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首页> 外文期刊>Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites >Post thermal annealing crystallization and reactive ion etching of SiC films produced by PECVD
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Post thermal annealing crystallization and reactive ion etching of SiC films produced by PECVD

机译：PECVD生产的SiC薄膜的热退火后结晶和反应离子刻蚀

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Crystallization of a-SiC:H films obtained by PECVD technique at low temperatures and results on corrosion by reactive ion etching (RIE) of these films are presented. The crystallization process was characterized by FTIR and XRD analysis; these results show evidences of crystallization with the formation of cubic SiC polycrystals (3C-SiC). The optimized RIE parameters for as-deposited a-SiC:H films indicates a maximum etch rate for 60% O-2 in the gas mixture. With this condition the etch rate increases linearly with the rf power. Increasing process pressures leads to a monotonic etch rate increase, remaining nearly constant at a maximum value of 125 nm/min for pressures in the 200-300 mTorr range. For the annealed films a strong influence of the degree of crystallinity on the etch rate is observed approaching values similar to those reported for 3C-SiC plasma etching. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：提出了在低温下通过PECVD技术获得的a-SiC：H薄膜的结晶以及这些薄膜通过反应离子刻蚀（RIE）腐蚀的结果。 FTIR和XRD分析表征了结晶过程。这些结果显示了形成立方SiC多晶（3C-SiC）的结晶证据。沉积后的a-SiC：H膜的RIE参数优化表明混合气体中60％O-2的最大蚀刻速率。在这种条件下，蚀刻速率随射频功率线性增加。工艺压力的增加导致单调蚀刻速率的增加，对于200-300 mTorr范围内的压力，其保持在125 nm / min的最大值几乎恒定。对于退火的膜，观察到结晶度对蚀刻速率的强烈影响，接近与报道的3C-SiC等离子体蚀刻相似的值。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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