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多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法

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摘要

一种多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法，使用激光刻蚀电池结构材料，采用连续两次刻蚀工艺，通过重复频率、焦距、加工速度等工艺参数的调整，可以精确控制每个刻槽的宽度和深度；通过对点胶工艺时点胶机移动速度和出胶电压、出胶频率的控制，使得聚酰亚胺胶填满第一刻槽，且不会大量溢出第一刻槽流入第二刻槽内；光刻工艺确定电极栅线位置时，在光学显微镜下可以使光刻板上显示的电极栅线图形与外延片上的刻槽精确对位。该方法避免了传统砷化镓组件采用多个单体电池通过金属互连片进行外部互联的方式，有效提高了组件布片率和加工效率，特别适合应用于高压太阳电池阵、高压激光电池等空间飞行器电源、地对空或空对空无线传能领域。

著录项

公开/公告号CN110098273B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10

原文格式PDF
申请/专利权人上海空间电源研究所;
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申请/专利号CN201910306580.X
发明设计人曹章轶;吴敏;周大勇;陈臻纯;马宁华;孙利杰;范晓望;王矽;徐建明;唐道远;蒋帅;焦小雨;
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申请日2019-04-17
分类号H01L31/0463(20140101);H01L31/0687(20120101);H01L31/0693(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构31107 上海航天局专利中心;
代理人余岢
地址 200245 上海市闵行区东川路2965号
入库时间 2022-08-23 12:17:08

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1. 多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法 [P] . 中国专利： CN110098273B . 2021.08.10
2. 多结砷化镓太阳电池单体集成内联组件的制备方法 [P] . 中国专利： CN110098273A . 2019-08-06
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