学业不良

摘要： 2021年,在“双减”政策指导下,全国开启课后服务工作,“双减”政策的背后,是希望得到“双提”,提高教育教学质量、提高家庭教育质量,因此更多的是对教育质量提质增效的内在需求。如何让学生在成长路上一个都不少是提质的关键。面对普遍存在于小学内部学业不良、学习困难的问题,积极有效转化,帮助每一位学生成为成功的学习者,不仅对增强学生综合学习能力,提升核心素养发展具有重要作用,也是教育面向全体、促进教育公平的重要内容。

摘要： 学业不良学生在日常生活中的表现千差万别,本文以中职学校建筑工程技术专业学生为主要调研对象,从多个角度展开调查与探究,并经过教育统计和分析,剖析导致中职学生在建筑制图课程学习中学业不良的主要原因,并提供了解决中职学生在建筑专业课程中学业不良问题的主要措施。

摘要： 【案例描述】晓宇(化名),初三年级男生,家中独子,父母对其期望很高,但因其学业不良,导致亲子关系十分紧张。自读初中后,晓宇就经常与父母发生冲突,且每次吵架都会提及“死亡”字眼。家长初时很无奈,时间一长,就认为孩子是在无病呻吟。学校老师则很紧张,担心晓宇出现伤害自己的行为,并对他加强了关注。随着中考临近和学业压力增大,晓宇与父母的矛盾进一步加剧。有一天,晓宇情绪崩溃.

摘要： 学业不良学生是指智力正常,但其学业成绩明显低于其能力应达水平,或明显低于平均水平的学生.调查发现,S县9887名小学五年级数学学生学业不良发生率为34.1％,学业严重不良发生率为13.6％.分析发现,学业不良学生群体具有学习兴趣偏低,学习动机不足,自我效能感差,学习坚毅程度较低和学习策略较差等特征.对此,可从三方面入手,帮助学生都能得到良好的教育,从而实现不同的人在数学上得到不同的发展.一是分层教学,帮助学生确立适合的学习目标;二是营造积极心理环境,帮助学生发现自己的性格优势;三是加强个别化指导,帮助学生优化改进策略.

摘要： 在全力打赢全面振兴本科教育攻坚战的背景下,高校、教师和学生共同制止学业不良现象的蔓延具有重要意义。通过对地方高校大学生学业不良现象进行思考,从学习压力、学习方法和自我约束力等方面分析了学业不良现象的学生自身因素,从人才培养的基础环境、师资队伍的整体水平和学习效果的评价体系等方面分析了学业不良现象的客观原因,围绕高校扎实推进机制体制改革、强化教师的教书育人使命、激发学生成长成才的内在动力等方面提出了制止学业不良现象的建议。

摘要： 高职院校学生因基础差、知识接受能力弱、自我管控能力差、可能存在学习心理障碍.教师授课方式单一、教育态度不良、知识储备不足、学校管理政策及评价政策不到位等对学生学业皆具有直接或间接的影响.解决学生学业不良需要从分层分类精准甄别,提供个性化与差异化服务,推动资源融合并强化过程监督,实现对学业不良学生精准帮扶.

摘要： 在全力打赢全面振兴本科教育攻坚战的背景下,高校、教师和学生共同制止学业不良现象的蔓延具有重要意义.通过对地方高校大学生学业不良现象进行思考,从学习压力、学习方法和自我约束力等方面分析了学业不良现象的学生自身因素,从人才培养的基础环境、师资队伍的整体水平和学习效果的评价体系等方面分析了学业不良现象的客观原因,围绕高校扎实推进机制体制改革、强化教师的教书育人使命、激发学生成长成才的内在动力等方面提出了制止学业不良现象的建议.

摘要： 认知行为疗法(CBT)是一种通过改变思维或信念和行为的方法来改变不良认知,达到消除不良情绪和非适应性行为反应的短程结构式心理治疗方法.以CBT理论为基础,通过对学业不良的高职生进行学业帮扶、团体辅导、个案咨询及支持体系建立,建构一套有效的预防干预模式,来实现其学业水平的提升和自我成长.

摘要： 笔者首先界定了学业不良的概念,基于学业不良对学生的重要影响,针对小学低年级阶段的学生的学业不良问题进行了四方面(学生心理、学习心理、教师心理、教学心理)的心理成因分析。随后笔者给出了四个维度上的对应改善建议,力求从解决小学生的初始阶段出现的学业不良问题开始帮助学生健康成长和发展。

摘要： 近年来，随着高校在校生规模的不断扩大，因学业达不到要求而留级、退学、不授学位，不能毕业的学生不再是个别现象，大学生中的学业不良问题亟待社会的高度重视和深入研究。然而造成大学生学业不良的因素是十分复杂的，其中认知障碍、情绪障碍、意志障碍、自我效能感偏低、错误的成败归因、自控能力欠缺、不良的个性等心理因素是极其重要的内在原因。要从根本上解决学业不良大学生的心理问题，提高其学习效率，高校相关部门必须积极探究深层次原因，并制定可行性方案、对策研究。

摘要： 作者针对流动人口的子女学业不良的调查与研究,论述了学业不良的多种因素,并初步探讨了各种干预手段,提出了家、校、社一体化的通力协作策略.

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 该面形状不良产生区域推断方法是推断将被加工材料塑性加工而得的塑性加工品的面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断方法，具备取得第一应力分布σ(T1)的第一应力分布取得工序、取得第二应力分布σ(T2)的第二应力分布取得工序、取得比较应力分布σ(T1，T2)的比较应力分布取得工序、取得分割比较应力分布σDIV(T1，T2)的分割比较应力分布取得工序、以及分别推断分割区域Dk是否是面形状不良的产生区域的面形状不良产生区域推断工序。

摘要： 由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。

摘要： 提供能够提供节省输入操作、验证操作、减少输入失误的端子压接不良检测装置的压接不良判定数据制作方法。在用于判定压接处理是否合格的压接不良判定数据制作方法中，在端子压接装置(21)中预先存储合格品用加工数据和不合格品产生用加工数据，具备：不合格品检测波形数据生成工序，根据不合格品产生用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；合格品检测波形数据生成工序，根据合格品用加工数据进行端子压接处理，生成表示此时的压力值的变化的检测波形数据并存储；以及判定数据生成工程，根据在不合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据和在合格品检测波形数据生成工序中存储的检测波形数据的关系，计算基准波形数据和容许公差并生成合格/不合格判定用数据。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数，选择通过次数最多的候补网路，以作为第1不良网路，并且，着眼于第1不良网路未通过的分析区域，进行第2不良网路的选择。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

摘要： 由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。

摘要： 公开了用于治疗脑白质营养不良，特别是H‑ABC的组合物和方法。

摘要： 本申请提供一种剔除芯片不良品的设备及剔除芯片不良品的方法。所述剔除芯片不良品的设备包括控制器、激光系统及摄像装置。所述控制器用于控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，并根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品。所述激光系统用于产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，以将所述芯片不良品剔除。