• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on spectroscopic characterization techniques for semiconductor technology >Electromodulation of semiconductors and semiconductor microstructures utilizing a new contactless technique
【24h】

Electromodulation of semiconductors and semiconductor microstructures utilizing a new contactless technique

机译：利用新型非接触式技术的半导体和半导体微结构的电拍

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We present results of a new contactless mode of electroreflectance (ER) which utilizes a condenser-like system. One electrode consists of a transparent conductive coating on a transparent substrate which is separated from the sample surface by a thin layer of air. We have measured the contactless ER (CER) spectra from a number of materials including semi-insulating bulk GaAs; epitaxial In$-0.15$/Ga$-0.85$/As; bulk Hg$-0.8$/Cd$-0.2$/Te (80 K and 300 K), a GaAs structure with a large, uniform electric field; and a GaAs/Ga$-1$MIN@x$/Al$-x$/As (x $APEQ 0.2) coupled double quantum well. Some measurements were performed up to 500 K. The phase of the CER signal yields information about the nature of the band bending at the surface of bulk or epitaxial material. The relative merits of CER and photoreflectance are discussed.
机译：我们呈现了利用电容器样系统的新的非接触式电气反射模式的结果。一个电极由透明基板上的透明导电涂层组成，透明基板通过薄的空气层与样品表面分离。我们已经测量了来自多种材料的非接触式ER（CER）光谱，包括半绝缘散装GaAs;在$ -0.15 $ / ga $ -0.85 $ / are; Bulk Hg $ -0.8 $ / CD $ -0.2 $ / te（80 k和300 k），GAAs结构具有大，均匀的电场;和GaAs / Ga $ -1 $ min @ x $ / al $ -x $ / as（x $ apeq 0.2）耦合双量子。多于500k的一些测量值。CER信号的相位产生关于在散装或外延材料表面处弯曲的带弯曲的性质的信息。讨论了Cer和光反射的相对优点。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号