功率电子器件

摘要： 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感L_(g)、提高电阻R_(g)抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。

摘要： 随着航天器不断向智能化和大容量方向发展,基于继电器的传统供配电控制方式已无法满足航天器对供配电系统配置管理、故障检测与诊断以及可靠性的要求,采用固态功率控制技术成为当前发展的趋势。固态功率控制器是一种由固态功率器件和智能控制电路组成的无触点开关,主要利用功率电子器件实现开关特性,集继电器的转换功能和断路器的电路保护功能于一体,一般具有过载保护和状态检测功能。通过对固态功率控制器工作原理和主要关键技术的研究,分析了航天器固态功率控制技术在高可靠、小尺寸和高智能化程度方面的优势,并对固态功率控制技术的未来发展方向进行了展望。

摘要： 制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升高时,电致发光的强度增加.电致发光光谱随偏压及温度的演变过程,揭示了 p-GaN栅结构中电子和空穴的非对称性注入过程,以及Ni/p-GaN界面处的热致空穴注入增强效应.研究有助于理解和提高p-GaN栅功率器件的稳定性和可靠性.

摘要： 出于降低CO_(2)和颗粒排放的要求,电动力总成模块的应用日益广泛。在该情况下,博格华纳公司对功率电子器件、变速器和电机等产品进行了技术改良,以便为用户提供性能优越的零部件和系统。同时,博格华纳公司开发出了1个功能全面的电动力总成平台,以满足用户的需求。

摘要： 出于降低CO2和颗粒排放的要求,电动力总成模块的应用日益广泛.在该情况下,博格华纳公司对功率电子器件、变速器和电机等产品进行了技术改良,以便为用户提供性能优越的零部件和系统.同时,博格华纳公司开发出了1个功能全面的电动力总成平台,以满足用户的需求.

摘要： 在Audi公司首次自行开发车桥电驱动装置时,Audi采取了新的途径,将通用化程度较高的电动机、功率电子器件和车桥变速器作为可分级的车桥驱动模块的基础.这种新型的驱动装置平台为每个车桥采用自给自足的电驱动装置,使Audi四轮驱动成为全新的结构型式.

摘要： GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势,适合应用于新型高效、大功率等的电力电子系统.国内关于GaN基功率电子器件的研究已经取得了较为明显的进展,但与发达国家相比仍有一定的差距.为此,《电源学报》特别推出了"GaN基功率电子器件及其应用"专辑,基本涵盖GaN功率电子器件及其应用研究的热点问题,展示了不同研究机构和企业在该领域的研发现状,具有良好的学术研究和应用参考价值.

摘要： 在Audi公司首次自行开发车桥电驱动装置时,Audi采取了新的途径,将通用化程度较高的电动机、功率电子器件和车桥变速器作为可分级的车桥驱动模块的基础。这种新型的驱动装置平台为每个车桥采用自给自足的电驱动装置,使Audi四轮驱动成为全新的结构型式。

摘要： 针对介质对电容器容值、电压及能量密度的影响,设计了一种基于 Al2O3和 HfO2介质的同质单层和异质层叠三维 MIM电容器,采用原子层沉积技术制备了介质薄膜,利用SEM、XPS和半导体分析仪等测试手段,重点研究不同介质薄膜特性及对 MIM电容器的影响.结果表明:原子层沉积的电容器介质薄膜均具有稳定的介电特性,通过比较发现,Al2O3/HfO2/Al2O3结构中,HfO2两端的Al2O3薄膜对HfO2层起到了对载流子带隙隔离和抑制直接隧穿的作用,相比同质单层结构,异质层叠结构降低了电容器漏电流,提升其能量密度达 50%以上.%In order to find out the effect of the dielectric of a capacitor on its capacitance,voltage and en-ergy density,homogeneous single-layer and heterogeneous laminated 3D MIM capacitors based on Al2O3 and HfO2dielectrics were designed.These dielectrics were prepared by atomic layer deposition (ALD) technology.Then,the characteristics and effect of various dielectrics on the capacitors were investigated using Scan Electronic Microscope,X-ray Photoelectron Spectroscopy,and semiconductor analyzer,re-spectively.The results indicate that these dielectric thin films fabricated by ALD have stable dielectric characteristics.By comparison,it is found that the Al2O3thin film,located at the top and the bottom of HfO2in Al2O3/HfO2/Al2O3layers,block some carriers through HfO2layer by a barrier role and sup-press direct tunneling of this layer.Finally,the capacitor with hetero-laminate dielectric layers can ob-tain lower leakage current and higher increasement of energy density over 50% than the ones with homo-single one.

摘要： 本文主要介绍了电动汽车电动控制系统、车载空调控制系统、充电系统中常用的功率器件种类、应用电路、参数要求,分析了电动车用功率器件的可靠性要求及失效模式(过流烧毁、过热烧毁、机械振动损坏、高低温循环损坏以及功率循环引起键合线失效)，并进一步探讨了电动汽车功率器件的发展趋势：新材料、新器件；智能化、集成化；封装技术的提升。

摘要： GaN材料以其在高击穿场强、高电子饱和漂移速度等方面的优越特性,已成为新一代功率电子器件研究中的核心材料.其中,平面结构常关型HEMT器件和垂直结构MOS器件是目前GaN基功率器件实现应用的主要技术路线,而在这些器件的制备过程中刻蚀工艺都是必要的步骤,所以刻蚀工艺成为GaN基功率器件制备的重要环节.本篇工作中，首先在GaN材料表面选区进行了工CP刻蚀，进而使用包括四甲基氢氧化钱(TMAH)溶液、H2O2+H2SO4混合溶液、氧等离子体与HCl溶液结合处理等方法对刻蚀表面的损伤进行修复，所得到的GaN材料表面形貌如图1所示，损伤修复条件及对应修复后的材料表面粗糙度(RMS)。为了进一步研究表面修复方法对于器件电学性能的影响，本篇工作基于选区刻蚀的GaN材料表面制备了肖特基二极管。通过二极管I-V特性研究发现，使用TMAH溶液处理，以及使用氧等离子体与稀盐酸溶液结合处理的修复方法得到的器件漏电流更低，比未刻蚀样品对应的器件漏电还要低1-2个数量级，同时器件电学性能也具有更好的均匀性，说明这两种方法可以有效的修复GaN表面刻蚀损伤。进一步的，基于以上两种修复方法处理后制备的肖特基二极管在CV测试中也表现出更小的频散。这说明器件具有更低的界面态密度(图4)。为了进一步研究肖特基二极管的反向漏电机制，我们通过分析器件漏电与肖特基电极尺寸的关系，发现器件反向漏电与肖特基电极的面积近似成线性关系(图5)，这说明器件漏电主要来自于肖特基电极接触界面处的漏电而非电极边缘处GaN材料的表面漏电，也验证了TMAH溶液处理、氧等离子体+HCl溶液处理两种方法对GaN材料刻蚀表面较好的修复效果。

摘要： 对电动车电驱动技术研究现状和发展趋势进行了综合评述,对各种电动车电驱动系统技术进行了比较,讨论了电动车电驱动系统技术未来的发展趋势.

摘要： 对电动车电驱动技术研究现状和发展趋势进行了综合评述,对各种电动车电驱动系统技术进行了比较,讨论了电动车电驱动系统技术未来的发展趋势.

摘要： 对电动车电驱动技术研究现状和发展趋势进行了综合评述,对各种电动车电驱动系统技术进行了比较,讨论了电动车电驱动系统技术未来的发展趋势.

摘要： 对电动车电驱动技术研究现状和发展趋势进行了综合评述,对各种电动车电驱动系统技术进行了比较,讨论了电动车电驱动系统技术未来的发展趋势.

摘要： 对电动车电驱动技术研究现状和发展趋势进行了综合评述,对各种电动车电驱动系统技术进行了比较,讨论了电动车电驱动系统技术未来的发展趋势.

摘要： 根据功率MOSFET的特性及其应用环境的特点，介绍了一种高速驱动电路，通过对半桥功率电路工作过程特别是电流续流过程的分析，找到了功率MOSFET失败的原因，给出了一种综合的保护方法。

摘要： 根据功率MOSFET的特性及其应用环境的特点，介绍了一种高速驱动电路，通过对半桥功率电路工作过程特别是电流续流过程的分析，找到了功率MOSFET失败的原因，给出了一种综合的保护方法。

摘要： 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，具有以下步骤：A)提供生长衬底，带有设置于其上的半导体层用于产生工作中的有源区，B)施加分离结构在半导体层上，C)施加多个铜层在半导体层上的通过分离结构形成边界的区域中，D)去除分离结构，E)将保护层至少施加在铜层的横向表面上，F)在铜层上施加辅助衬底，G)去除生长衬底，H)将由半导体层、铜层和辅助衬底构成的复合结构分割为彼此分离的器件，以及一种借助这种方法制造的器件和器件布置。

摘要： 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。

摘要： 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

摘要： 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。

摘要： 提供了一种用于有机光电子器件的化合物、用于有机光电子器件的组合物、有机光电子器件及显示器件，所述化合物由化学式1表示，所述组合物包含所述化合物。化学式1的细节如说明书中所限定。

摘要： 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。

摘要： 本发明涉及一种用于封装车辆的功率电子器件(102)的壳体(100)，其中，壳体(100)具有由塑料材料制成的槽(104)和由导热的金属材料制成的散热体(110)，其中，散热体(110)具有布置在槽(104)的内侧上的靠内部分(112)和布置在槽(104)的外侧上的靠外部分(114)，并且在靠内部分(112)与靠外部分(114)之间布置有至少一个佩尔捷元件(118)。

摘要： 本公开的实施例涉及用于分立电子器件和功率电子器件的连接条带。本公开涉及一种方法，其中由随机数生成器生成的随机值由通过第一专用总线耦合到该生成器的有限状态机存储在集成电路的非易失性熔丝型存储器的存储器区域中，该存储器区域仅可由有限状态机访问。

摘要： 本发明涉及一种功率模块(11)，其具有第一功率电子器件(31)和第二功率电子器件(32)。此外，本发明还涉及一种功率电子电路，在功率电子电路中使用这种功率模块。根据本发明规定，电子器件(31、32)可以预安装在基板(12、13)上，从而相应形成芯片陶瓷复合件。可以为了制造功率模块以简单的方式堆叠相应的芯片陶瓷复合件，由此，模块化的结构和有利地节约空间的布置是可能的。此外，大比例的相同部件使得模块化构建的功率电子电路的设计便宜。