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首页> 外文期刊>Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics >Preparation and thermoelectric properties of pseudogap intermetallic (Ti1-xVx)NiSi solid solutions
【24h】

Preparation and thermoelectric properties of pseudogap intermetallic (Ti1-xVx)NiSi solid solutions

机译：Pseudogap金属间质（Ti1-XVX）NISI固溶体的制备和热电性能

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We theoretically and experimentally investigated the thermoelectric (TE) properties of TiNiSi-based solid solutions with a pseudogap at the Fermi level in the electronic band structure. Calculation of the TE properties of TiNiSi predicted that electron doping of TiNiSi leads to a higher power factor than hole doping. According to this prediction, we prepared the partially V-substituted TiNiSi-based compounds (Ti1-xVx)NiSi (x = 0, 0.05, 0.10, 0.15, and 0.20) using arc-melting and subsequent spark plasma sintering. An increase in the V content x improved the n-type TE properties: the absolute values of the Seebeck coefficient and electrical conductivity both increased, while the thermal conductivity slightly decreased. The highest dimensionless figure-of-merit, zT, was 0.032 at 600 K, obtained for the x = 0.20 sample. (C) 2018 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：理论上和实验地研究了在电子频带结构中的FERMI水平的PSEUDOGAP的基于锡的固溶体的热电（TE）性质。 Tinisi的Te特性的计算预测，Tinisi的电子掺杂导致更高的功率因数而不是孔掺杂。 根据该预测，我们使用电弧熔化和随后的火花等离子体烧结制备了部分V取代的锡基化合物（Ti1-XVX）NISI（Ti1-XVX）NISI（X = 0,0.05,0.10,0.15和0.20）。 V含量X的增加改善了n型TE特性：塞贝克系数和电导率的绝对值增加，而导热率略微降低。 最高无量纲的优选ZT为0.032，在600 k下获得，得到X = 0.20样品。 （c）2018年elestvier b.v.保留所有权利。

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