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首页> 外文期刊>JP Journal of Solids and Structures >FABRICATION AND CHARACTERISTICS OF CdS THIN FILM BY SILAR METHOD
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FABRICATION AND CHARACTERISTICS OF CdS THIN FILM BY SILAR METHOD

机译：相似方法制备CdS薄膜的工艺与特点

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CdS thin film is prepared on ITO substrate via successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method using Cd(AC)_2 and Na_2S as precursors. The model concerning the SILAR reaction process is discussed. Moreover, the effect of technology parameters on characteristics of film is also analyzed. The results show that the CdS thin film with uniform particle size and morphology could be obtained when the drawing rate is 8cm/min, the immersion time is 25s, the concentration of Cd(AC)_2 and Na_2S is 0.1mol/l and 0.05mol/l, respectively.
机译：以Cd（AC）_2和Na_2S为前驱体，通过连续的离子层吸附反应（SILAR）法在ITO基板上制备了CdS薄膜。讨论了有关SILAR反应过程的模型。此外，还分析了工艺参数对薄膜特性的影响。结果表明，拉伸速度为8cm / min，浸渍时间为25s，Cd（AC）_2和Na_2S的浓度分别为0.1mol / l和0.05mol时，可获得粒径和形貌均匀的CdS薄膜。 / l。

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