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Single-Step CMOS Compatible Fabrication of High Aspect Ratio Microchannels Embedded in Silicon

机译：嵌入硅中的高纵横比微通道的单步CMOS兼容制造

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This paper presents a new method for the CMOS compatible fabrication of microchannels integrated into a silicon substrate. In a single-step DRIE process (Deep Reactive Ion Etching) a network of microchannels with High Aspect Ratio (HAR) up to 10, can be etched in a silicon substrate through a mesh mask. In the same single etching step, multidimensional microchannels with various dimensions (width, length, and depth) can be obtained by tuning the process and design parameters. These fully embedded structures enable further wafer processing and integration of electronic components like sensors and actuators in wafers with microchannels.
机译：本文提出了一种集成到硅基板中的微通道的CMOS兼容制造新方法。在单步DRIE工艺（深度反应离子刻蚀）中，可以通过网格掩模在硅基板上刻蚀具有高达10的高长宽比（HAR）的微通道网络。在同一单个蚀刻步骤中，可以通过调整工艺和设计参数来获得具有各种尺寸（宽度，长度和深度）的多维微通道。这些完全嵌入式的结构可进一步对晶圆进行处理，并在具有微通道的晶圆中集成电子组件（如传感器和致动器）。

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