离子植入

摘要： 国内首条抗菌玻璃生产线在榕投产据世界卫生组织1988年统计资料表明,全球每年死亡人数约为5200万,其中因微生物有关的疾病死亡人数约占33%。我们天天接触的物品上滋生着多种致病的微生物,尤其是我们天天触摸的手机屏幕上。多项研究表明,手机上的细菌比马桶还多。值得庆幸的是,科立视材料科技有限公司(以下简称"科立视")已

摘要： The electronic state density and energy bands of Ag-doped anatase TiO2 are studied by WIEN2k software package based on DFT. The calculation results show that the band-gap of anatase titania became bigger after doping with Ag metal ions. The band-gap transfers from 2.04 to 2.5 eV, but a new energy band appears among the forbidden band after the Ag atom substitution. The interband width of Ag-TiO2 is 0.17 eV, which is located at –0.07 eV; more excitation and jump routes are opened for the electrons. The lowest excitation energy can achieve 1.2 eV, which may allow the photons with lower energy （at longer wavelength, such as visible light） to be absorbed. Ag ions are implanted into the titania nanotube sample by MEVVA （Metal Vapor Vacuum Arc） implanter. The photo-electrochemical response and photo-degradation experiment of titania nanotube samples implanted with Ag ions are tested under UV and visible light; the results indicated that the performance of implanted titania naotubes is enhanced both under UV and visible light; it is worth mentioning that the photocurrent density can reach 0.145 mA/cm2 under visible light, which is 181 times higher than those of pure TiNT, and the k value of degradation methyl orange can obtain 0.30 h-1, which is 71 times higher than that of pure TiNT. All the experimental results are consistent well with the theoretic ones.

摘要： 在纳米尺度材料表征和加工中，高能离子束是其研究和制作技术的基础。具有特制光、磁和电特性的材料能够由离子植入纳米晶体合成来制备。聚焦离子束可以在纳米尺度上切削和积淀材料，而高能离子的散射是一种独特和定量的工具，用于高速电子器件的工艺过程开发，并且用于组织工程的三维纳米结构和在单晶上的纳米射流实验都可以应用质子束来实现。因此，在纳米科学技术中离子束正在发挥着越来越重要的作用。

摘要： 研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。

摘要： Isothermal and cyclic oxidizing behavior of Co-40Cr alloy and its lanthanum ion-implanted samples were studied at 1000 °C in the air by thermal-gravimetric analysis (TGA). Scanning electronic microscopy (SEM) and transmission electronic microscopy (TEM) were used to examine the morphology and structure of oxide film after oxidation. Secondary ion mass spectrum (SIMS) method was used to examine the binding energy change of chromium caused by La-doping and its influence on the formation of Cr2O3 film. Laser Raman spectrum was used to examine the stress changes within the oxide film. It was found that lanthanum implantation remarkably reduced isothermal oxidizing rate of Co-40Cr and improved anti-cracking and anti-spalling properties of Cr2O3 oxide film. The reasons for the improvement were mainly that the implanted lanthanum reduced the grain size and internal stress of Cr2O3 oxide and increased high temperature plasticity of the oxide film. Lanthanum mainly existed on the outer surface of Cr2O3 oxide film in the form of fine La2O3 and LaCrO3 spinel particles.

摘要： The mutant effects of a keV range nitrogen ion(N^+)beam on enzyme-producingprobiotics were studied,particularly with regard to the induction in the genome.The electronspin resonance(ESR)results showed that the signal of ESR spectrum existed in both implantedand non-implanted spores,and the yields of free radicals increased in a dose-dependent manner.The ionic etching and dilapidation of cell wall could be observed distinctly through the scanningelectron microscope(SEM).The mutagenic effect on genome indicated that N+ implantation couldmake base mutation.This study provided an insight into the roles low-energy ions might play ininducing mutagenesis of micro-organisms.

摘要： 正有个利好消息:眼下半导体行业从90nm技术向65nm 工艺的过度为晶圆加工设备制造商提供了大量的增长良机。随着过渡继续朝着三代新的技术(65nm,45nm和 32nm甚至更小)进行,加工工具和检测工具需求量日益增长。

摘要： 溅镀是重离子高剂量植入所面临的一项重大难题,因为这种方式限制了植入离子可达到的浓度峰值.为了提高植入离子的保留剂量,目标体可以覆盖一层薄的低溅镀量的牺牲层.在离子植入过程中,这种牺牲层在保护了目标材料的同时,自身却被缓慢腐蚀.金属氧化物因为具有低溅镀量特性,所以成为了牺牲层的首选.重点评估Al2O3在Pt离子植入Ni目标体过程中作为牺牲层的性能,同时研究试样离子束的混合和腐蚀特性.与Al相比,牺牲层材料Al2O3与Ni的混合度显著降低,Al与Al2O3混合度的差别来自两者热力学参数的不同.抗腐蚀特性的测量说明了植入Pt离子试样和无离子植入试样的实质区别,在以最低的剂量--(0.1～0.2)×1017Pt离子/cm2植入Pt后,试样的腐蚀速率是未植入离子试样的十分之一.然而随着Pt含量的增加,材料抗腐蚀能力将会降低.这是因为在高剂量的情况下,离子束混合使Ni被互化合物束缚,导致组成NiO钝化层的Ni元素的减少,从而使腐蚀速率增加.

摘要： 东京消息，日本东芝公司和半导体制造设备业者日本真空技术公司最近联合开发出制造电晶体基本部分的新离子植入设备，可使制造成本减半，将来可能改变半导体业的竞争环境。

摘要： 揭示一种离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。

摘要： 本发明提供一种基板处理系统、离子植入系统及束线离子植入系统。例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。

摘要： 本发明公布了一种电离室，应用于离子植入设备，所述电离室包括腔体、送气管及灯丝，所述送气管和所述灯丝位于所述腔体内，所述送气管弯折形成封闭的框体，所述灯丝收容于所述框体内，所述灯丝通电时产生热电子，所述送气管面对所述灯丝的一侧设有出气孔，所述出气孔用于输出离子源气体，所述离子源气体撞击所述热电子，以产生等离子体。本发明还公布了一种离子植入设备和离子植入方法。由于离子源气体与热电子的碰撞均匀，产生于腔体内各位置的等离子体浓度均匀，提高了离子植入效果，在提高等离子体浓度均匀性的过程中减少调节灯丝的电流频率，提高了灯丝的寿命，延长了设备维护周期，降低了显示设备生产成本。

摘要： 本文提供用于增加静电透镜的操作范围的方法。离子植入系统的静电透镜可从离子源接收离子束，静电透镜包括沿着离子束线的一侧设置的第一多个导电束光学器件及沿着离子束线的第二侧设置的第二多个导电束光学器件。离子植入系统还可包括与静电透镜连通的电源供应器，所述电源供应器可操作以向第一多个导电束光学器件及第二多个导电束光学器件中的至少一者供应电压及电流，其中电压及电流使离子束偏转束偏转角度，且其中离子束在静电透镜内被加速然后被减速。

摘要： 一种离子植入机以及监测离子植入机中离子束的方法，方法包括：提供离子植入机；将晶圆放置于所述第一面；在离子源发射离子束的过程中，晶圆托盘承载着晶圆在植入区域中沿第二方向移动并经过延展区，第二方向垂直于第一方向，第二面朝向离子源，盘中心轴垂直于第二方向，第一测温区的中心至第二测温区的中心的连线平行于第一方向；在离子源发射离子束的过程中，采用束流测试仪实时测试离子束的束流值；获取第一测温仪所测温度和第二测温仪所测温度之间的温差信息；根据所述束流值以及所述温差信息判断离子束的束流稳定性是否符合要求。所述方法监测离子束的束流稳定性的精度提高。

摘要： 本发明提供了一种离子植入机及离子植入系统，在绝缘侧壁朝向真空腔体一侧裸露面形成防粘涂层，由于防粘涂层与反应气体的附着力小于绝缘侧壁朝向真空腔体一侧表面与反应气体的附着力，进而能够降低真空腔体中反应气体附着于防粘涂层表面的几率，降低由于反应气体附着而导致导电基底和导电外壳之间电连通的情况，提高了离子植入机的使用寿命和性能。

摘要： 本发明涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机及离子植入方法，其中离子植入机包括：离子源结构，离子源结构所采用的离子源为电感耦合等离子体源；分析磁体，与离子源结构连接，能够接收离子源结构提供的植入离子束，并分离得到植入离子束；价态转换装置，与分析磁体连接，能够接收从分析磁体出射的植入离子束，并对植入离子束中离子的价态进行转化。本发明提供的离子植入机的离子源结构通过电感耦合等离子技术形成需要植入的等离子体。由于在离子源结构的整个工作过程中不需要金属器件参与，因此从源头减少了金属离子的产生。并且通过价态转换装置能够对植入离子束中的离子的价态进行转化，从而提高离子植入机的适用性。

摘要： 本发明涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机及离子植入方法，其中，离子植入机包括：离子源，用于射出离子束；磁场装置，接收从离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从磁场装置射出的离子束。并且，离子植入机还包括设置在磁场装置和工艺腔之间的金属离子吸收部件。本发明提供的离子植入机，通过设置金属离子吸收部件，将离子束中的金属离子分离并吸收，使得离子束中只包含需要掺杂的离子，减少晶圆表面形成金属沾污的概率，从而降低晶圆的暗电流并提高离子植入的良品率。

摘要： 一种离子植入方法及离子植入设备，所述离子植入方法包括：发射离子束，所述离子束覆盖的范围形成离子植入区；所述离子植入区内具有第一晶圆进行离子植入，所述离子植入区外具有第二晶圆作为待处理晶圆；当所述第一晶圆完成离子植入后，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程中，控制所述第二晶圆进入离子植入区作为第一晶圆进行离子植入。由于第一晶圆离开离子植入区的同时，第二晶圆进入离子植入区，使得相邻两片晶圆在离子植入区内的时间间隔可以很短，甚至做到无缝交替，从而使离子束始终能够作用于晶圆，对晶圆的表面进行离子植入，提升离子植入的效率。

摘要： 一种离子植入机及其载片回路和离子植入方法，所述载片回路包括：动力结构，用于为所述载片回路提供动力；传送结构，利用所述动力结构提供的动力带动多个托盘运动；所述多个托盘用于装载基片；所述传送结构以恒定的速率带动所述多个托盘运动；所述恒定的速率与预设离子植入速率相等。采用上述方案可以缩短离子植入工艺时间，减小能耗。