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首页> 外文会议>Optical microlithography XXVI >High Order Field-to-Field Corrections for Imaging and Overlay to Achieve Sub 20-nm Lithography Requirements
【24h】

High Order Field-to-Field Corrections for Imaging and Overlay to Achieve Sub 20-nm Lithography Requirements

机译：用于成像和覆盖的高阶场到场校正，可达到20 nm以下的光刻要求

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Immersion lithography is being extended to the 20-nm and 14-nm node and the lithography performance requirements need to be tightened further to enable this shrink. In this paper we present an integral method to enable high-order field-to-field corrections for both imaging and overlay, and we show that this method improves the performance with 20% -50%. The lithography architecture we build for these higher order corrections connects the dynamic scanner actuators with the angle resolved scatterometer via a separate application server. Improvements of CD uniformity are based on enabling the use of freeform intra-field dose actuator and field-to-field control of focus. The feedback control loop uses CD and focus targets placed on the production mask. For the overlay metrology we use small in-die diffraction based overlay targets. Improvements of overlay are based on using the high order intra-field correction actuators on a field-to-field basis. We use this to reduce the machine matching error, extending the heating control and extending the correction capability for process induced errors.
机译：浸没式光刻技术正在扩展到20-nm和14-nm节点，并且需要进一步提高对光刻技术的要求，以实现这种缩小。在本文中，我们提出了一种集成方法，可以对成像和叠加进行高阶场到场校正，并且我们证明该方法将性能提高了20％-50％。我们为这些高阶校正建立的光刻体系结构通过单独的应用程序服务器将动态扫描仪执行器与角度分辨散射仪连接起来。 CD均匀性的改善是基于能够使用自由形式的场内剂量致动器和场对场的聚焦控制。反馈控制回路使用CD和聚焦目标放置在生产掩模上。对于覆盖计量，我们使用基于小晶粒内衍射的覆盖目标。叠加的改进基于在场对场的基础上使用高阶场内校正执行器。我们使用它来减少机器匹配误差，扩展加热控制并扩展对过程引起的误差的校正能力。

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