雪崩二极管

摘要： 太赫兹源辐射功率较低已成为制约太赫兹科学技术发展的主要瓶颈问题.为有效提高太赫兹源辐射功率,提出了基于多双漂移雪崩管的分立腔体倍频方法,在此基础上设计和实现波导结构的太赫兹功率合成器.在倍频器的输入端对各独立激励源的中频信号进行移相,完成倍频输出的精确相位控制,从而实现各单元输出的太赫兹信号同相位合成,提高功率合成效率,避免使用太赫兹频段移相器等部组件的问题,降低实现复杂度,易于实现.仿真和实测结果表明,4路激励源太赫兹功率合成器的合成效率约79％～89％.

摘要： 太赫兹源辐射功率较低已成为制约太赫兹科学技术发展的主要瓶颈问题。为有效提高太赫兹源辐射功率,提出了基于多双漂移雪崩管的分立腔体倍频方法,在此基础上设计和实现波导结构的太赫兹功率合成器。在倍频器的输入端对各独立激励源的中频信号进行移相,完成倍频输出的精确相位控制,从而实现各单元输出的太赫兹信号同相位合成,提高功率合成效率,避免使用太赫兹频段移相器等部组件的问题,降低实现复杂度,易于实现。仿真和实测结果表明,4路激励源太赫兹功率合成器的合成效率约79%~89%。

摘要： 本文简要介绍了西门子SM150变频器在运行过程中出现的常见故障,其中最典型的为直流回路过电压故障.介绍了变频器过电压故障的处理方法.

摘要： 自由空间光通信(free space optical communication,FSO)技术是通信前沿技术之一,雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD)阵列探测器以其高灵敏度、高带宽、低噪声的优势应用于FSO系统,成为国内外研究热点.本文分析了FSO对APD阵列探测器的性能需求,回顾了国内外近年来用于无线光通信的APD阵列的研究现状,其中重点介绍了美国林肯实验室以及海军实验室的研究成果,最后对APD阵列探测器在FSO应用的发展方向进行了预测与总结.%Free space optical communication technology is one of the cutting edge technology in communication.APD array detector has been widely applied to the FSO system because of its high sensitivity,high bandwidth and low noise,so it becomes a research hotspot at home and abroad.The performance requirements of FSO for APD array detectors are analyzed,and the research status of APD arrays for wireless optical communication in recent years is reviewed.The research results of Lincoln Laboratory and Naval Research Laboratory are introduced.Finally,the development directions of APD array detector in FSO are forecasted and summarized.

摘要： 与传统无线通信技术相比,新兴的无线通信技术——可见光通信(visible light communication, VLC)具备照明和通信双重功能,因具有不占用无线电频谱,没有电磁干扰和辐射等优点而受到广泛关注.在已有的可见光通信技术研究的基础上,对可见光调制和编码方式进行了进一步研究,提出了一种发光二极管(light emitting diode, LED)光源布局方式并设计了专门的驱动电路,实现了大范围的可见光覆盖,设计并实现了基于移动场景下的可见光通信系统.在可见光发送端距离接收端3 m的情况下,实现了接收端在移动状态下的灵敏接收(接收时延200 ns),可见光通信速率可达到0.5 Mbit/s,有效光覆盖范围达到5 m×5 m.%Compared to traditional wireless communication technologies, visible light communication, an emerging wireless communication technology with the dual functions non-electro of lighting and communication has attracted great attention for the advantages of not occupying radio frequency spectrum, non-electromagnetic interference or radiation.Based on the research of existing visible light communication technology, the modulation and encoding theories of visible light communication were further discussed in this paper.A layout mode of LED light source and a special driving circuit were proposed and designed to realize a wide coverage of light.Finally, a visible light communication system was implemented based on mobile scenario.In the case, when the transmission end is 3 m away from the receiver, the signal can be sensitively received in moving state (only with 200 ns delay), and the visible light communication rate can reach 0.5 Mbit/s, while the effective visible light coverage can attain the range of 5 m×5 m.

摘要： 激光测距机作为测量船海上距离标定的设备,主要为雷达设备提供标校用的距离信息.本文介绍了某型光电经纬仪在海上标校进行跟踪信标球的过程中出现的测距距离不达标问题,通过对这一故障进行排查,完成对激光测距机故障定位,同时对故障出现的诱因进行机理分析,制定该激光测距机的使用策略,对其他单位激光测距机的使用及故障分析具有一定的借鉴意义.

摘要： 单光子探测技术能够有效提高系统的精度和探测效率.在空间激光通信系统中,入射光场强度十分微弱,几乎到达光子量级,一般的光电探测器所探测到的信号这时就会被噪声所干扰甚至淹没,而单光子探测技术则用来测量这种极微弱的光信号.基于门控的InGaAs/InP雪崩光电二极管的单光子探测技术有后脉冲概率低、时间抖动小、计数率高等特点.为了抑制门控充放电噪声提取微弱雪崩信号,该文介绍了国内外基于门控探测的InGaAs/InP APD的主要几种方案:放电脉冲探测技术、正弦门控滤波技术和差分平衡探测技术.总结了单光子探测近年来的发展与应用,最后对该技术的前景进行了展望.

摘要： 单光子探测系统可以对单个光子进行探测;探测系统含有探测部分、淬灭电路部分和计数部分;探测部分主要由工作在盖革模式下的雪崩光电二极管组成;在盖革模式下的雪崩光电二极管发生雪崩后不能自然停止,淬灭部分主要为了主动抑制雪崩电流,快速降低雪崩电压,以达到提高探测效率,降低错误计数的目的;APD线列产生多个光子脉冲信号,计数部分的主要功能是对多路光子脉冲信号进行计数、显示并且可以控制每路APD的比较电压,保证每路APD淬灭电路的正常工作.

摘要： 为了降低单光子雪崩二极管探测的寄生脉冲,本文设计了一种应用与自由运行模式的先进被动式淬火电路.同时设计了其测试步骤,测量了该电路的暗计数率和单光子雪崩二极管的寄生脉冲.结果表明这种新的被动淬火电路相对于传统电路有更好的寄生脉冲性能。

摘要： 叙述了车用雪崩二极管并联的必然性，从实验上给出了正向通态电流的均流原则，给出了反向雪崩电流发生时的均流原则，给出了车用雪崩二极管的选择原则。

摘要： 由于宽禁带、高增益所带来的优越光电性能,GaN基材料雪崩二极管(APD)在近年得到广泛的关注,成为紫外探测的重要工具。本文使用蒙特卡罗方法对GaN基雪崩二极管器件进行理论模拟,通过二维模型我们通过模拟得到了载流子漂移速度、平均能量、能谷占有率等稳态结果,对电子和空穴两种载流子的输运特性进行了理论的探讨和研究；同时使用一维简化模型对GaN基材料器件特性进行了模拟,得到了碰撞电离系数、速度过冲、增益和噪声等结果。

摘要： 叙述了汽车抛负载电压的产生、危害及其抑制方法。在交流发电机专机上进行了抛负载试验的再研究，说明只有采用高雪崩性能的二极管整流组件，才能确保通过抛负载试验，满足交流发电机的应用要求。简述了制造车用高雪崩性能二极管的基本方法。

摘要： 本文通过分析雪崩二极管基本模型,搭建了雪崩二极管等效电路,利用软件仿真其高次倍频特性,并采取了一种新的倍频腔结构来实现雪崩高次倍频组件,输出频率95.164GHz,输出功率5 mW.

摘要： 通过对雪崩二极管非线性电路模型的数学表达式的分析,建立雪崩倍频二极管的等效电路,并利用计算机仿真软件模拟雪崩倍频二极管在非线性状态下的倍频特性,从而为雪崩倍频器的设计提供了重要的理论依据.

摘要： 本文介绍了3mm高Q腔稳频连续波雪崩二极管振荡器的设计、调试与实测结果.

摘要： 本文所介绍的3 mm智能噪声源输出ENR为14--20dB，可实现对3 mm器件的噪声特性的测试。并采用I2C总线智能接日技术，实现噪声源超噪比的自动加载，使噪声源即插即用，可极大简化用户在测量过程中的繁琐操作，提高用户测试速度和结果的正确性。

摘要： 本文所介绍的3 mm智能噪声源输出ENR为14--20dB，可实现对3 mm器件的噪声特性的测试。并采用I2C总线智能接日技术，实现噪声源超噪比的自动加载，使噪声源即插即用，可极大简化用户在测量过程中的繁琐操作，提高用户测试速度和结果的正确性。

摘要： 本文所介绍的3 mm智能噪声源输出ENR为14--20dB，可实现对3 mm器件的噪声特性的测试。并采用I2C总线智能接日技术，实现噪声源超噪比的自动加载，使噪声源即插即用，可极大简化用户在测量过程中的繁琐操作，提高用户测试速度和结果的正确性。

摘要： 本发明提供了一种用于制备雪崩光电二极管的方法及雪崩光电二极管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在InP衬底上沉积生长N+‑InP层、N+‑InAlAs层、InAlAs倍增层和第一子电荷层；设定铝源炉的目标温度为第一目标温度，在铝源炉开始降温同时，利用铝源炉沉积生长第二子电荷层；将镓源炉的温度升高至第二温度；设定镓源炉的目标温度为第二目标温度，在镓源炉开始降温同时，利用镓源炉沉积生长第一子吸收层；等待镓源炉降温至第二目标温度后，利用镓源炉沉积生长第二子吸收层。通过在铝源炉降温的同时生长P‑InAlAs电荷层的一部分，通过在镓源炉降温的同时生长InGaAs吸收层的一部分，由上述两个部分形成的界面为载流子的输运提供了平滑的过渡，减小了载流子的阻塞效应。

摘要： 一种半导体主体，包括第一导电类型的掩埋层(25)、第一导电类型的第一区(26)、在半导体主体(11)的第一表面(13)处的第二导电类型的浅区(27)、位于半导体主体(11)的第一表面(13)处的第一导电类型的沉降部(35)、以及环绕沉降部(35)和掩埋层(25)中至少之一的第一导电类型的分离区(60、60')。第一区(26)位于掩埋层(25)与浅区(27)之间。

摘要： 本发明提供了一种用于制备雪崩光电二极管的方法及雪崩光电二极管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在InP衬底上沉积生长N+‑InP层、N+‑InAlAs层、InAlAs倍增层和第一子电荷层；设定铝源炉的目标温度为第一目标温度，在铝源炉开始降温同时，利用铝源炉沉积生长第二子电荷层；将镓源炉的温度升高至第二温度；设定镓源炉的目标温度为第二目标温度，在镓源炉开始降温同时，利用镓源炉沉积生长第一子吸收层；等待镓源炉降温至第二目标温度后，利用镓源炉沉积生长第二子吸收层。通过在铝源炉降温的同时生长P‑InAlAs电荷层的一部分，通过在镓源炉降温的同时生长InGaAs吸收层的一部分，由上述两个部分形成的界面为载流子的输运提供了平滑的过渡，减小了载流子的阻塞效应。

摘要： 本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。

摘要： 本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列。所述单光子雪崩二极管在有源区的边缘区域设有沿衬底厚度方向纵向延伸的p型掺杂区，并且，在p型掺杂区的远离隔离沟槽的一侧，还设有沿衬底厚度方向纵向延伸的n型掺杂区，p型掺杂区和n型掺杂区对隔离沟槽处产生的缺陷起到了隔离作用，可以有效降低由于该缺陷引起的暗计数，并且，所述n型掺杂区与有源区内pn结中的与所述n型掺杂区具有相同掺杂类型的掺杂区电连接，能够将因p型掺杂区而收缩的耗尽区拓宽，使得在降低单光子雪崩二极管的暗计数率的同时，不影响器件的光子探测效率。所述单光子雪崩二极管阵列包括阵列排布的上述单光子雪崩二极管。

摘要： 一种单光子雪崩二极管SPAD包括有源区(10)，该有源区布置为产生光子触发的雪崩电流。覆盖件(12)布置在有源区(10)上或之上。覆盖件(12)对有源区(10)屏蔽入射光子。覆盖件(12)包括至少第一金属层和第二金属层(13、14)的叠层。金属层(13、14)的至少一个，例如第一金属层(13)，包括孔(15)。金属层(13、14)布置为相对于光轴(OA)在叠层中以沿着光轴(OA)开放有效孔(18)。通过有效孔(18)，有源区(10)的部分(19)暴露于沿着光轴(OA)入射的入射光子。有效孔(18)比布置在第一金属层(13)中的孔(15)小。

摘要： 一种雪崩二极管装置，包括：雪崩二极管(11)，其耦合到第一电压端子(14)和第一节点(15)；锁存比较器(12)，具有连接到所述第一节点(15)的第一输入(16)、用于接收参考电压(VREF)的第二输入(17)和用于接收比较器使能信号(CLK)的使能输入(21)；以及猝熄电路(13)，其连接到所述第一节点(15)。

摘要： 本公开涉及单光子雪崩二极管(SPAD)检测器，包括：半导体衬底(1)，其具有体区域(10)；在半导体衬底的体区域处的至少一个SPAD(2)，SPAD具有倍增结区域(20)；以及操作电路(3)，被配置为生成用于将光生载流子从半导体衬底的体区域传输到SPAD的倍增结区域的电传输场。本公开还涉及用于操作SPAD的方法。

摘要： 本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。

摘要： 本实用新型公开了一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列，包括外壳、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极穿过外壳两端固定安装在二极管内部的管芯上，所述外壳上正反面设置有凹槽，所述凹槽内设置有多孔降噪板；所述外壳内部和管芯之间设置有一定的空隙；所述空隙内填充有多孔降噪板，管芯上直接包裹多孔降噪板，有利于进一步加强雪崩二极管的降噪效果；本实用新型结构设置巧妙且布置合理，本实用新型中在雪崩二极管的外壳上设置凹槽，在凹槽内安装多孔降噪板，利用声波进入多孔降噪板内部互相贯通的孔隙，空气分子受到摩擦和沾滞阻力，使空气产生振动，从而使声能转化为机械能最后因摩擦而转变为热能被吸收，起到明显的降噪效果。