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晶圆级芯片级封装及其形成方法

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摘要

本发明公开了晶圆级芯片级封装及其形成方法，其中，所述晶圆级芯片级封装包括：半导体结构；在所述半导体结构上形成的第一焊盘；在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。本发明提供的晶圆级芯片级封装具有较小的尺寸。

著录项

公开/公告号CN107026138A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-08

原文格式PDF
申请/专利权人联发科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201611091100.5
发明设计人季彦良;熊明仁;
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申请日2016-12-01
分类号
代理机构北京万慧达知识产权代理有限公司;
代理人白华胜
地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号
入库时间 2023-06-19 02:58:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/485 申请公布日:20170808 申请日:20161201

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-09-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/485 申请日:20161201

实质审查的生效
2017-08-08

公开

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