Schottky barrier diode;
graphene;
molybdenum disulfide;
photodiode;
sensitivity;
spectral response;
34.
Thickness characterization by capacitance derivative in FDSOI p-i-n gated diodes
机译:
FDSOI p-i-n门控二极管中电容导数的厚度表征
作者:
Navarro C.
;
Bawedin M.
;
Andrieu F.
;
Cluzel J.
;
Solaro Y.
;
Fonteneau P.
;
Martinez F.
;
Sagnes B.
;
Cristoloveanu S.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Capacitance;
SOI;
film thickness;
gated diode;
inter-gate coupling;
p-i-n;
split C-V;
threshold voltage;
35.
Strained Si nanowire GAA n-TFETs for low supply voltages
机译:
低电源电压的应变Si纳米线GAA n-TFET
作者:
Luong G.V.
;
Trellenkamp S.
;
Zhao Q.T.
;
Mantl S.
;
Bourdelle K.K.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
NiSi2;
Si nanowire TFET;
analog performance;
implantation into silice;
low supply voltage;
36.
Efficient quantum mechanical simulation of band-to-band tunneling
机译:
带间隧穿的有效量子力学模拟
作者:
Alper Cem
;
Palestri Pierpaolo
;
Padilla Jose L.
;
Gnudi Antonio
;
Grassi Roberto
;
Gnani Elena
;
Luisier Mathieu
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《》
|
2015年
37.
Towards amplifier design with a SiC graphene field-effect transistor
机译:
借助SiC石墨烯场效应晶体管实现放大器设计
作者:
Aguirre-Morales J.D.
;
Fregonese S.
;
Dwivedi A.D.D.
;
Zimmer T.
;
Khenissa M.S.
;
Belhaj M.M.
;
Happy H.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Amplifier;
Compact Model;
Field-Effect Transistor;
Graphene;
SiC;
38.
Tri-gate In
0.53
Ga
0.47
As-on-insulator junctionless field effect transistors
机译:
三栅In
0.53 inf> Ga
0.47 inf>绝缘体上无结砷化场效应晶体管
作者:
Djara V.
;
Czornomaz L.
;
Daix N.
;
Caimi D.
;
Deshpande V.
;
Uccelli E.
;
Sousa M.
;
Marchiori C.
;
Fompeyrine J.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Direct wafer bonding;
Field-effect transistor;
High-A dielectrics;
InGaAs-OI;
Junctionless;
Multigate;
39.
TFET/CMOS hybrid pseudo dual-port SRAM for scratchpad applications
机译:
适用于暂存器应用的TFET / CMOS混合伪双端口SRAM
作者:
Gupta N.
;
Makosiej A.
;
Thomas O.
;
Amara A.
;
Vladimirescu A.
;
Anghel C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Dynamic voltage frequency scaling(DVFS);
Low STandby Power(LSTP);
SNM;
SRAM cell;
Tunneling FET (TFET);
half-selection(HS);
write-disturb(WD);
40.
Ovonic materials for memory nano-devices: Stability of I(V) measurements
机译:
用于存储器纳米器件的Ovonic材料:I(V)测量的稳定性
作者:
Rudan Massimo
;
Piccinini Enrico
;
Buscemi Fabrizio
;
Brunetti Rossella
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
41.
On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In
0.53
Ga
0.47
As channels
机译:
超薄(111)取向In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As通道中电子迁移率的提高
作者:
Poljak Mirko
;
Krivec Sabina
;
Suligoj Tomislav
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
(100);
(111);
InGaAs;
mobility;
quantum confinement;
scattering;
surface orientation;
ultra-thin body;
42.
A model for hot-carrier degradation in nLDMOS transistors based on the exact solution of the Boltzmann transport equation versus the drift-diffusion scheme
机译:
基于玻尔兹曼输运方程与漂移扩散方案的精确解的nLDMOS晶体管中热载流子退化模型
作者:
Sharma Prateek
;
Tyaginov Stanislav
;
Wimmer Yannick
;
Rudolf Florian
;
Enichlmair Hubert
;
Jong-Mun Park
;
Ceric Hajdin
;
Grasser Tibor
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
drift-diffusion scheme;
hot-carrier degradation;
nLDMOS;
spherical harmonics expansion;
43.
A simple analytical Variable Barrier Transistor drain current model
机译:
一个简单的可变势垒晶体管分析漏电流模型
作者:
Moldovan Oana
;
Lime Francois
;
Iniguez Benjamin
;
Barraud Sylvain
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Landauer theory;
SGT;
VBT;
analytical model;
thermionic current;
44.
CMOS-compatible abrupt switches based on VO
2
metal-insulator transition
机译:
基于VO
2 inf>金属-绝缘体转换的CMOS兼容突变开关
作者:
Vitale Wolfgang /A/.
;
Moldovan Clara F.
;
Paone Antonio
;
Schuler Andreas
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
abrupt switching;
metal-insulator transition;
scaling perspectives;
vanadium dioxide;
45.
Characterization of flexible CMOS technology tranferred onto a metallic foil
机译:
转移到金属箔上的柔性CMOS技术的特性
作者:
Philippe Justine
;
Lecavelier des Etangs-Levallois Aurelien
;
Latzel Philip
;
Danneville Francois
;
Robillarcf Jean-Francois
;
Gloria Daniel
;
Dubois Emmanuel
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
CMOS;
inorganic substrate;
metallic bonding;
stainless steel;
thin film;
46.
Comparison between vertical silicon NW-TFET and NW-MOSFETfrom analog point of view
机译:
从模拟角度比较垂直硅NW-TFET和NW-MOSFET
作者:
Agopian P.G.D.
;
Martino J.A.
;
Vandooren A.
;
Rooyackers R.
;
Simoen E.
;
Thean A.
;
Claeys C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Tunnel field-effect transistor;
analog application;
vertical nanowire;
47.
Analytical approach to consider Gaussian junction profiles in compact models of tunnel-FETs
机译:
在隧道FET的紧凑模型中考虑高斯结轮廓的分析方法
作者:
Graef Michael
;
Hain Franziska
;
Hosenfeld Fabian
;
Iniguez Benjamin
;
Kloes Alexander
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
2D Potential;
Analytical Modeling;
Double-Gate (DG) Tunnel-FET;
Gaussian Doping Profile;
ID Poisson;
48.
Electron relaxation times and resistivity in metallic nanowires due to tilted grain boundary planes
机译:
倾斜的晶界平面导致金属纳米线的电子弛豫时间和电阻率
作者:
Moors Kristof
;
Soree Bart
;
Tokei Zsolt
;
Magnus Wim
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
49.
Disilane and trimethylsilane as precursors for RP-CVD growth of Si
1−y
C
y
epilayers on Si(001)
机译:
乙硅烷和三甲基硅烷作为RP-CVD在Si(001)上生长Si
1-y inf> C
y inf>外延层的前体
作者:
Colston Gerard
;
Myronov Maksym
;
Rhead Stephen
;
Leadley David
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Defects;
Epitaxy;
RP-CVD;
Si;
C;
50.
A simulation study of short channel effects with a QET model based on Fermi-Dirac statistics for Si, Ge and III-V MOSFETs
机译:
基于Fermi-Dirac统计的Si,Ge和III-V MOSFET的QET模型对短沟道效应的仿真研究
作者:
Sho Shohiro
;
Odanaka Shinji
;
Hiroki Akira
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
51.
Fabrication and analysis of vertical p-type InAs-Si nanowire Tunnel FETs
机译:
垂直p型InAs-Si纳米线隧道FET的制备和分析
作者:
Cutaia D.
;
Moselund K.E.
;
Borg M.
;
Schmid H.
;
Gignac L.
;
Breslin C.M.
;
Karg S.
;
Uccelli E.
;
Nirmalraj P.
;
Riel H.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
IH-V semiconductor materials;
Kane model;
hetero-junctions;
low-power electronics;
nanowires;
tunnel transistor;
52.
Effects of electrical stress and ionizing radiation on Si-based TFETs
机译:
电应力和电离辐射对Si基TFET的影响
作者:
Lili Ding
;
Gerardin Simone
;
Paccagnella Alessandro
;
Gnani Elena
;
Bagatin Marta
;
Driussi Francesco
;
Selmi Luca
;
Le Royer Cyrille
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
53.
Fully depleted SOI: Achievements and future developments
机译:
SOI完全耗尽:成就和未来发展
作者:
Haond M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Fully depleted devices;
forward biasing;
strain silicon;
54.
Impact of hot carrier stress on the defect density and mobility in double-gated graphene field-effect transistors
机译:
热载流子应力对双栅石墨烯场效应晶体管中缺陷密度和迁移率的影响
作者:
Illarionov Yu.Yu.
;
Waltl M.
;
Smith A.D.
;
Vaziri S.
;
Ostling M.
;
Lemme M.C.
;
Crasser T.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
55.
A new high resolution Random Telegraph Noise (RTN) characterization method for resistive RAM
机译:
电阻式RAM的高分辨率高分辨率电报噪声表征方法
作者:
Maestro M.
;
Diaz J.
;
Crespo-Yepes A.
;
Gonzalez M.B.
;
Martin-Martinez J.
;
Rodriguez R.
;
Nafria M.
;
Campabadal F.
;
Aymerich X.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Random Telegraph noise;
Resistive Switching;
resolution;
time constants;
56.
Investigation of performance limiting factors of sub-10nm III-V FinFETs
机译:
低于10nm的III-V FinFET的性能限制因素研究
作者:
Peijie Feng
;
Narayanan Sudarshan
;
Pandey Shesh Mani
;
Sahu Bhagawan
;
Benistant Francis
;
Towie Ewan
;
Alexander Craig
;
Amoroso Salvatore M.
;
Asenov Asen
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
III-V FinFETs;
Monte Carlo simulation;
TCAD;
nanoscale devices;
quantum corrections;
57.
Investigation of 2D transition metal dichalcogenide films for electronic devices
机译:
用于电子设备的2D过渡金属二卤化硅薄膜的研究
作者:
Duesberg Georg S.
;
Hallam Toby
;
OBrien Maria
;
Gatensby Riley
;
Hye-Young Kim
;
Kangho Lee
;
Berner Nina C.
;
McEvoy Niall
;
Chanyoung Yim
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
2D Materials;
CVD;
Hybrid devices;
Transition metal dichalcogenides;
58.
High temperature influence on analog parameters of Bulk and SOI nFinFETs
机译:
高温对Bulk和SOI nFinFET的模拟参数的影响
作者:
Oliveira A.V.
;
Agopian P.G.D.
;
Martino J.A.
;
Simoen E.
;
Claeys C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Bulk nFinFET;
SOI nFinFET;
analog parameters;
high temperature;
59.
Improved analog operation of junctionless nanowire transistors using back bias
机译:
使用反向偏置改善无结纳米线晶体管的模拟操作
作者:
Trevisoli R.
;
Doria R.T.
;
de Souza M.
;
Pavanello M.A.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Analog Operation;
Junctionless Transistors;
Substrate Bias;
60.
P-type trigate nano wires: Impact of nano wire thickness and Si
0.7
Ge
0.3
source-drain epitaxy
机译:
P型三栅纳米线:纳米线厚度和Si
0.7 inf> Ge
0.3 inf>源漏外延的影响
作者:
Gaben L.
;
Barraud S.
;
Samson M.-P.
;
Hartmann J.-M.
;
Vizioz C.
;
Aussenac F.
;
Allain F.
;
Montray S.
;
Boeuf F.
;
Skotnicki T.
;
Balestra F.
;
Vinet M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Channel Strain;
Electrostatics;
Fin-FET;
Hole Mobility;
MOSFET;
Nanowire;
SiGe Some Brain;
Silicon;
Trigate;
61.
New insights in Z
2
-FET mechanisms at variable temperature
机译:
Z
2 sup> -FET变温机制的新见解
作者:
El Dirani H.
;
Onestas L.
;
Ferrari P.
;
Cristoloveneau S.
;
Solaro Y.
;
Fonteneau P.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Electrostatic Discharge (ESD);
Fully Depleted SOI (FDSOI);
Leakage Current;
Temperature Dependence;
Triggering Voltage;
Zero Impact Ionization and Subthreshold Slope FET (Z;
-FET);
62.
Impact of back plane on the carrier mobility in 28nm UTBB FDSOI devices, for ESD applications
机译:
背板对28nm UTBB FDSOI器件中载流子迁移率的影响,用于ESD应用
作者:
Athanasiou S.
;
Galy P.
;
Cristoloveanu S.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
CMOS;
ESD;
FDSOI;
Mobility;
63.
Quantum simulation of a heterojunction inter-layer Tunnel FET based on 2-D gapped crystals
机译:
基于二维带隙晶体的异质结层间隧道FET的量子模拟
作者:
Jiang Cao
;
Pala Marco
;
Cresti Alessandro
;
Esseni David
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
NEGF;
Quantum simulation;
Transition metal dichalcogenide;
Tunnel FET;
subthermal sub-threshold swing;
64.
Impact of the diameter of vertical nanowire-tunnel FETs with Si and SiGe source composition on analog parameters
机译:
具有Si和SiGe源组成的垂直纳米线隧道FET的直径对模拟参数的影响
作者:
Bordallo C.C.M.
;
Sivieri V.B.
;
Martino J.A.
;
Agopian P.G.D.
;
Rooyackers R.
;
Vandooren A.
;
Simoen E.
;
Thean A.
;
Claeys C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Analog Parameters;
SiGe Source;
TFET;
Vertical Nanowire;
65.
Self-heating in 28 nm bulk and FDSOI
机译:
以28 nm体积和FDSOI自热
作者:
Makovejev S.
;
Planes N.
;
Haond M.
;
Flandre D.
;
Raskin J.-P.
;
Kilchytska V.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
28 nm;
FDSOI;
bulk;
self-heating;
66.
Second harmonic generation for non-destructive characterization of silicon-on-insulator substrates
机译:
二次谐波的产生,用于绝缘硅衬底的非破坏性表征
作者:
Ionica I.
;
Pirro L.
;
Nguyen V.
;
Kaminski A.
;
Vitrant G.
;
Onestas L.
;
Cristoloveanu S.
;
Changala J.
;
Kryger M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
SOI substrates;
non-destructive characterization;
second-harmonic generation;
67.
Nanoscale characterization of MOS systems by microwaves: Dopant profiling calibration
机译:
微波对MOS系统的纳米表征:掺杂物分布校正
作者:
Michalas L.
;
Lucibello A.
;
Joseph C.H.
;
Brinciotti E.
;
Kienberger F.
;
Proietti E.
;
Marcelli R.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Calibration;
Doping Profiling;
RF Characterization;
Scanning Microwave Microscopy (SMM);
Semiconductors;
68.
Power gating for FDSOI using dynamically body-biased power switch
机译:
使用动态偏置电源开关的FDSOI电源门控
作者:
Kumagai Yuichi
;
Kudo Masaru
;
Usami Kimiyoshi
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Body-Bias;
Low Power Technique;
Power Gating;
Sillicon-on-Thin-BOX MOSFET;
69.
Study of high-temperature Smart Cut™: Application to thin films of single crystal silicon and silicon-on-sapphire films
机译:
高温Smart Cut™的研究:在单晶硅薄膜和蓝宝石上硅薄膜上的应用
作者:
Meyer Raphael
;
Kononchuck Oleg
;
Moriceau Hubert
;
Lemiti Mustapha
;
Bruel Michel
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
EBSD;
ERDA;
Silicon On Sapphire;
Smart Cut;
implantation;
laser;
liquid phase epitaxial growth;
70.
Mobility improvement of ultrathin-body Germanium-on-insulator (GeOI) MOSFETs on flipped Smart-Cut™ GeOI substrates
机译:
翻转的Smart-Cut™GeOI基板上的超薄绝缘体上锗(GeOI)MOSFET的迁移率改善
作者:
Xiao Yu
;
Jian Kang
;
Zhang Rui
;
Takenaka Mitsuru
;
Takagi Shinichi
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
GeOI;
mobility;
ultrathin-body;
71.
Spatial variability in large area single and few-layer CVD graphene
机译:
大面积单层和多层CVD石墨烯的空间变异性
作者:
Moldovan Clara F.
;
Gajewski Krzysztof
;
Tamagnone Michele
;
Weatherup Robert S.
;
Sugime Hisashi
;
Szumska Anna
;
Vitale Wolfgang /A/.
;
Robertson John
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
CVD;
FTIR;
Fermi level;
KPFM;
bilayer;
graphene;
large-scale devices;
multilayer;
substrate;
variability;
72.
Reverse terrace graded Si
1−x
Ge
x
/Ge/Si(001) virtual substrates grown using RP-CVD on on-axis and 6° off-axis substrates for future developments in III-V materials integration
机译:
使用RP-CVD在轴上和离轴6°轴上生长的反向平台梯度Si
1-x inf> Ge
x inf> / Ge / Si(001)虚拟基底III-V材料集成的发展
作者:
Sivadasan Vineet
;
Myronov Maksym
;
Rhead Stephen
;
Halpin John
;
Leadley David
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
73.
Static and low frequency noise characterization in standard and rotated UTBOX nMOSFETs
机译:
标准和旋转UTBOX nMOSFET中的静态和低频噪声表征
作者:
Cretu B.
;
Simoen E.
;
Routoure J.-M.
;
Carin R.
;
Aoulaiche M.
;
Claeys C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
UTBOX;
analog parameters;
low frequecy noise spectroscopy;
low frequency noise;
short channel effects;
74.
350K operating silicon nanowire single electron/hole transistors scaled down to 3.4nm diameter and 10nm gate length
机译:
350K运行中的硅纳米线单电子/空穴晶体管可缩小至3.4nm的直径和10nm的栅极长度
作者:
Lavieville R.
;
Barraud S.
;
Corna A.
;
Jehl X.
;
Sanquer M.
;
Vinet M.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
350K operation;
Nanowire;
Silicon;
Single electron transistor;
Single hole transistor;
hybrid circuit;
75.
Toward understanding of donor-traps-related dispersion phenomena on normally-ON AlGaN/GaN HEMT through transient simulations
机译:
通过瞬态仿真来了解常开AlGaN / GaN HEMT上与供体陷阱相关的色散现象
作者:
Strangio S.
;
Magnone P.
;
Crupi F.
;
Fiegna C.
;
Pace C.
;
Iannaccone G.
;
Heiman A.
;
Shamir D.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
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2015年
关键词:
AlGaN/GaN;
Donor Traps;
HEMT;
TCAD;
76.
Study of low frequency noise in vertical NW-Tunnel FETs with different source compositions
机译:
不同源组成的垂直NW隧道FET中的低频噪声研究
作者:
Neves F.S.
;
Agopian P.G.D.
;
Martino J.A.
;
Cretu B.
;
Vandooren A.
;
Rooyackers R.
;
Simoen E.
;
Thean A.
;
Claeys C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2015年
关键词:
Tunnel field-effect transistor;
low frequency noise;
vertical nanowire;
77.
Ultra-low-power diodes using junctionless nanowire transistors
机译:
使用无结纳米线晶体管的超低功耗二极管
作者:
de Souza M.
;
Doria R.T.
;
Trevisoli R.D.
;
Pavanello M.A.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
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2015年
关键词:
junctionless nanowire transistors;
ultra-low-power diode;
78.
Simulation of the measurement by scanning electron microscopy of edge and linewidth roughness parameters in nanostructures
机译:
通过扫描电子显微镜对纳米结构中边缘和线宽粗糙度参数进行测量的模拟
作者:
Ciappa Mauro
;
Ilgunsatiroglu Emre
;
Illarionov Alexey Yu
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
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2015年
关键词:
Critical Dimensions;
Line Edge Roughness;
Metrology;
Monte Carlo Modeling;
Scanning Electron Microscopy;
79.
Low frequency noise statistical characterization of 14nm FDSOI technology node
机译:
14nm FDSOI技术节点的低频噪声统计表征
作者:
Ioannidis E.G.
;
Theodorou C.G.
;
Haendler S.
;
Joo M.-K.
;
Josse E.
;
Dimitriadis C.A.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
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2015年
关键词:
CMOS;
Low-frequency Noise;
characterization;
80.
Enhanced dynamic threshold UTBB SOI at high temperature
机译:
高温下增强的动态阈值UTBB SOI
作者:
Sasaki K.R.A.
;
Martino J.A.
;
Aoulaiche M.
;
Simoen E.
;
Claeys C.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
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2015年
关键词:
DTMOS;
UTBB FDSOI;
high temperature;
81.
Relevance of the physics of off-plane transport through 2D materials on the design of vertical transistors
机译:
通过二维材料进行平面外传输的物理学与垂直晶体管设计的相关性
作者:
Iannaccone G.
;
Zhang Q.
;
Bruzzone S.
;
Fiori G.
会议名称:
《2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
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2015年
关键词:
graphene;
tunneling;
two-dimensional materials;
vertical transistors;
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