Applied Materials, P.O. Box 58039, Santa Clara, CA 95054;
metrology delay time; litho cell cycle time; send-ahead wafers; integrated metrology; AMHS; small lot manufacturing;
机译:通过电子束光刻对13nm栅极故意缺陷阵列(IDA)晶圆进行构图,以进行缺陷计量评估
机译:通过ArF浸没光刻工艺在300 mm SOI晶片上制造的基于Si-纳米线的多级延迟Mach-Zehnder干涉仪光学MUX / DeMUX
机译:通过基于虚拟计量的晶圆对晶圆控制解决等离子蚀刻中关键尺寸随时间的漂移
机译:通过小批次运输的光刻延迟时间减少
机译:评估CANDU反应堆中发生故障的燃料与延迟的中子探测器之间的运输时间的影响。
机译:X射线光刻掩模计量学:透射电子在SEM中用于线宽测量
机译:具有离散和分布时滞的中立型线性和非线性时不变时滞系统的模型简化