机译:由于依赖于纵横比的传输和微负载效应,在硅的深反应离子刻蚀中可实现的最大纵横比
机译:高纵横比锥形硅通孔的集成,用于制造硅载体
机译:使用ClF3刻蚀多晶硅牺牲层,用于高纵横比的硅加速度传感器的薄膜封装
机译:通过硅通过反射法获得非常高的长宽比
机译:低纵横比氮化硅纳米孔对单个纳米颗粒的检测和表征
机译:使用使用AuPdPtCu和IR和IR和IR的MACE方法自对准高纵横比硅3D结构的晶圆级集成
机译:黑硅方法IV:以高纵横比在硅中制造三维结构,用于扫描探针显微镜和其他应用
机译:具有应力集中的高纵横比单晶碳化硅微样品的制备和概率断裂强度预测