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在制造半导体器件过程中去除残留物的方法

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摘要

本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103390540A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210382915.4

  • 发明设计人 巫俊昌;陈俊璋;吴权陵;莫忘本;谢弘璋;

    申请日2012-10-10

  • 分类号H01L21/02(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;孙征

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2024-02-19 20:52:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20131113 申请日:20121010

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-12-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20121010

    实质审查的生效

  • 2013-11-13

    公开

    公开

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