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耐高压

耐高压的相关文献在1985年到2023年内共计3553篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、化学工业、机械、仪表工业 等领域,其中期刊论文146篇、会议论文2篇、专利文献242298篇;相关期刊126种,包括农业机械学报、机械设计与制造、机电元件等; 相关会议2种,包括第17届全国复合材料学术会议、第八次渤海湾浅(滩)海油气勘探开发工程技术研讨会等;耐高压的相关文献由6838位作者贡献,包括孟彬、丁凡、不公告发明人等。

耐高压—发文量

期刊论文>

论文:146 占比:0.06%

会议论文>

论文:2 占比:0.00%

专利文献>

论文:242298 占比:99.94%

总计:242446篇

耐高压—发文趋势图

耐高压

-研究学者

  • 孟彬
  • 丁凡
  • 不公告发明人
  • 宋章根
  • 李其朋
  • 阮健
  • 张敏
  • 吴亚红
  • 徐伟斌
  • 汤晓楠
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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年份

作者

    • 江圳; 徐科军; 马杰; 张伦; 徐浩然
    • 摘要: 为克服气体涡轮流量计存在压损和需定期校准的缺点,研制了耐高压低功耗单声道气体超声波流量计。针对换能器因阻抗不匹配造成的回波信号质量差的问题,分析了回波信号的特征,提出了动态可变阈值和过零检测的数字信号处理方法。该方法可精准定位回波信号特征点。研制了以STM32为核心的低功耗气体超声波流量变送器。变送器采用了新的激励方式,既能防止MOSFET电路的两路输出同时导通,又节省激励功耗;采用脉冲累计发送和最优脉冲分频相结合的方式,减小脉冲上传误差。气体流量标定实验结果表明:研制的低功耗单声道气体超声波流量计满足1级精度指标的要求,量程比为121。
    • 宁迪
    • 摘要: 近日,中国石油首个高性能非金属管材研发平台在宝鸡钢管公司正式建成,这将为油气勘探开发对高性能非金属管材的研发提供强力支撑。据了解,新型非金属管材具有耐高压、抗腐蚀的特性,同时具备重量轻、敷设便捷、综合成本低等优点。但由于国内在高性能非金属管材材料技术、管材制备技术、检测评价研究能力以及应用评价体系方面的缺乏,无法涉及输油、输气、井下油气开采、海洋等环境下对抗渗透、耐溶胀、耐高温、耐高压以及多通道、智能化等要求。因此,我国亟需加大这些方面的技术创新和新产品开发应用。
    • 王素粉
    • 摘要: 耐高压观察窗是深海装置的重要组成单元,受到海水液力和高压的作用,容易发生疲劳损伤,进而影响装置的使用寿命。基于锥台式耐高压观察窗的结构特点,对观察窗的疲劳载荷和所受的液动力进行分析;基于观察窗载荷谱和有机玻璃的S-N曲线,进行有限单元法建模仿真分析,并根据Miner线性累积损伤理论公式,分析观察窗的疲劳损伤,获得使用寿命;搭建观察窗压力试验装置,获得观察窗压力载荷作用下的轴向位移,根据蠕变损伤模型,对疲劳寿命进行分析,获得观察窗的使用寿命。结果可知:有限单元法获得观察窗的使用寿命为21359 Circle;试验分析获得观察窗的使用寿命为21326 Circle;两种方法获得的分析结果误差在1.5%,可认为二者基本一致,表明模型仿真的可靠性和准确性;为此类研究提供重要参考。
    • 水原德健
    • 摘要: 与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外,SiC让设计人员能够减少元器件的使用,从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗,从而有助于设计出能够减少CO_(2)排放量的环保型产品和系统。
    • 朱兆旻; 何艳梅; 程宪宝
    • 摘要: 对全芯片的静电释放(ESD)防护进行了设计与研究,提出了一种新的耐高压增强型箝位ESD芯片保护电路。该ESD保护电路由2个电阻、2个电容和3个MOS管组成,包含1个静电检测模块。仿真结果显示,此电路能完美实现ESD保护作用,可以承受5 kV的瞬时高压。
    • 智颖
    • 摘要: 电感组件在短波通信领域内有着广泛的使用,功率越大,电感组件承受的温度越高、电压越高,因此在大功率通信设备中,如何实现电感组件的电感值稳定、耐高温、耐高压,确保性能可靠,就成为非常重要的研究课题。本设计介绍一种应用于短波通信领域,大功率通信设备中电感组件的设计方法。将不同材料的优点结合起来,通过一种新颖的结构形式,使得这种电感组件,电感值稳定、性能可靠、结构新颖、装配方便,同时满足耐高温、耐高压的要求。
    • 摘要: 日前,美国相关部门宣布对中国禁止出售四种产品,都是针对中国芯片业,其中禁止对中国出口金刚石,这令人好笑,因为金刚石就是钻石的原材料。金刚石就是通常人们理解的钻石,金刚石(diamond)是自然界中天然存在的最坚硬的物质,本质是碳。钻石与芯片行业有啥关系呢?据悉,金刚石拥有耐高压、大射频、耐高温等特性,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料,用其作为半导体芯片衬底,有望完全解决散热问题,并利用金刚石的多项超级优秀的物理化学性能。
    • 文成; 汪洋
    • 摘要: 本文提出了一种带有动态缓冲器的宽电源范围低压差线性稳压器(LDO)。该LDO使用0.18μm BCD工艺成功流片并测试,总面积为850μm×1090μm。耐高压的LDMOS用于承受每条路径上的大部分电压,以满足宽电源范围的要求。缓冲器中使用动态电流偏置来降低其输出电阻,从而将传输器件栅极处的极点推至高频,并且不会耗散大的静态电流。本文的LDO在空载情况下消耗16μA静态电流,能在5.5V-40V的宽电源范围内正常工作,典型输出电压为5V,并且在5.5V供电,低压差的情况下能提供70mA负载电流。
    • 达摩院
    • 摘要: 趙势一:以氮化稼、碳化硅为代表的第三代半导体迎来应用大爆发以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体,具备利高温、耐高压、高频事、大功事。抗辐射等优异特性,但受工艺、成本等因素限制,多年来仅限于小范围应用。
    • 王韬; 万江; 张万里
    • 摘要: 该文面向基于MEMS技术的SOI压力传感器高压失效问题,以SAW器件为对象开展研究,分别对压力传感器的背腔与正面进行加压,测试两种加压方式下SOI压力传感器的极限耐压值.利用测得的极限耐压值对器件内部应力进行有限元仿真,分析器件耐压失效时的内部最大应力.实验与仿真结果表明,当从背腔加压时,器件失效时的内部应力低于预期值.使用有限元方法进行仿真,验证刻蚀槽的底部的楔形结构导致器件背腔根部侧二氧化硅的切应力集中,导致二氧化硅层与器件硅层的脱落,进而造成器件耐压提前失效的猜想.当器件内部最大应力达到410 MPa附近时,将会导致器件破裂失效的发生.
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