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首页> 外文会议>Conference on Optical Microlithography XV Pt.2, Mar 5-8, 2002, Santa Clara, USA >High NA ArF Lithography for 70nm Technologies
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High NA ArF Lithography for 70nm Technologies

机译：适用于70nm技术的高NA ArF光刻

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Complementary phase shift mask (c:PSM) is one of the most promising resolution enhancement techniques (RET) to extend low k_1 optical lithography. Nonetheless binary intensity mask (BIM) imaged with 193 nm wavelength at high numerical aperture (0.75) off-axis illumination (OAI) might still be used for nested through isolated feature sizes as small as 70 nm. We compare the feasibility of using c:PSM and BIM for 70nm generation technologies. Experimental results of high NA imaged BIM and c:PSM are presented.
机译：互补相移掩模（c：PSM）是扩展低k_1光学光刻技术最有希望的分辨率增强技术（RET）之一。尽管如此，在高数值孔径（0.75）轴外照明（OAI）下以193 nm波长成像的二进制强度掩模（BIM）仍可用于嵌套的小到70 nm的孤立特征。我们比较了将c：PSM和BIM用于70nm一代技术的可行性。提出了高NA成像的BIM和c：PSM的实验结果。

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