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Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects
Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects
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1.
The functional group effect of complexing agent on Cu CMP in the neutral environment
机译:
中性环境下络合剂对Cu CMP的官能团作用
作者:
JaeHan Bae
;
Yung Jun Kim
;
Jae Jeong Kim
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
2.
Integration Challenges for Copper Damascene Electroplating
机译:
铜镶嵌电镀的集成挑战
作者:
Uwe Stockgen
;
Susanne Wehner
;
Jens Heinrich
;
Axel Kiesel
;
Romy Liske
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
3.
3D Interconnect Technologies for Advanced MEMS/NEMS Applications
机译:
适用于高级MEMS / NEMS应用的3D互连技术
作者:
Nicolas Lietaer
;
Maaike M.V. Taklo
;
Kari Schjalberg-Henriksen
;
Peter Ramm
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
4.
Copper Plating for 3D Interconnects
机译:
用于3D互连的镀铜
作者:
A. Radisic
;
O. Ltthn
;
J. Vacs
;
S. Armini
;
Z. El-Mekki
;
et al
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
5.
Effect of 5-phenyl-lH-tetrazole on Copper Dissolution for e-CMP
机译:
5-苯基-1H-四唑对e-CMP铜溶解的影响
作者:
P. Cojocaru
;
L. Magagnin
;
P. L. Cavallotti
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
6.
Influence of Carbon Nanotubes on the Electrodeposition of Copper Interconnects
机译:
碳纳米管对铜互连线电沉积的影响
作者:
T. Chowdhury
;
J. F. Rohan
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
7.
Effects of Slurry Distribution using Diaphragm and Centrifugal pumps on the Defectivity in a Cu CMP Process
机译:
隔膜泵和离心泵分配浆料对Cu CMP工艺中缺陷率的影响
作者:
R. Donis
;
M. Fisher
;
L. Bauck
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
8.
Addition of PEG-Thiol to Cu Electroless Plating Bath for Realizing Perfect Conformal Deposition in Through-Si Via Holes for 3-D Integration
机译:
将PEG-硫醇添加到铜化学镀液中,以实现用于3-D集成的硅通孔中的完美保形沉积
作者:
F. Inoue
;
T. Yokoyama
;
S. Tanaka
;
K. Yamamoto
;
S. Shingubara
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
9.
Evaluation of stability and reactivity of solutions by in situ transmittance in electroless deposition
机译:
化学沉积中原位透射率评估溶液的稳定性和反应性
作者:
Kyung Ju Park
;
Hyo-Chol Koo
;
Taeho Lim
;
Jae Jeong Kim
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
10.
Copper Electrodeposition Parameters Optimization for Through-Silicon Vias Filling
机译:
硅通孔填充的铜电沉积参数优化
作者:
E. Delbos
;
L. Omnfes
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
11.
Reliability of Through Silicon Via Technologies
机译:
硅通孔技术的可靠性
作者:
A. Klumpp
;
P. Ramm
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
12.
Through-Silicon Via Technology for 3D Applications
机译:
硅直通技术用于3D应用
作者:
Harold G.G. Philipsen
;
Ole Luhn
;
Yann Civale
;
Yu-Shuen Wang
;
Deniz Sabuncuoglu Tezcan
;
et al
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
13.
Miniaturization of a Wireless Sensor Node by means of 3D Interconnects
机译:
通过3D互连使无线传感器节点小型化
作者:
J. Prainsack
;
J. Stolle
;
J. Weber
;
M. Dielacher
;
M. Flatscher
;
et al
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
14.
Effect of Functional Groups of Complexing Agents on the Performance of Cu CMP Slurry
机译:
络合剂官能团对Cu CMP浆料性能的影响
作者:
Yung Jun Kim
;
JaeHan Bae
;
Jae Jeong Kim
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
15.
Chemical Repair of plasma damaged porous ultra Iow-κ SiOCH film using a vapor phase process
机译:
气相法化学修复等离子体损伤的多孔超低κSiOCH薄膜
作者:
T. Oszinda
;
M. Schaller
;
S. E. Schulz
会议名称:
《Processing, materials, and integration of damascene and 3D interconnects》
|
2009年
16.
High Speed Copper Electrodeposition for Through Silicon Via(TSV)
机译:
硅通孔(TSV)的高速铜电镀
作者:
Kazuo Kondo
;
Yushi Suzuki
;
Takeyasu Saito
;
Naoki Okamoto
会议名称:
《》
|
2009年
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