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首页> 外文期刊>Journal of Micromechanics and Microengineering >Method for measuring fracture toughness of wafer-bonded interfaces with high spatial resolution
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Method for measuring fracture toughness of wafer-bonded interfaces with high spatial resolution

机译：高空间分辨率的晶圆键合界面断裂韧性的测量方法

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A test method for adhesion quantification with high spatial resolution of bonded areas is presented. The method is based on a three-point bend chevron test and is applicable especially for small bonded structures. Using an ordinary surface profiler the method is suitable for determining the mode I fracture toughness, K-Ic, of bonded areas from 5 x 5 mu m(2) to 20 x 20 mu m(2) in size. The method is compared quantitatively to the double cantilever beam (DCB) test. Measurements show that the average K-Ic value determined using this method is in close accordance with K-Ic values measured using the DCB method but a larger spread is observed which may be dedicated to a real spatial variation of K-Ic shown by the higher spatial resolution of the presented method.
机译：提出了一种用于粘合区域的高空间分辨率的粘合定量测试方法。该方法基于三点弯曲V形试验，特别适用于小型粘结结构。使用普通的表面轮廓仪，该方法适用于确定尺寸从5 x 5μm（2）到20 x 20μm（2）的粘结区域的I型断裂韧性K-Ic。该方法与双悬臂梁（DCB）测试进行了定量比较。测量表明，使用此方法确定的平均K-Ic值与使用DCB方法测得的K-Ic值非常接近，但观察到较大的扩展，这可能专用于较高K-Ic的实际空间变化，所提出方法的空间分辨率。

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