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2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA
2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA
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1.
Growth characteristics of ZnO nanowires on silicon, sapphire and GaN substrates
机译:
ZnO纳米线在硅,蓝宝石和GaN衬底上的生长特性
作者:
Hyun-Gi Hong
;
Tae-Yeon Seong
;
Seonghoon Lee
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
2.
Electron effective mass of Ga_(0.7)In_(0.3)N_xAs_(1-x)
机译:
Ga_(0.7)In_(0.3)N_xAs_(1-x)的电子有效质量
作者:
M. Kondow
;
S. Fujisaki
;
S. Shirakata
;
T. Ikari
;
T. Kitatani
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
3.
Formation of high quality ohmic contacts to p-GaN using metal/transparent conducting oxides
机译:
使用金属/透明导电氧化物形成p-GaN的高质量欧姆接触
作者:
June O Song
;
Dong-Seok Leem
;
K-K Kim
;
Tae-Yeon Seong
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
4.
Frequency and Breakdown Properties of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT的频率和击穿特性
作者:
A. Vertiatchikh
;
W.J. Schaff
;
L.F. Eastman
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
5.
Transient behavior of self-assembled quantum dots formed by atomic layer epitaxy technique
机译:
原子层外延技术形成的自组装量子点的瞬态行为
作者:
Young Min Park
;
Young Ju Park
;
Kwang Moo Kim
;
Jae Cheol Shin
;
Jin Dong Song
;
Jung Il Lee
;
Keon-Ho Yoo
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
6.
Scattering Limitations on Electron Transit Velocity in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT中电子传输速度的散射限制
作者:
Lester F. Eastman
;
Arvydas Matulionis
;
Alexei Vertiatchikh
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
7.
Reliability of BCB Passivated InAlAs/InGaAs HEMTs Under Thermal Stress
机译:
BCB钝化的InAlAs / InGaAs HEMT在热应力下的可靠性
作者:
D. H. Kim
;
M. H. Yoon
;
T. H. Kim
;
K. Yang
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
8.
Progress of Sb-based Type-Ⅱ Mid-IR Interband Cascade Lasers
机译:
基于Sb的Ⅱ型中红外带间级联激光器的研究进展
作者:
Rui Q. Yang
;
Cory J. Hill
;
Baohua Yang
;
John K. Liu
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
9.
Quantum Dot Photonic Devices for Lightwave Communications
机译:
用于光波通信的量子点光子器件
作者:
Dieter Bimberg
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
10.
Radiation-resistant and high-efficiency InGaP/InGaAs/Ge 3-junction solar cells
机译:
耐辐射和高效InGaP / InGaAs / Ge 3结太阳能电池
作者:
Masafumi Yamaguchi
;
Nobuaki Kojima
;
Aurangzeb Khan
;
Tatsuya Takamoto
;
Koshi Ando
;
Mitsuru Imaizumi
;
Taishi Sumita
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
11.
Multiline photoluminescence spectra of lattice-matched GaAs/AlGaAs quantum dots
机译:
晶格匹配的GaAs / AlGaAs量子点的多线光致发光光谱
作者:
K. Ikeda
;
M. Yamagiwa
;
F. Minami
;
N. Koguchi
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
12.
One Dimensional Heterostructures and Resonant Tunneling in Ⅲ-Ⅴ Nanowires
机译:
Ⅲ-Ⅴ纳米线的一维异质结构和共振隧穿
作者:
C. Thelander
;
B. J. Ohlsson
;
M. T. Bjork
;
T. Martensson
;
A. I. Persson
;
K. Deppert
;
M. W. Larsson
;
L. R. Wallenberg
;
L. Samuelson
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
13.
Optical Detection of Coherent GHz Phonon Generation in a High Power GaN/AlGaN Microwave FET
机译:
大功率GaN / AlGaN微波FET中相干GHz声子产生的光学检测
作者:
Jung-Hoon Song
;
Qiang Zhang
;
W. Patterson III
;
A.V. Nurmikko
;
M. J. Uren
;
K. P. Hilton
;
R. S. Balmer
;
T. Martin
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
关键词:
vertical cavity surface emitting lasers;
light-emitting diodes;
14.
Improvements in Electrical and Optical properties of low bandgap Ⅲ-Ⅴ Antimonides by using Isoelectronic Dopants
机译:
等电掺杂改善低带隙Ⅲ-Ⅴ族锑化物的光电性能
作者:
A. Chandola
;
Youngok Ko
;
P.S. Dutta
;
Andrew Zakel
;
Leonel Gonzalez
;
Arlynn Hall
;
Jean Henry
;
G.D. Gillen
;
Shekhar Guha
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
15.
Electrical and Optical Properties of Carbon-Related Defects in GaN
机译:
GaN中碳相关缺陷的电学和光学性质
作者:
R. Armitage
;
Q. Yang
;
E.R. Weber
;
Z.-Q. Fang
;
S. Hautakangas
;
K. Saarinen
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
16.
Bipolar cascade lasers at emitting wavelengths near 2 μm
机译:
发射波长接近2μm的双极级联激光器
作者:
Rui Q. Yang
;
Yueming Qiu
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
17.
Bulk Growth of Compositionally Homogeneous Ⅲ-Ⅴ Ternary Alloys
机译:
组成均相的Ⅲ-Ⅴ三元合金的整体生长
作者:
P.S. Dutta
;
A. Kumar
;
A. Chandola
;
R. Pino
;
H.J. Kim
;
A. Dighe
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
18.
Characterization of MOCVD lateral epitaxial overgrown Ⅲ-Ⅴ semiconductor layers on GaAs substrates
机译:
GaAs衬底上MOCVD横向外延生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体层的表征
作者:
A. G. Norman
;
M. C. Hanna
;
M. J. Romero
;
K. M. Jones
;
M. M. Al-Jassim
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
19.
AlInN as high-index-contrast material for GaN-based optoelectronics
机译:
AlInN作为用于GaN基光电的高折射率材料
作者:
J-F. Carlin
;
J. Dorsaz
;
C. Zellweger
;
S. Gradecak
;
M. Ilegems
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
20.
A simple method to determine strains in InGaNAs/GaAs quantum wells
机译:
一种确定InGaNAs / GaAs量子阱中应变的简单方法
作者:
N. J. Kim
;
Y. D. Jang
;
D. Lee
;
K. H. Park
;
W. G Jeong
;
J. W. Jang
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
21.
Growth of InN and InGaN on Si substrate for solar cell applications
机译:
用于太阳能电池应用的Si衬底上InN和InGaN的生长
作者:
T. Yamaguchi
;
C. Morioka
;
K. Mizuo
;
M. Hori
;
T. Araki
;
A. Suzuki
;
Y. Nanishi
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
22.
Growth-direction Dependence of Optical Properties in Epitaxially Laterally Overgrown GaN
机译:
外延横向生长的GaN中光学性质的生长方向依赖性
作者:
S. Srinivasan
;
L. Geng
;
L. Shi
;
F. A. Ponce
;
F. Bertram
;
J. Christen
;
Y. Narukawa
;
S. Tanaka
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
23.
High-Performance InGaP Power HBT Technologies for Wireless Applications
机译:
用于无线应用的高性能InGaP Power HBT技术
作者:
T. Oka
;
K. Fujita
;
K. Shirakawa
;
N. Takahashi
;
Y. Liu
;
M. Yamashita
;
H. Kawamura
;
M. Hasegawa
;
H. Koh
;
K. Kagoshima
;
H. Kijima
;
K. Sakuno
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
24.
Field effect and localization in InGaN/GaN quantum wells
机译:
InGaN / GaN量子阱中的场效应和局部化
作者:
A. Bell
;
F. A. Ponce
;
H. Marui
;
S. Tanaka
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
25.
Optical characteristics of InAsN/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm
机译:
以1.3μm发射的InAsN / GaAs量子点的光学特性
作者:
Y. D. Jang
;
N. J. Kim
;
D. Lee
;
K. H. Park
;
W. G. Jeong
;
J. W. Jang
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
26.
Self-Heating Effect on Device Characteristics of GaN/AlGaN HEMTs: 2D Monte Carlo Device Simulation
机译:
自热效应对GaN / AlGaN HEMT器件特性的影响:二维Monte Carlo器件仿真
作者:
Hiroki Inornate Fujishiro
;
Nobukazu Mikami
;
Teruyuki Takei
;
Michiyoshi Izawa
;
Tetsuji Moku
;
Kohji Ohtuka
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
27.
Precise Control of 980 nm Pump Lasing Wavelength
机译:
精确控制980 nm泵浦激光波长
作者:
Sherry D.Young
;
Andreas Kussmaul
;
Wayne Liu
;
S. C. Palmateer
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
28.
Photoluminescence and Lasing Characteristics of 1.3 μm GaInNAs/GaAsP/GaAs Strain-compensated Quantum Wells
机译:
1.3μmGaInNAs / GaAsP / GaAs应变补偿量子阱的光致发光和激光发射特性
作者:
M. Kawaguchi
;
T. Miyamoto
;
S. Kawakami
;
A. Saito
;
F. Koyama
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
29.
Origin and length scale of carrier localisation in GaInAsN analysed by transmission electron microscopy
机译:
透射电子显微镜分析GaInAsN中载流子定位的起源和长度尺度
作者:
M.Albrecht
;
T.Remmele
;
V.Grillo
;
H.P.Strunk
;
A. Kaschner
;
A. Hoffmann
;
A.Egorov
;
H.Riechert
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
30.
Microstructure of polycrystalline GaN grown on silica glass by ECR-MBE
机译:
ECR-MBE在石英玻璃上生长的多晶GaN的微观结构
作者:
T. Araki
;
T. Ueno
;
S. Ueta
;
Y. Nanishi
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
31.
Low Turn-On Voltage InP/In_(0.7)Ga_(0.3)As/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
低导通电压InP / In_(0.7)Ga_(0.3)As / InP双异质结双极晶体管
作者:
Y.M.Kim
;
K. Lai
;
M.J.W.Rodwell
;
A.C.Gossard
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
32.
Ion implanted InP and InGaAs for ultrafast optoelectronic applications
机译:
离子注入的InP和InGaAs用于超快光电应用
作者:
S. Marcinkevicius
;
C. Carmody
;
A. Gaarder
;
H. H. Tan
;
C. Jagadish
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
33.
Electron spin splitting in polarization-doped Ill-Nitrides
机译:
极化掺杂的氮化物中的电子自旋分裂
作者:
V.I. Litvinov
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
|
2003年
34.
Effect of Surface Passivation on Breakdown of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
表面钝化对AlGaN / GaN HEMT击穿的影响
作者:
Yutaka Ohno
;
Takeshi Nakao
;
Shigeru Kishimoto
;
Koichi Maezawa
;
Takashi Mizutani
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
35.
Effects of Thermal Annealing on GaInNAs QDs Grown on GaAs (001)
机译:
热退火对GaAs(001)上生长的GaInNAs QD的影响
作者:
A. Nishikawa
;
Y. G. Hong
;
C. W. Tu
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
36.
AlGaN-GaN HEMTs: Material, Device, Circuit Technology and Applications
机译:
AlGaN-GaN HEMT:材料,器件,电路技术和应用
作者:
P. Parikh
;
Y-F. Wu
;
P. Chavarkar
;
M. Moore
;
U.K. Mishra
;
S. Sheppard
;
R.P. Smith
;
A. Saxler
;
J. Due
;
W. Pribble
;
J. Milligan
;
J. Palmour
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
37.
A Picosecond Passively Mode-locked Vertical Extended Cavity Surface Emitting Diode Laser
机译:
皮秒被动锁模垂直扩展腔表面发射二极管激光器
作者:
Qiang Zhang
;
Khalil Jasim
;
A.V. Nurmikko
;
Aram Mooradian
;
Glen Carey
;
Wonill Ha
;
E.P. Ippen
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
关键词:
reflection;
ultrafast phenomena;
38.
A Reflecting Mirror Facet (RMF) Photodiode Suitable for Surface-Mountable Optical Package
机译:
适用于表面安装光学组件的反射镜面(RMF)光电二极管
作者:
Seungkee Yang
;
Hwayoung Kang
;
Byungok Jeon
;
Doyoung Rhee
;
Ahngoo Choo
;
Taeil Kim
;
Jinwook Burm
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
39.
A Look into the Future for SiGe HBTs
机译:
SiGe HBT的未来展望
作者:
D.L. Harame
;
G. Freeman
;
J. Rieh
;
B.Jagannathan
;
D.Greenberg
;
A.Joseph
;
J. Johnson
;
F. Guarin
;
Z. Yang
;
D. Ahlgren
;
P.Cottrell
;
J. Dunn
;
B.Omer
;
S.Subbanna
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
40.
A comparison of dry plasma and wet chemical passivation of GaSb photodiodes
机译:
GaSb光电二极管干法等离子体和湿法化学钝化的比较
作者:
Vinay Bhagwat
;
J.P. Langer
;
I.E. Bhat
;
P.S. Dutta
;
Tamer Refaat
;
M. Nurul Abedin
会议名称:
《2003 International Symposium on Compound Semiconductors Aug 25-27, 2003 San Diego, CA》
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2003年
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