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首页> 外文会议>Spectroscopic Characterization Techniques for Semiconductor Technology IV >Electromodulation of semiconductors and semiconductor microstructures utilizing a new contactless technique
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Electromodulation of semiconductors and semiconductor microstructures utilizing a new contactless technique

机译：利用新的非接触技术对半导体和半导体微结构进行电调制

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摘要

Abstract: We present results of a new contactless mode of electroreflectance (ER) which utilizes a condenser-like system. One electrode consists of a transparent conductive coating on a transparent substrate which is separated from the sample surface by a thin layer of air. We have measured the contactless ER (CER) spectra from a number of materials including semi-insulating bulk GaAs; epitaxial In$-0.15$/Ga$-0.85$/As; bulk Hg$-0.8$/Cd$-0.2$/Te (80 K and 300 K), a GaAs structure with a large, uniform electric field; and a GaAs/Ga$-1$MIN@x$/Al$-x$/As (x $APEQ 0.2) coupled double quantum well. Some measurements were performed up to 500 K. The phase of the CER signal yields information about the nature of the band bending at the surface of bulk or epitaxial material. The relative merits of CER and photoreflectance are discussed. !22
机译：摘要：我们提出了一种新的非接触电反射（ER）模式的结果，该模式利用了类似电容器的系统。一个电极由透明基板上的透明导电涂层组成，该透明导电涂层通过空气薄层与样品表面隔开。我们已经从包括半绝缘体GaAs在内的多种材料中测量了非接触ER（CER）光谱。外延In $ -0.15 $ / Ga $ -0.85 $ / As;体汞（-0.8 $ /镉--0.2）/ Te（80 K和300 K），一种具有大而均匀电场的GaAs结构; GaAs / Ga $ -1 $ MIN @ x $ / Al $ -x $ / As（x $ APEQ 0.2）耦合双量子阱。在高达500 K的频率下进行了一些测量。CER信号的相位产生有关块体或外延材料表面的带弯曲性质的信息。讨论了CER和光反射的相对优点。 ！22

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