• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on Challenges in Process Integration and Device Technology 18-19 September 2000 Santa Clara, USA >Modeling of the Removal ratein chemical mechanical polishing
【24h】

Modeling of the Removal ratein chemical mechanical polishing

机译：化学机械抛光中去除速率的建模

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

A new model for the rate of material removal in chemical mechanical polishing (CMP) has been developed. It is, for the first time, demonstrated that there is a critical pressure resulted from the interaction between the slurry and the pad. The critical pressure can either be positive upward exerted on the wafer or negative downward sucking on the wafer. Moreover, the critical pressure is shown to depend on the relative velocity between the wafer and the pad, the viscosity of the slurry and the pad surface. The removal rate at zero applied load can be significant in the case of a negative downward critical pressure. On the other hand, in the case of a positive upward critical pressure, the CMP removal will not occur until the applied load becomes larger than the critical one.
机译：已经开发出一种用于化学机械抛光（CMP）中材料去除速率的新模型。这是第一次证明了浆液和垫板之间的相互作用会产生临界压力。临界压力可以是向上施加在晶片上的正压力，也可以是向下抽吸在晶片上的负压力。而且，临界压力显示为取决于晶片和垫之间的相对速度，浆料的粘度和垫表面。在负的向下临界压力的情况下，施加零载荷时的去除率可能很大。另一方面，在正的向上临界压力的情况下，直到施加的负载变得大于临界压力之前，才会发生CMP去除。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号