等离子体物理研究所

摘要： 近日,中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所托卡马克物理研究室研究员胡建生课题组“液态金属锂对无氧铜的腐蚀行为和机理研究”取得进展,相关研究成果由博士后孟献才以Corrosion characteristics of copper in static liquid lithium underhigh vacuum 为题发表于核材料领域期刊Journal ofNuclear Materials上。液态锂对聚变装置中相关结构材料和第一壁材料的腐蚀特性研究对液态锂在聚变装置中的应用和相关材料的选择具有重要意义。

摘要： 近日,中国科学院等离子体物理研究所举办建所40周年纪念大会,太钢作为热核聚变不锈钢材料的主要供应商,应邀参会。中国科学院等离子体物理研究所长期致力于高温等离子体物理、磁约束核聚变工程技术及相关技术研究,先后建成并运行一系列托卡马克聚变实验装置和中国著名的“人造太阳”——东方超环(EAST),是我国参与国际热核聚变实验反应堆(ITER)计划的主要依托单位,并牵头推动中国聚变工程实验反应堆(CFETR)项目,已成为全球具有重要影响的热核聚变研究基地。

摘要： 近日,由中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所承担研制的国际热核聚变实验堆计划首个大型超导磁体线圈——极向场6号线圈竣工交付,将通过海运方式运送至法国国际热核聚变实验堆现场。极向场6号线圈位于国际热核聚变实验堆超导磁体的底部,是必须首个安装到位的重要大部件,由9个绕制成双饼结构的线圈本体及一系列支撑附件组成,总质量达400t,相当于两架波音747飞机的质量。

摘要： 11月12日从合肥科学岛等离子体物理研究所获悉,中国“人造小太阳”——EAST装置经过4个多月的物理实验,实现电子温度1亿摄氏度等离子体运行,实现高约束、高密度、高比压的完全非感应先进稳态运行模式。这一实验成果朝着未来聚变堆实验运行迈出了关键一步。

摘要： 中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所的研究人员在EAST（全超导托卡马克实验装置）上利用三维旋转磁扰动场控制偏滤器靶板热负荷研究方面取得了突破性进展,并通过与美国通用原子能公司合作,将该项研究成果在美国DIII-D装置上进一步拓展用于旋转加混合扰动模式的磁扰动场研究.

摘要： 近日，中国科学院合肥物质科学研究院技术生物与农业工程研究所黄青课题组、等离子体物理研究所王奇课题组合作，利用低温等离子体处理氧化石墨烯，发现处理后的氧化石墨烯的灭菌能力显著提高。石墨烯作为一种新型二维碳材料，在多个生物医学领域都显示出巨大应用前景。

摘要： 近日，中国科学院合肥物质科学研究院技术生物与农业工程研究所黄青课题组、等离子体物理研究所王奇课题组合作，利用低温等离子体处理氧化石墨烯，发现处理后的氧化石墨烯的灭菌能力显著提高。

摘要： 从中科院合肥物质科学研究院了解到,我国专家成功研制出一种柔性全固态超级电容器,这种具有高性能杂原子掺杂石墨烯基纳米结构的超级电容器首次实现了可规模化制造的突破。该科研项目由中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所博士王奇课题组和南京师范大学教授韩敏课题组合作完成,部分研究成果已在线发表于国际知名材料学期刊《Small》上。随着柔性可穿戴电子产品的需求快速增长,发展柔性的能量储存装置显得迫切,其关键在于设计开发出兼具优异储能和机械性质的电极材料。

摘要： 3月16日从中科院获悉，近日，中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所博士王奇和南京师范大学教授韩敏课题组合作，在高性能杂原子掺杂石墨烯基纳米结构的规模化制备及其在柔性全固态超级电容器应用方面取得新进展。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率。将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。

摘要： 本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。