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首页> 外文期刊>Physica, B. Condensed Matter >Growth of high-quality ZnO nanowires without a catalyst
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Growth of high-quality ZnO nanowires without a catalyst

机译：无催化剂生长高质量的ZnO纳米线

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In this study, an efficient method to achieve a wide range of high-quality zinc oxide (ZnO) nanostructures through zinc powder evaporation at lower temperatures is developed. ZnO nanowires could be synthesized on n-type silicon substrates by a simple thermal-evaporation technique without a catalyst at 550,600, and 650° C. Samples are annealed in wet oxygen and ambient argon gases. Surface morphology, crystallinity, and optical properties of the ZnO nanowires are examined by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and photoluminescence measurement. The optimum temperature for synthesizing high-density, long ZnO nanowires was determined as 650° C. The possible growth mechanism of ZnO nanowires is also proposed.
机译：在这项研究中，开发了一种通过在较低温度下蒸发锌粉来获得各种高质量氧化锌（ZnO）纳米结构的有效方法。 ZnO纳米线可通过简单的热蒸发技术在550,600和650°C且无催化剂的情况下通过简单的热蒸发技术在n型硅衬底上合成。将样品在湿氧和环境氩气中退火。 ZnO纳米线的表面形态，结晶度和光学性质通过扫描电子显微镜，X射线衍射和光致发光测量进行了检查。合成高密度长的ZnO纳米线的最佳温度确定为650°C。还提出了ZnO纳米线的可能生长机理。

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