台积电
台积电的相关文献在2002年到2022年内共计420篇，主要集中在无线电电子学、电信技术、工业经济、自动化技术、计算机技术
等领域，其中期刊论文420篇、相关期刊138种，包括台声、海峡科技与产业、新材料产业等；
台积电的相关文献由107位作者贡献，包括陈钢、Arm、Jer6mieBouchaud等。
台积电
-研究学者
- 陈钢
- Arm
- Jer6mieBouchaud
- 中国电子商情编辑部
- 张忠谋
- 张文斌
- 成章瑜
- 方儒
- 梁文心
- 江逸之
- 白蓉生1
- 范贤奇
- 邓胜
- 黄同圳
- ANSYS
- Christian Gregor Dieseldorff
- KenproZ
- Peter Wu
- PeterWu
- Samuel K. Moore1
- 严沁
- 亚萍
- 党印
- 円星科技
- 卜文娟
- 占亚娥
- 卢玥光
- 台积电
- 叶茂青（编译）
- 吕启静
- 吴东生
- 唐煜
- 嘉楠耘智
- 天蔚
- 姚文娟
- 姚钢
- 孔龙
- 孙明华
- 孙永杰
- 宁华
- 安东尼·冯·阿格塔米尔
- 宋玮
- 寒锋饮血
- 崔岩
- 庆玲
- 廖榛
- 张国宝12
- 张平
- 张平(编译)
- 张敏
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摘要：
4月12日消息,中国台湾媒体《联合报》最新报道称,台积电3nm制程工艺近期取得重大突破,这项因开发技术限制而延误的工艺即将面世。台积电决定今年量产第二版3nm制程N3B,于今年8月份在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片。
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徐昌宇(编译)
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摘要：
台积电、英特尔和三星是目前全球半导体制造工艺的执牛耳者。从今年4月开始,他们都陆续公布了2022年及以后的技术发展路线,包括5nm、3nm、2nm以及采用的特色工艺情况。今天,我们就将这三家厂商在技术发展方面的内容予以整合,让读者能一窥半导体制造工艺未来的发展方向。
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摘要：
近日,业内最受关注的新闻,非三星计划在美国德克萨斯州奥斯汀建设一个价值100亿美元的晶圆厂莫属了。这被认为是其追赶台积电发展步伐的又一举措。实际上,三星在美国建新晶圆厂已经不是什么新闻了,该公司在这方面早有想法﹐特别是去年台积电宣布在美国亚利桑那州投资120亿美元新建5nm晶圆厂以后,三星希望在其美国原有晶圆厂的基础上,更上一层楼,不被台积电甩在远处。
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摘要：
台积电2020年中宣布,将在美国亚利桑纳州斥资120亿美元兴建5纳米制程晶圆厂,并预计2023年正式量产。此外,三星日前也宣布计划斥资100亿美元在美国德州奥斯汀兴建新晶圆厂,新晶圆厂打算以3纳米制程切入,力压台积电亚利桑纳州5纳米厂。市场人士分析,三星举动使3纳米制程的战争日趋激烈。对三星来势汹汹,台积电似乎胸有成竹,有机会能在3纳米制程的竞赛中立于不败之地。
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陈雯
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摘要：
供给严重不足自然使得生产链发生变化和特移,正是在这样的悄况下,台积也选择了投资扩产。台积电表示,扩产是:满足芯片结构性需求的增加,以及应对车用芯片短缺开始扩及全球芯片供应链的挑战,希望以最快的速度捉供28nm产能。
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李永兴(编译)
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摘要：
据预计,笼罩全球的芯片短缺可能会持续到2022年,而由于芯片短缺导致的停工停产在汽车行业时有发生。为了掌握半导体技术的控制权,各主要大国都将半导体行业的发展战略提上了日程。近来,围绕被称为"工业之米"的半导体领域,在欧洲、美国、中国、韩国、中国台湾地区、日本等地,扩充生产体制、增强供应链和强化新一代技术开发等方面的动向不断加速。背景在于,各国和各地区出于中美竞争激化的考虑,都想把堪称关系各国(地区)技术霸权竞争和保障经济安全的重要因素的半导体掌握在自己手中。
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杨倩
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摘要：
她认为要获得成功,就必须“找到世界上最棘手的问题,解决它们,这样才能掌握自己的命运,真正给世界带来改变”。中国芯片产业依然薄弱,但中国人在全球芯片产业界却一直都是牛人倍出。台积电的张忠谋、英伟达的黄仁勋……最近几年最惹人注目的新榜样,则是来自AMD的苏姿丰。
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摘要：
有市场消息传出,台积电正扩大采购买氮化镓相关半导体设备,6英寸厂内相关产能将翻倍。自去年开始就陆续有消息传出,台积电看好化合物半导体领域,将与国外大厂合作进军此领域,尤其是氮化镓晶圆。魏哲家当初表示,氮化镓拥有高效能、高电压等特性,适合用在高频半导体,而台积电在氮化镓制程技术上已有所进展,符合客户要求,看好未来氮化镓应用前景。
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摘要：
苹果和英特尔将率先采用台积电3纳米技术有消息称,苹果和英特尔正在测试台积电新一代制程技术,这两家美国企业将会成为最早采用台积电3纳米技术的客户,并很可能为计划于明年下半年推出的设备大规模生产这种芯片,预计将率先把该技术推向市场。
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中国电子商情编辑部
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摘要：
6月,台积电(TSMC)召开年度技术研讨会,介绍硅工艺技术和封装路线图的最新情况。本文回顾其硅工艺的亮点和未来发展计划。几年前,台积电定义了四个“平台”,这些平台将获得研发投资:高性能计算(HPC)、移动设备、边缘/IoT计算(超低功率/泄漏leakage)、汽车.
