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Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998
Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998
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1.
W and W/WSi/In_(1-x)Al_xN ohmic contacts to n-type GaN
机译:
W和W / WSi / In_(1-x)Al_xN欧姆接触到n型GaN
作者:
A.Zeitouny
;
M.Eizenberg
;
S.J.Pearton
;
F.Ren
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
InAlN;
InN;
Ohmic contacts;
2.
Ultrafast physics in nitrides
机译:
氮化物中的超快物理学
作者:
M.R.Hofmann
;
R.Zimmermann
;
D.Hagele
;
M.Oestreich
;
W.W.Ruhle
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Excitonic resonances;
Ultrafast;
Photoluminescence;
3.
Time-resolved laser spectroscopy of nitride semiconductors
机译:
氮化物半导体的时间分辨激光光谱
作者:
Frederick H.Long
;
Milan Pophristic
;
Chunong Tran
;
Robert F.Kalicek Jr.
;
Zhe Chuan Feng
;
Ian Ferguson
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Gallium nitride;
Indium nitride;
Multiple quantum wells;
Time-resolved spectroscopy;
Light-emitting-diodes (LEDs);
4.
Theoretical LEED parameters for the zinc-blende GaN (110) surface
机译:
掺锌GaN(110)表面的理论LEED参数
作者:
H.W.Leite Alves
;
J.L.A.Alves
;
J.L.F.da Silva
;
J.R.Leite
;
R.A.Nogueira
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Gallium nitride;
LAPW method;
Surfaces;
Atomic structure;
Slab supercell model;
5.
Theoretical optical gain in InGan quantum wells
机译:
InGan量子阱中的理论光学增益
作者:
Takeshi Uenoyama
;
Masakazu Suzuki
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Quantum wells;
Fluctuation;
Optical gain;
6.
Tertiarybutylhydrazine: a new precursor for the MOVPE of group III-nitrides
机译:
叔丁基肼:III族氮化物MOVPE的新前体
作者:
U.W.Pohl
;
C.Moller
;
K.Knorr
;
W.Richter
;
J.Gottfriedsen
;
H.Schumann
;
K.Rademann
;
A.Fielicke
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
MOVPE;
Tertiarybutylhydrazine;
7.
The influence of MOCVD process scheme on the optical properties of GaN layers
机译:
MOCVD工艺方案对GaN层光学性能的影响
作者:
M.Ciorga
;
L.Bryja
;
J.Misiewicz
;
R.Paszkiewicz
;
R.Korbutowicz
;
M.Panek
;
B.Paszkiewicz
;
M.Tlaczala
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN compounds;
MOCVD growth technology;
Photoluminescence (PL);
Yellow emission;
8.
Sub-bandgap optical absorption of MOVPE-GaN grown under controlled nucleation
机译:
在受控成核下生长的MOVPE-GaN的亚带隙光吸收
作者:
P.de Mierry
;
H.Lahreche
;
S.Haffouz
;
P.Vennegues
;
B.Beaumont
;
F.Omnes
;
P.Gibart
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
III-nitrides;
Optical absorption;
9.
Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy and hydride vapor phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延和氢化物气相外延对GaN的选择性区域生长和外延横向过生长
作者:
Kazumasa Hiramatsu
;
Hidetada Matsushima
;
Takumi Shibata
;
Yasutoshi Kawagachi
;
Nobuhiko Sawaki
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
Metalorganic vapor phase epitaxy;
Hydride vapor phase epitaxy;
Selective area growth;
Epitaxial lateral overgrowth;
Growth pit density;
10.
Pulsed laser deposition of GaN thin films
机译:
GaN薄膜的脉冲激光沉积
作者:
M.Cazzanelli
;
D.Cole
;
J.Versluijs
;
J.F.Donegan
;
J.G.Lunney
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Pulsed-laser deposition;
Thin film;
Semiconductors;
11.
Propeties of cubic (In, Ga)N grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长立方(In,Ga)N的性质
作者:
Oliver Brandt
;
Jochen R.Mullhauser
;
Achim Trampert
;
Klaus H.Ploog
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Spectroscopy;
Molecular beam epitaxy;
Photoluminescence;
12.
Raman spectroscopy of disorder effects in Al_xGa_(1-x)N solid solutions
机译:
Al_xGa_(1-x)N固溶体中无序效应的拉曼光谱
作者:
Valery Y.Davydov
;
Igor N.Goncharuk
;
Marina V.Baidakova
;
Alexander N.Smirnov
;
Arsen V.Subashiev
;
Jochen Aderhold
;
Jens Stemmer
;
Thomas Rotter
;
Dirk Uffmann
;
Olga Semchinova
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Disordered systems;
Inelastic light scattering;
Phonons;
Semiconductors;
13.
Optical properties of InGaN quantum wells
机译:
InGaN量子阱的光学性质
作者:
S.F.Chichibu
;
A.C.Abare
;
M.P.Mack
;
M.S.Minsky
;
T.Deguchi
;
D.Cohen
;
P.Kozodoy
;
S.B.Fleischer
;
S.Keller
;
J.S.Speak
;
J.E.Bowers
;
E.Hu
;
U.K.Mishra
;
L.A.Coldren
;
S.P.DenBaars
;
K.Wada
;
T.Sota
;
S.Nakamura
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
In-plane carrier localization;
Effective bandgap inhomogeneity;
Piezoelectricity;
Quantum confined Stark effect;
Coulomb screening;
Confinement;
14.
Optical properties of cubic GaN grown on SiC/Si substrates
机译:
在SiC / Si衬底上生长的立方氮化镓的光学性质
作者:
A.Philippe
;
C.Bru-Chevallier
;
M.Vernay
;
G.Guillot
;
J.Hubner
;
B.Daudin
;
G.Feuillet
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Cubic GaN;
SiC/Si substrates;
Photoluminescence;
Photoreflectance;
15.
Optical anisotropy in GaN grown onto a-plane sapphire
机译:
生长在a面蓝宝石上的GaN中的光学各向异性
作者:
Andenet Alemu
;
Michel Julier
;
Javier Campo
;
Bernard Gil
;
Denis Scalbert
;
Jean-Paul Lascaray
;
Shuji Nakamura
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
Uniaxial strain;
Excitons;
Exchange interaction;
Reflectivity;
16.
Novel plasma chemistries for highly selective dry etching of In_xGaN_(1-x):BI_3 and BBr_3
机译:
用于In_xGaN_(1-x):BI_3和BBr_3的高选择性干法蚀刻的新型等离子体化学
作者:
Hyun Cho
;
J.Hong
;
T.Maeda
;
S.M.Donovan
;
C.R.Abernathy
;
S.J.Pearton
;
R.J.Shul
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Novel plasma chemistries;
Dry etching;
Low damage condition;
17.
A tunable blue light emission of InGaN/GaN quantum well through thermal interdiffusion
机译:
通过热互扩散实现InGaN / GaN量子阱的可调蓝光发射
作者:
Michael C.Y.Chan
;
Elaine M.T.Cheung
;
E.Herbert.Li
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Thermal annealing;
Quantum well intermixing;
Interdiffusion;
III-nitride;
InGaN/GaN;
Light emitting diode;
18.
Molecular beam epitaxy growth of nitride materials
机译:
分子束外延生长氮化物材料
作者:
N.Grandjean
;
J.Massies
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Epitaxy;
Nitridation;
GaN growth;
19.
Low pressure MOVPE grown AlGaN for UV photodetector applications
机译:
低压MOVPE生长的AlGaN用于紫外光电探测器应用
作者:
F.Omnes
;
N.Marenco
;
S.Haffouz
;
H.Lahreche
;
P.de Mierry
;
B.Beaumont
;
P.Hageman
;
E.Monroy
;
F.Calle
;
E.Munoz
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Epilayers;
Optical;
Photoluminescence;
20.
Low temperature buffer growth to improve hydride vapor phase epitaxy of GaN
机译:
低温缓冲生长以改善GaN的氢化物气相外延
作者:
Jeong-wook Lee
;
Ho-sun Paek
;
Ji-Beom Yoo
;
Gyeung-ho Kim
;
Dong-Wha Kum
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
GaN-buffer;
HVPE;
Surface roughness;
21.
LP-MOCVD growth of GaN on silicon substrates - comparison between AlAs and ZnO nucleation layers
机译:
硅衬底上GaN的LP-MOCVD生长-AlAs和ZnO成核层之间的比较
作者:
A.Strittmatter
;
A.Krost
;
V.Turck
;
M.Stra beta burg
;
D.Bimberg
;
J.Blasing
;
T.Hempel
;
J.Christen
;
B.Neubauer
;
D.Gerthsen
;
T.Christmann
;
B.K.Meyer
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
MOCVD;
GaN;
ZnO;
22.
Luminescent properties of GaN thin films prepared by pulsed laser deposition
机译:
脉冲激光沉积制备的GaN薄膜的发光特性
作者:
M.Cazzanelli
;
C.Vinegoni
;
D.Cole
;
J.G.Lunney
;
P.G.Middleton
;
C.Trager-Cowan
;
K.P.ODonnell
;
L.Pavesi
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Pulsed-laser deposition;
Thin films;
Semiconduction;
Photoluminescence;
23.
Luminescence in III-nitrides
机译:
III族氮化物的发光
作者:
B.Monemar
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Acceptors;
AlGaN/GaN;
Donors;
GaN;
Heterostructures;
InGaN/GaN;
Photoluminescence;
Quantum wells;
24.
TEM study of {1010} inversion domains in GaN layers grown on (0001) sapphire substrate
机译:
(0001)蓝宝石衬底上生长的GaN层中{1010}反转畴的TEM研究
作者:
V.Potin
;
P.Ruterana
;
G.Nouet
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Inversion domains;
Gallium nitride;
High resolution electron microscopy;
Molecular beam epitaxy;
25.
MBE GaN grown on (101) NdGaO_3 substrates
机译:
在(101)NdGaO_3衬底上生长的GaN MBE
作者:
V.V.Mamutin
;
A.A.Toropov
;
N.F.Kartenko
;
S.V.Ivanov
;
A.Wagner
;
B.Monemar
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
Gallium nitride;
Scanning electron microscopy;
X-ray diffraction;
Photoluminescence;
Nitrogen activator;
26.
Influence of strain and buffer layer type on in incorporation during GaInN MOVPE
机译:
GaInN MOVPE过程中应变和缓冲层类型对掺入的影响
作者:
F.Scholz
;
J.Off
;
A.Kniest
;
L.Gorgens
;
O.Ambacher
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
GaInN;
MOVPE;
L X-ray diffraction;
Strain;
27.
Large and composition-dependent band gap bowing in In_xGa_(1-x)N alloys
机译:
In_xGa_(1-x)N合金中的大且依赖于成分的带隙弯曲
作者:
Chris G.Van de Walle
;
M.D.McCluskey
;
C.P.Master
;
L.T.Romano
;
N.M.Johnson
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Band gap;
First-principles calculations;
InGaN;
Strain;
Bowing parameter;
28.
Impact of the ZnO buffer on the optical properties of GaN: time resolved micro-photoluminescence
机译:
ZnO缓冲液对GaN光学性能的影响:时间分辨的微光致发光
作者:
A.Hoffmann
;
J.Holst
;
A.Kaschner
;
H.Siegle
;
J.Christen
;
P.Fischer
;
F.Bertram
;
K.Hiramatsu
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
Time-resolved;
Strain;
Impurities;
29.
In situ real time ellipsometry monitoring during GaN epilayers processing
机译:
GaN外延层处理过程中的原位实时椭偏监测
作者:
M.Losurdo
;
P.Capezzuto
;
G.Bruno
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
Remote-plasma metalorganic chemical vapor deposition (RP-MOCVD);
Ellipsometry;
In situ monitoring;
Substrate nitridation;
30.
InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on free-standing GaN substrates
机译:
在独立的GaN衬底上生长的基于InGaN / GaN / AlGaN的激光二极管
作者:
Shuji Nakamura
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
InGaN;
Quantum well;
Blue laser;
Lateral overgrowth;
Transverse mode;
31.
Growth of atomically smooth AlN films with a 5:4 coincidence interface on Si(111) by MBE
机译:
MBE在Si(111)上生长具有5:4符合界面的原子光滑AlN膜
作者:
H.P.D.Schenk
;
U.Kaiser
;
G.D.Kipshidze
;
A.Fissel
;
J.Krau beta lich
;
H.Hobert
;
J.Schulze
;
Wo.Richter
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
PACS;
61.14 Hg;
68.35-p;
61.72 Ff;
78.30 Fs;
AlN/Si (III);
Pplasma-assisted MBE;
Surface reconstructions;
Coincidence lattice;
Raman spectra;
32.
Highly textured hexagonal AlN films deposited at low temperature by reactive cathodic sputerring
机译:
通过反应性阴极溅射在低温下沉积的高织构六角形AlN膜
作者:
F.Brunet
;
F.Randriamora
;
A.Deneuville
;
P.Germi
;
B.Anterion
;
M.Pernet
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Reactive cathodic sputtering;
AlN films;
Deposition temperature;
33.
GaN-based laser diode with focused ion beam-etched mirrors
机译:
具有聚焦离子束蚀刻镜的GaN基激光二极管
作者:
C.Ambe
;
T.Takeuchi
;
H.Katoh
;
K.Isomura
;
T.Satoh
;
R.Mizumoto
;
S.Yamaguchi
;
C.Wetzel
;
H.Amano
;
I.Akasaki
;
Y.Kaneko
;
N.Yamada
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN-based laser diode;
Focused ion beam etching;
Fabry-Perot resonator mirrors;
34.
High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE
机译:
RF-MBE可以快速提高器件质量的GaN和InGaN
作者:
Kouichi Kushi
;
Hajime Sasamoto
;
Daisuke Sugihara
;
Shinichi Nakamura
;
Akihiko Kikuchi
;
Katsumi Kishino
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
InGaN;
Molecular beam epitaxy;
rf-Plasma;
Migration enhanced epitaxy;
Multi quantum wells;
35.
GaN microcavities and bragg reflectors: giant exciton-light coupling
机译:
GaN微腔和布拉格反射器:巨大的激子-光耦合
作者:
Alexey Kavokin
;
Bernard Gil
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Nitrides;
Microcavities;
Excitons;
Polaritons;
Wurzite;
36.
Fabrication and photoluminescence of GaN/sapphire submicron-scale structure with nanometre scale resolution
机译:
具有纳米尺度分辨率的GaN /蓝宝石亚微米尺度结构的制备和光致发光
作者:
A.Ribayrol
;
D.Coquillat
;
R.M.De La Rue
;
S.K.Murad
;
C.D.W.Wilkinson
;
P.Girard O.Briot
;
R.L.Aulombard
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN;
Reactive ion etching;
CH_4/H_2;
Microstructures;
Atomic force microscopy;
Photoluminescence;
37.
Fabrication and characterization of GaN/InGaN/AlGaN double heterostructure LEDs and their application in luminescence conversion LEDs
机译:
GaN / InGaN / AlGaN双异质结构LED的制备,表征及其在发光转换LED中的应用
作者:
P.Schlotter
;
J.Baur
;
Ch.Hielscher
;
M.Kunzer
;
H.Obloh
;
R.Schmidt
;
J.Schneider
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN;
LED;
Luminescence conversion;
White LED;
38.
Effect of implantation-parameters on the structural properties of Mg-ion implanted GaN
机译:
注入参数对Mg离子注入GaN结构性能的影响
作者:
A.Wenzel
;
C.Liu
;
B.Rauschenbach
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Defect;
Doping;
GaN;
Ion implantation;
Mg;
RBS/channeling;
39.
Electro-optical characterization of h-BN thin film waveguides by prism coupling technique
机译:
h-BN薄膜波导的电光表征及棱镜耦合技术
作者:
J.Boudiombo
;
J.C.Loulergue
;
A.Bath
;
P.Thevenin
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Thin film;
Waveguides;
Electro-optic;
Boron nitride;
Plasma enhanced chemical vapor deposition;
40.
EXAFS studies of Mg doped InN grown on Al_2O_3
机译:
在Al_2O_3上生长的Mg掺杂InN的EXAFS研究
作者:
A.V.Blant
;
T.S.Cheng
;
N.J.Jeffs
;
L.B.Flannery
;
I.Harrison
;
J.F.W.Mosselmans
;
A.D.Smith
;
C.T.Foxon
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Indium nitride;
Molecular beam epitaxy;
EXAFS;
Mg doping;
Semiconductors;
Group III-nitrides;
41.
Compositional inhomogeneities in InGaN studied by transmission electron microscopy and spatially resolved cathodoluminescence
机译:
通过透射电子显微镜和空间分辨阴极发光研究了InGaN中的成分不均匀性
作者:
H.Selke
;
M.Amirsawadkouhi
;
P.L.Ryder
;
T.Bottcher
;
S.Einfeldt
;
D.Hommel
;
F.Bertram
;
J.Christen
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Transmission electron microscopy;
Cathodoluminescence spectroscopy;
Molecular beam epitaxy;
InGaN;
Composition fluctuations;
42.
Chemical beam epitaxy of GaN on (001) sapphire substrate
机译:
(001)蓝宝石衬底上GaN的化学束外延
作者:
M.Kappers
;
J.-L.Guyaux
;
J.Olivier
;
R.Bisaro
;
C.Grattepain
;
J.-C.Garcia
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Gallium nitride;
(0001) Sapphire substrates;
Chemical beam epitaxy;
43.
Coaxial rf-magnetron nitrogen activator for GaN MBE growth'
机译:
用于GaN MBE生长的同轴射频磁控管氮活化剂“
作者:
V.N.Jmerik
;
V.V.Mamutin
;
V.A.Vekshin
;
T.V.Shubina
;
S.V.Ivanov
;
P.S.Kopev
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
Plasma source;
rf discharge;
Optical emission spectrum;
Nitrogen;
44.
Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE
机译:
激光诱导MBE生长的未掺杂和镁掺杂的GaN薄膜的特性
作者:
M.Gross
;
G.Henn
;
J.Ziegler
;
P.Allenspacher
;
C.Cychy
;
H.Schroder
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Laser induced molecular beam epitaxy;
GaN;
Mg doping;
45.
Carrier capture in InGaN quantum wells and hot carrier effects in GaN
机译:
InGaN量子阱中的载流子捕获和GaN中的热载流子效应
作者:
F.Binet
;
J.Y.Duboz
;
C.Grattepain
;
F.Scholz
;
J.Off
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Photoluminescence;
GaN;
Quantum;
46.
Smooth GaN surfaces by photoinduced electro-chemical etching
机译:
通过光致电化学蚀刻使GaN表面光滑
作者:
T.Rotter
;
J.Aderhold
;
D.Mistele
;
O.Semchinova
;
J.Stemmer
;
D.Uffmann
;
J.Graul
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
Photoanodic dissolution;
Wet etching;
47.
Spectroscopy and microscopy of localised and delocalised excitons in InGaN-based light emitting diodes and epilayers
机译:
基于InGaN的发光二极管和外延层中局部和离域激子的光谱学和显微学
作者:
K.P.ODonnell
;
R.W.Martin
;
P.G.Middleton
;
S.C.Bayliss
;
I.Fletcher
;
W.Van der Stricht
;
P.Demeester
;
I.Moerman
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Chip-type diodes;
Electroluminescence;
Photocurrent spectra;
X-ray imaging;
Optical absorption;
48.
Secondary ion mass spectrometry analysis of Mg doped GaN films prepared by hot wall epitaxy
机译:
热壁外延制备的Mg掺杂GaN薄膜的二次离子质谱分析
作者:
A.Ishida
;
K.Matsuda
;
S.Chu
;
F.Tanoue
;
S.Sakakibara
;
K.Ishino
;
S.Fuke
;
H.Fujiyasu
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
SIMS;
GaN;
Mg doping Oxygen;
Hot wall epitaxy;
49.
X-ray analysis of the texture of heteroepitaxial gallium nitride films
机译:
X射线分析异质外延氮化镓膜的织构
作者:
N.Herres
;
H.Obloh
;
K.H.Bachem
;
K.Helming
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Gallium nitride;
Polytypes;
Stacking faults;
Texture analysis;
X-ray diffraction;
50.
Properties of strained and unstrained III-nitrides
机译:
应变和非应变III族氮化物的性质
作者:
J.-M.Wagner
;
G.Portisch
;
K.Karch
;
F.Bechstedt
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Group-III nitrides;
Hydrostatic pressure;
Optical phonons;
Dielectric constant;
Effective charge;
51.
Observation of ordering and phase separation in In_xGa_(1-x)N layers
机译:
In_xGa_(1-x)N层中有序和相分离的观察
作者:
P.Ruterana
;
F.Deniel
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Epitaxial growth;
Gallium nitrides;
InGaN;
Ordering;
Phase separation;
Transmission electron microscopy;
52.
Thermal stability of WSi_x and W ohmic contacts on GaN
机译:
GaN上WSi_x和W欧姆接触的热稳定性
作者:
X.A.Cao
;
S.J.Pearton
;
S.M.Donovan
;
C.R.Abernathy
;
F.Ren
;
J.C.Zolper
;
M.W.Cole
;
A.Zeitouny
;
M.Eizenberg
;
R.J.Shul
;
A.G.Baca
会议名称:
《》
|
1998年
关键词:
Thermal stability;
Ohmic contacts;
Metallization;
53.
The analysis of contact resistivity between a p-type GaN layer and electrode in InGaN MQW laser diodes = BMasaaki onomura
机译:
InGaN MQW激光二极管中p型GaN层与电极之间的接触电阻率分析= BMasaaki onomura
作者:
Shinji Saito
;
Lisa Sugiura
;
Mikio Nakasuji
;
Katsunobu Sasanuma
;
Johji Nishio
;
John Rennie
;
Shin-ya Nunoue
;
Kazuhiko Itaya
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Gallium nitride (GaN);
Ohmic contact;
Specific contact resistivity;
Laser diode;
54.
The emission spectrum of pulsed laser deposited GaN and its powder precursor
机译:
脉冲激光沉积GaN及其粉末前驱体的发射光谱
作者:
P.G.Middleton
;
K.P.ODonnell
;
C.Trager-Cowan
;
D.Cole
;
M.Cazzanelli
;
J.Lunney
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Photoluminescence spectroscopy;
Catholuminescence imaging;
Scanning electron microscopy;
55.
The optical and structural properties of InGaN epilayers with very high indium content
机译:
铟含量很高的InGaN外延层的光学和结构特性
作者:
S.C.Bayliss
;
P.Demeester
;
I.Fletcher
;
R.W.Martin
;
P.G.Middleton
;
I.Moerman
;
K.P.ODonnell
;
A.Sapelkin
;
C.Trager-Cowan
;
W.Van Der Stricht
;
C.Young
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
InGaN;
Photoluminescence;
MOVPE;
EDX;
XAFS;
56.
Self organization of nitride quantum dots by molecular beam epitaxy
机译:
氮化物量子点的分子束外延自组织
作者:
B.Daudin
;
F.Widmann
;
G.Feuillet
;
Y.Samson
;
J.L.Rouviere
;
N.Pelekanos
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN islands;
Homogenity;
Photoluminescence;
57.
Recombination dynamics of excitons in III-nitride layers and quantum wells
机译:
III族氮化物层和量子阱中激子的重组动力学
作者:
P.Lefebvre
;
J.Allegre
;
H.Mathieu
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Quantum well;
Epitaxial layers;
Photoluminescence;
58.
Probing the local dielectric/optical properties of group III-nitrides by spatially resolved EELS on the nanometer scale
机译:
通过纳米尺度上空间分辨的EELS探测III族氮化物的局部介电/光学性质
作者:
G.Brockt
;
H.Lakner
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
EELS;
STEM;
Dielectric/optical properties;
GaN;
59.
Investigation of the atomic structure of the pure edge and a+c threading dislocations in gan layers grown by MBE
机译:
MBE生长的gan层中纯边和a + c螺纹位错的原子结构研究
作者:
Pierre Ruterana
;
Valerie Potin
;
Gerard Nouet
;
Roland Bonnet
;
Marc Loubradou
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
a+c Dislocation;
Anisotropic elasticity;
Atomic structure;
Gallium nitrides;
GaN;
HREM;
MBE;
Pure edge dislocation;
Sapphire;
SiC;
Threading dislocation;
Wurtzite;
60.
Optically pumped GaInN/GaN-DFB lasers: overgrown lasers and vertical modes
机译:
光泵浦GaInN / GaN-DFB激光器:长满的激光器和垂直模式
作者:
R.Hofmann
;
V.Wagner
;
M.Neuner
;
J.Off
;
F.Scholz
;
H.Schweizer
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Distributed feedback laser;
GaInN/GaN laser diodes;
Vertical modes;
MOVPE;
61.
Optical characterisation of interface properties for hexagonal GaN grown by MBE on GaAs
机译:
GaAs上MBE生长的六角形GaN界面性质的光学表征
作者:
S.Shokhovets
;
R.Goldhahn
;
G.Gobsch
;
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Reflectivity;
GaN/GaAs;
Substrate/film interface;
62.
Photo-assisted anodic etching of GaN films in NaOH electrolyte with Cl ions
机译:
含Cl离子的NaOH电解质中的GaN膜光辅助阳极蚀刻
作者:
Mitsugu Ohkubo
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN;
NaOH;
Cl ions;
Anodic etching;
Ultraviolet;
Gallium oxide;
63.
MOCVD growth and characterization of AlGaInN multiple quantum well heterostructures and laser diodes
机译:
AlGaInN多量子阱异质结构和激光二极管的MOCVD生长和表征
作者:
D.P.Bour
;
M.Kneissl
;
D.Hofstetter
;
L.T.Romano
;
M.McCluskey
;
C.G.Van de Walle
;
B.S.Krusor
;
C.Dunnrowicz
;
R.Donaldson
;
J.Walker
;
N.M.Johnson
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
Semiconductor lasers;
CVD;
Nitrides;
Epitaxial deposition;
Quantum well semiconductor epitaxial layers;
Quantum well lasers;
Semiconductor heterojunctions;
64.
Modelling of the defect structure in GaN MOCVD thin films by X-ray diffraction
机译:
GaN MOCVD薄膜中缺陷结构的X射线衍射建模
作者:
F.Huet
;
M.-A.di Forte-Poisson
;
A.Romann
;
M.Tordjman
;
J.di Persio
;
B.Pecz
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
|
1998年
关键词:
GaN MOCVD thin films;
X-ray diffraction;
Dislocations density;
Hordon and Averbach's model;
65.
Lattice dynamics of boron nitride
机译:
氮化硼的晶格动力学
作者:
H.W.Leite Alves
;
J.L.A.Alves
;
J.L.P.Castineira
;
J.R.Leite
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Boron nitride;
LAPW method;
Lattice dynamics;
Frozen phonons;
Shell model;
66.
Microcalorimetric absorption spectroscopy in GaN-AlGaN quantum wells
机译:
GaN-AlGaN量子阱中的微量量热吸收光谱
作者:
Axel Goldner
;
Axel Hoffmann
;
Bernard Gil
;
Pierre Lefebvre
;
Pierre Bigenwald
;
Philippe Christol
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Wide bandgap semiconductors;
Low dimensional systems;
Optical properties;
Excitons;
67.
Microwave electronics device applications of AlGaN/GaN heterostructures
机译:
AlGaN / GaN异质结构在微波电子器件中的应用
作者:
Q.Chen
;
J.W.Yang
;
M.Blasingame
;
C.Faber
;
A.T.Ping
;
I.Adesida
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
HFET;
Devices;
MISFETs;
68.
Influence of buffer layers on the structural properties of molecular beam epitaxy grown GaN layers
机译:
缓冲层对分子束外延生长GaN层结构性能的影响
作者:
V.Kirchner
;
R.Ebel
;
H.Heinke
;
S.Einfeldt
;
D.Hommel
;
H.Selke
;
P.L.Ryder
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Buffer;
GaN;
Molecular beam epitaxy;
X-ray diffraction;
69.
Ion beam sputte etching of galliumnitride grown by chloride transport LP-CVD
机译:
氯化物传输LP-CVD法生长的氮化镓的离子束刻蚀
作者:
Michael Topf
;
Fehmi Cavas
;
Bruno K.Meyer
;
Bertilo Kempf
;
Walter Betz
;
Peter Veit
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Galliumnitrid (GaN) layers;
LP-CVD;
Optical microscopy;
Scanning electron microscopy;
Transmission electron microscopy;
70.
Hall-effect characterization of III-V nitride semiconductors for high efficiency light emitting diodes
机译:
高效发光二极管的III-V氮化物半导体的霍尔效应表征
作者:
W.Gotz
;
R.S.Kern
;
C.H.Chen
;
H.Liu
;
D.A.Steigerwald
;
R.M.Fletcher
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Hall-effect;
donors;
acceptors;
LEDs;
71.
Growth of GaN single crystal substrates
机译:
GaN单晶衬底的生长
作者:
Olga Kryliouk
;
Mike Reed
;
Todd Dann
;
Tim Anderson
;
Bruce Chai
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN bulk crystals: Hydride-metal organic vapor phase epitaxy (H-MOVPE);
Thick films;
Nitridation;
Self-separation;
72.
GaN epilayers on misoriented substrates
机译:
取向错误的衬底上的GaN外延层
作者:
C.Trager-Cown
;
S.McArthur
;
P.G.Middleton
;
K.P.ODonnell
;
D.Zubia
;
S.D.Hersee
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN epilayers;
Photoluminescence;
Bound exiton emission;
73.
High pressure fabrication and processing of GaN:Mg
机译:
GaN:Mg的高压制造和加工
作者:
T.Suski
;
J.Jun
;
M.Leszczynski
;
H.Teisseyre
;
I.Grzegory
;
S.Porowski
;
G.Dollinger
;
K.Saarinen
;
T.Laine
;
J.Nissila
;
W.Burkhard
;
W.Kriegseis
;
B.K.Meyer
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN:Mg crystals and epilayers;
High pressure;
Optoelectronics;
74.
High quality ELO-GaN layers on GaN/Al_2O_3 patterned substrates by halide vapour phase epitaxy
机译:
卤化物气相外延在GaN / Al_2O_3图案化衬底上的高质量ELO-GaN层
作者:
G.Nataf
;
B.Beaumont
;
A.Bouille
;
P.Vennegues
;
S.Haffouz
;
M.Vaille
;
P.Gibart
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Selective Epitaxy;
Lateral Overgrowth;
Growth Anisotropy;
MOVPE;
HVPE;
75.
Effect of Si doping on structural, photoluminescence and electrical properties of GaN
机译:
Si掺杂对GaN结构,光致发光和电学性质的影响
作者:
N.M.Shmidt
;
A.V.Lebedev
;
W.V.Lundin
;
B.V.Pushnyi
;
V.V.Ratnikov
;
T.V.Shubina
;
A.A.Tsatsulnikov
;
A.S.Uskov
;
G.Pozina
;
B.Monemar
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Structural peculiarities;
Si doping;
Compressive stress;
Mobility;
76.
Epitaxial lateral overgrowth of GaN structures: spatially resolved characterization by cathodoluminescence microscopy and micro-raman spectroscopy
机译:
GaN结构的外延横向过生长:通过阴极荧光显微镜和显微拉曼光谱进行空间分辨的表征
作者:
F.Bertram
;
T.Riemann
;
J.Christen
;
A.Kaschner
;
A.Hoffmann
;
K.Hiramatsu
;
T.Shibata
;
N.Sawaki
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN;
ELOG;
Excitonic luminescence;
Spatially resolved cathodoluminescence;
mu -Raman;
77.
Doping of Al_xGa_(1-x)N alloys
机译:
掺杂Al_xGa_(1-x)N合金
作者:
C.Stampfl
;
J.Neugebauer
;
Chris G.Van de Walle
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Doping;
First-principles calculations;
AlGaN;
Acceptors;
Oxygen;
78.
Deposition of c-BN films on diamond: influence of the diamond roughness
机译:
金刚石上c-BN膜的沉积:金刚石粗糙度的影响
作者:
J.Pascallon
;
V.Stambouli
;
S.Ilias
;
D.Bouchier
;
G.Nouet
;
F.Silva
;
A.Gicquel
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
79.
Characterization of optical induced defect-band-transitions in MBE grown galliunitride by optical admittance spectroscopy
机译:
通过光导纳光谱表征MBE生长的镓单位氮化物中光诱导的缺陷带跃迁
作者:
A.Krtschil
;
M.Lisker
;
H.Witte
;
J.Christen
;
U.Birkle
;
S.Einfeldt
;
D.Hommel
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Optical admittance spectroscopy;
Defect states;
Shallow donor;
Deep levels;
80.
Arsenic on cubic GaN surfaces: surfactant effect versus incorporation
机译:
立方氮化镓表面上的砷:表面活性剂作用与结合
作者:
G.Feuillet H.Hamaguchi
;
H.Okumura
;
S.Yoshida
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaN;
Molecular beam epitaxy;
81.
Carrier confinement in GaInN/AlGaN/GaN quantum wells with asymmetric barriers: direction of the piezoelectric field
机译:
具有不对称势垒的GaInN / AlGaN / GaN量子阱中的载流子限制:压电场的方向
作者:
Jin Seo Im
;
H.Kollmer
;
J.Off
;
F.Scholz
;
A.Hangleiter
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
GaInN/AlGaN/GaN;
Quantum well;
Piezoelectric field;
Carrier confinement;
Asymmetric barrier;
Oscillator strength;
82.
Analysis of composition fluctuations in Al_xGa_(1-x)N
机译:
Al_xGa_(1-x)N中成分波动的分析
作者:
B.Neubauer
;
A.Rosenauer
;
D.Gerthsen
;
O.Ambacher
;
M.Stutzmann
;
M.Albrecht
;
H.P.Strunk
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Decomposition;
Nitrides;
Transmission electron microscopy/kwdg;
83.
Annealing behavior and lattice site location of Hf implanted GaN
机译:
f注入GaN的退火行为和晶格位置
作者:
E.Alves
;
M.F.da Silva
;
J.G.Marques
;
J.C.Soares
;
K.Freitag
会议名称:
《Symposiuml on Nitrides and Related Wide Band Gap Materials of the E-MRS 1998 Spring Conference, Strasbourg, France,16-19 June 1998》
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1998年
关键词:
Annealing behaviour;
Lattice site location;
GaN;
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