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Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)
Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)
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1.
Simple Analytical Model to Study the ZTC Bias Point in FinFETs
机译:
用于研究FinFET的ZTC偏置点的简单分析模型
作者:
M. Bellodi
;
L. M. Camillo
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. CIaeysv
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
2.
Modeling the Back-Gate Coupling Effect in Triple-, Pi- and Omega-GateFETs
机译:
模拟三,Pi和Omega-GateFET中的后栅极耦合效应
作者:
R. Ritzenthaler
;
M. Gaillardin
;
K. Akarvardar
;
O. Faynot
;
C. Jahan
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
3.
Origin of Transient Gate Current Observed in Pseudo-MOS Transistor
机译:
伪MOS晶体管中观察到的瞬态栅极电流的起源
作者:
Shingo Sato
;
Nguyen Quang Tuan
;
Sorin Cristoloveanu
;
Yasuhisa Omura
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
4.
Hot Carrier Instability Mechanism in Accumulation-Mode Normally-off SOI nMOSFETs and Their Reliability Advantage
机译:
累积模式常关型SOI nMOSFET的热载流子不稳定性机理及其可靠性优势
作者:
R. Kuroda
;
A. Teramoto
;
W. Cheng
;
S. Sugawa
;
T. Ohmi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
5.
Advanced heterostructure Si-InSb on insulator formed by bonding of hydrogen transferred Si layer and implanted SiO_2 film
机译:
通过氢转移硅层和注入的SiO_2膜的结合形成的绝缘体上的高级异质结构Si-InSb
作者:
V. P. Popov
;
I. E.Tyschenko
;
A. G. Cherkov
;
G. P. Pokhil
;
V. M. Fridman
;
M. Voelskow
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
6.
Electronic and Thermal Properties of Silicon Nanowires
机译:
硅纳米线的电子和热学性质
作者:
E. B. Ramayya
;
D. Vasileska
;
S. M. Goodnick
;
I. Knezevic
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
7.
Non-Contact Photoelectric Method For Thin SOI Characterization
机译:
非接触光电方法用于薄SOI表征
作者:
E. Tsidilkovski
;
K. Steeples
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
8.
Implant Metrology for Bonded SOI Wafers Using a Surface Photo-Voltage Technique
机译:
使用表面光电压技术的键合SOI晶圆的植入物计量学
作者:
Adam Bertuch
;
Wesley Smith
;
Ken Steeples
;
Robert Standley
;
Anca Stefanescu
;
Ron Johnson
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
9.
Low Temperature Properties of Multi-Independent-Gate FET (MIGFET) Operating in Single-Gate and Double-Gate Modes
机译:
在单门和双门模式下运行的多独立门FET(MIGFET)的低温特性
作者:
K-I Na
;
S. Eminente
;
S. Cristoloveanu
;
L. Mathew
;
A. Vandooren
;
Y-H Bae
;
J-H Lee
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
10.
Analysis of Trench Gate Power LDMOS Transistors in Thin SOI Technology
机译:
薄SOI技术中的沟槽栅极功率LDMOS晶体管分析
作者:
I. Cortes
;
P. Fernandez-Martinez
;
D. Flores
;
S Hidalgo
;
J. Rebolio
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
11.
Temperature Influences on FinFETs with Undoped Body
机译:
温度对未掺杂主体的FinFET的影响
作者:
M. A. Pavanello
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
R. Rooyackers
;
N. Collaert
;
C. Claeys
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
12.
Application of Double Gate Graded-Channel SOI in MOSFET-C Balanced Structures
机译:
双栅梯度沟道SOI在MOSFET-C平衡结构中的应用
作者:
R. T. Doria
;
M. A. Pavanello
;
A. Cerdeira
;
J. P. Raskin
;
D. Flandre
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
13.
SOI Metrology and Characterization in Modern Wafer Production
机译:
现代晶圆生产中的SOI计量和表征
作者:
O.Kononchuk
;
F.Brunier
;
M. Kennard
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
14.
Atomic-scale simulations of electron mobilities in ultrathin SOI MOSFETs
机译:
超薄SOI MOSFET中电子迁移率的原子尺度模拟
作者:
Sokrates T. Pantelides
;
G. Hadjisawas
;
M. H. Evans
;
L. Tsetseris
;
M. Caussanel
;
R. D. Schrimpf
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
15.
Mobility Characterization by Magnetoresistance in Ultra Thin SOI Ring-FETs
机译:
超薄SOI环形FET中的磁阻迁移率表征
作者:
T.V. Chandrasekhar Rao
;
S. Cristoloveanu
;
J. Antoszewski
;
T. Nguyen
;
H. Hovel
;
P. Gentil
;
L. Faraone
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
16.
Mixed orientation Si-Si interfaces by hydrophilic bonding and high temperature oxide dissolution: wafer fabrication technique and device applications
机译:
通过亲水键合和高温氧化物溶解实现混合取向的Si-Si界面:晶圆制造技术和器件应用
作者:
K.L. Saenger
;
J.P. de Souza
;
K. Fogel
;
J.A. Ott
;
A. Reznicek
;
H. Yin
;
C.Y. Sung
;
D.K. Sadana
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
17.
Complementary Single-Crystal Silicon TFTs on Plastic
机译:
塑料上的互补单晶硅TFT
作者:
H.-C. Yuan
;
Z. Ma
;
C. S. Ritz
;
D. E. Savage
;
M. G. Lagally
;
G. K. Celler
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
18.
Structural properties of tensile-strained Si layers grown on Si_(1-x)Ge_x virtual substrates (x = 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5)
机译:
在Si_(1-x)Ge_x虚拟衬底上生长的拉伸应变Si层的结构特性(x = 0.2、0.3、0.4和0.5)
作者:
J.M. Hartmann
;
D. Rouchon
;
J.P. Barnes
;
M. Mermoux
;
T. Billon
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
19.
Integration of SOI-based 2D- and Si-based 3D photonic crystals
机译:
集成基于SOI的2D和基于Si的3D光子晶体
作者:
G. Kocher
;
W. Khunsin
;
J. Romero Vivas
;
K. Vynck
;
S. Arpiainen
;
S. G. Romanov
;
B. Lange
;
M. Mulot
;
F. Jonsson
;
T. Charvolin
;
E. Hajdi
;
D. Cassagne
;
R. Zentel
;
J. Ahopelto
;
C. M. Sotomayor Torres
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
20.
Heavy Ion Induced Upset Cross-Sections of 150nm SOI CMOS SRAMs Fabricated In UNIBOND~(TM)
机译:
在UNIBOND〜(TM)中制造的150nm SOI CMOS SRAM的重离子诱导横穿截面
作者:
S. T. Liu
;
D. K. Nelson
;
J. C. Tsang
;
H. L. Hughes
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
21.
Intrinsic Advantages of SOI Multiple-Gate MOSFET (MuGFET) for Low Power Applications
机译:
SOI多栅极MOSFET(MuGFET)在低功耗应用中的内在优势
作者:
Weize Xiong
;
C. Rinn Cleavelin
;
Che-Hua Hsu
;
Mike Ma
;
K. Schruefer
;
Klaus Von Armiti
;
T. Schulz
;
I. Cayrefourcq
;
C. Mazure
;
P. Patruno
;
M. Kennard
;
Kyoungsub Shin
;
Xin Sun
;
Tsu-Jae King Liu
;
K. Cherkaoui
;
J.P Colinge
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
22.
IMPACT OF METAL SILICIDE LAYOUT COVERING SOURCE/DRAIN DIFFUSIONS ON PARASITIC RESISTANCE OF TRIPLE-GATE SOI MOSFET
机译:
金属硅化物覆盖源/漏扩散对三栅SOI MOSFET寄生电阻的影响
作者:
K. Yoshimoto
;
Y. Omura
;
H. Wakabayashi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
23.
High Dose Implantation Impact on the Carrier Mobility in Ultra-Thin Unstrained and Strained SOI Films
机译:
大剂量植入对超薄无应变和应变SOI薄膜载流子迁移的影响
作者:
C. Dupre
;
P. F. Fazzini
;
T. Ernst
;
F. Cristiano
;
J.-M. Hartmann
;
A. Claverie
;
F. Andrieu
;
O. Faynot
;
P. Rivallin
;
F. Laugier
;
G. Ghibaudo
;
S. Cristoloveanu
;
S. Deleonibus
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
24.
UNIAXIAL STRAIN ENHANCEMENT IN SOI TECHNOLOGY FOR THE IMPROVEMENT OF CHANNEL AND EXTERIOR RESISTANCES
机译:
SOI技术中的单轴应变增强,以改善通道和外部电阻
作者:
Da Zhang
;
D. Goedeke
;
V. Dhandapani
;
J. Hildreth
;
C.C. Fu
;
T. Kropewnicki
;
A. Lu
;
M. Jahanbani
;
H. Martinez
;
R. Noble
;
D. Eades
;
N. Liu
;
L. Kang
;
B.Y. Nguyen
;
V. Kolagunta
;
M. Hall
;
J. Cheek
;
S. Venkatesan
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
|
2007年
25.
Fabrication of SOI MOSFET by 'Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI)' method
机译:
通过“键合硅岛分离(SBSI)”方法制造SOI MOSFET
作者:
K. Kanemoto
;
H. Oka
;
H. Hisamatsu
;
Y. Matsuzawa
;
Y. Kitano
;
T. Hara
;
M. Hoshina
;
S. Ohmi
;
J. Kato
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
26.
Significance of Gate Underlap Architecture in FinFETs for Low-Voltage Analog/RF Applications
机译:
FinFET中栅极下重叠架构对于低压模拟/ RF应用的意义
作者:
Abhinav Kranti
;
G. Alastair Armstrong
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
27.
Embedding Device Solutions in Engineered Substrates
机译:
在工程衬底中嵌入设备解决方案
作者:
Carlos Mazure
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
28.
Physics and Integration Of Fully-Depleted Silicon-On-Insulator Devices
机译:
完全耗尽的绝缘体上硅器件的物理和集成
作者:
A. Vandooren
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
29.
Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si(llO) Surface
机译:
Si(llO)表面上完全耗尽的SOI MOSFET中改善的迁移率和抑制的1 / f噪声的影响
作者:
W. Cheng
;
A. Teramoto
;
C. Tye
;
P. Gaubert
;
M. Hirayama
;
S. Sugawa
;
T. Ohmi
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
30.
The 'C' Shape Behavior of the Gate Induced Floating Body Effect in function of temperature in PD SOI nMOSFETs
机译:
PD SOI nMOSFET的栅极感应浮体效应的'C'形行为与温度的函数关系
作者:
Paula Ghedini Der Agopian
;
Joao Antonio Martino
;
Eddy Simoen
;
Cor Claeys
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
31.
Thin Film Transistor and ULSIC Technologies - Parallel or Crossing?
机译:
薄膜晶体管和ULSIC技术-并联还是交叉?
作者:
Yue Kuo
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
32.
Epitaxial Regrowth of Ge on SGOI and GeOI Substrates Obtained by Ge Condensation
机译:
Ge凝结获得的SGOI和GeOI衬底上Ge的外延生长
作者:
J-F. Damlencourt
;
Y. Campidelli
;
M-C. Roure
;
B. Vincent
;
E. Martinez
;
F. Fillot
;
Y. Morand
;
B. Arrazat
;
T. Nguyen
;
S. Cristoloveanu
;
L. Clavelier
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
33.
Ordered Lattices of Quantum Dots on Ultrathin SOI Nanomembranes
机译:
超薄SOI纳米膜上的量子点有序晶格
作者:
Clark Ritz
;
Frank Flack
;
Donald Savage
;
Douglas Detert
;
Paul G. Evans
;
Max Lagally
;
Zhonghou Cai
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
34.
LEGO Process for Mixed Power Applications: Fabrication at Low Cost of Localized Thick SOI Layers
机译:
混合动力应用的LEGO工艺:低成本制造局部厚SOI层
作者:
I. Bertrand
;
J-M. Dilhac
;
P.Renaud
;
M.Bafleur
;
C.Ganibal
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
35.
A Novel Method to Fabricate Multiple-layer SOI - Single-Crystal Si Nanomembrane Transfer and Stacking
机译:
一种制造多层SOI的新方法-单晶硅纳米膜转移和堆叠
作者:
Weina Peng
;
Michelle M. Roberts
;
Eric P. Nordberg
;
Frank S. Flack
;
Paula E. Colavita
;
Robert J. Hamers
;
Donald E. Savage
;
Max G. Lagally
;
Mark A. Eriksson
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
36.
Strained Silicon-On-Insulator - Fabrication and Characterization
机译:
应变绝缘体上硅-制备与表征
作者:
M. Reiche
;
C. Himcinschi
;
U. Goesele
;
S. Christiansen
;
S. Mantl
;
D. Buca
;
Q.T. Zhao
;
S. Feste
;
R. Loo
;
D. Nguyen
;
W. Buchholtz
;
A. Wei
;
M. Horstmann
;
D. Feijoo
;
P. Storck
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
37.
Analysis of PD SOI pMOSFET Device Performance Enhancement due to Direct- Tunneling Current in the Partial n+ Poly Gate
机译:
部分n +多晶硅栅极中的直接隧穿电流导致PD SOI pMOSFET器件性能增强的分析
作者:
G. Guegan
;
J. Pretet
;
R. Gwoziecki
;
O. Gonnard
;
G. Gouget
;
P. Touret
;
C. Raynaud
;
S. Deleonibus
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
38.
Assessment of the CBR quantum transport simulator on experimentally fabricated nano-FinFET
机译:
在实验制造的纳米FinFET上评估CBR量子传输模拟器
作者:
H. Khan
;
D. Mamaluy
;
D. Vasileska
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
39.
A comprehensive study of the Corner Effects in Pi-Gate SOI MOSFETs
机译:
Pi-Gate SOI MOSFET角效应的综合研究
作者:
F. G. Ruiz
;
A. Godoy
;
F. Gamiz
;
C. Sampedro
;
L. Donetti
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
40.
IMPACT OF PHONON-LIMITED MOBILITY SUPERIORITY IN DOUBLE-GATE OR FINFET WITH A (111) SILICON AND (001) GERMANIUM SURFACE CHANNEL ON DEVICE SCALING
机译:
具有(111)硅和(001)锗表面通道的双门或FINFET中声子受限的流动性优势对器件缩放的影响
作者:
T. Yamamura
;
S. Sato
;
Y. Omura
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
41.
Non-Vertical Sidewall Angle Influence on Triple-Gate FinFETs Corner Effects
机译:
非垂直侧壁角度对三栅极FinFET角效应的影响
作者:
R.Giacomini
;
J. A. Martino
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
42.
Improved Model to Determine the Generation Lifetime in Short Channel SOI nMOSFETs
机译:
确定短沟道SOI nMOSFET产生寿命的改进模型
作者:
M. Galeti
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
43.
Evaluation of different etching techniques in order to reveal dislocations in thick Ge layers
机译:
评估不同蚀刻技术以揭示厚Ge层中的位错
作者:
A. Abbadie
;
J.M. Hartmann
;
C. Deguet
;
L. Sanchez
;
F. Brunier
;
F. Letertre
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
44.
A Chromium-free Defect Etching Solution for Application on SOI
机译:
用于SOI的无铬缺陷蚀刻解决方案
作者:
J. Maehliss
;
A. Abbadie
;
B. O. Kolbesen
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
45.
Strained Silicon Directly on Insulator (SSOI): Biaxial, Uniaxial, or Hybrid Strain?
机译:
直接在绝缘子(SSOI)上拉伸硅:双轴,单轴还是混合应变?
作者:
Aaron Thean
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
46.
Instability of Threshold Voltage of Flexible Single-Crystal Si TFTs
机译:
柔性单晶Si TFT阈值电压的不稳定性
作者:
H. Pang
;
H.-C. Yuan
;
M. G. Lagally
;
G. K. Celler
;
Z. Ma
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
47.
X-ray Absorption Speetroscopy of Strained-Si Nanomembranes
机译:
应变硅纳米膜的X射线吸收光谱
作者:
C. Euaruksakul
;
Z. Li
;
D. E. Savage
;
M. G. Lagally
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
48.
Heat Generation and Transport in SOI and GOI Devices
机译:
SOI和GOI设备中的热量产生和传输
作者:
Eric Pop
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
49.
Fabrication and Power-Management Demonstration of Four-Terminal FinFETs
机译:
四端子FinFET的制造和电源管理演示
作者:
K. Endo
;
Y. Liu
;
M. Masahara
;
T. Matsukawa
;
S. Ouchi
;
E. Suzuki
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
50.
Parasitic Effects Depending on Shape of Spacer Region on FinFETs
机译:
取决于FinFET上间隔区形状的寄生效应
作者:
Y. Kobayashi
;
K. Tsutsui
;
K. Kakushima
;
V. Hariharan
;
V. R. Rao
;
P. Ahmet
;
H. Iwai
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
51.
Investigation of Apertureless NSOM for Measurement of Stress in Strained Silicon
机译:
无孔NSOM测量应变硅应力的研究
作者:
Colin McDonough
;
Jacob Atesang
;
Yunfei Wang
;
Robert E. Geer
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
52.
Effective Control of Strain in SOI by SiN Deposition
机译:
通过SiN沉积有效控制SOI中的应变
作者:
Daisuke Kosemura
;
Kosuke Yamasaki
;
Yasuto Kakemura
;
Tetsuya Yoshida
;
Atsushi Ogura
;
Hidetsugu Uchida
;
Hideki Naruoka
;
Masaki Yoshimaru
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
53.
LOW TEMPERATURE CHARACTERIZATION OF HIGH-K DIELECTRIC METAL GATE FD-SOI NMOSFETS
机译:
高介电常数金属栅极FD-SOI NMOSFET的低温表征
作者:
L. Zafari
;
J. Jomaah
;
G. Ghibaudo
;
O. Faynot
;
VanDooren
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices; 20070506-11;20070506-11; Chicago,IL(US);Chicago,IL(US)》
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2007年
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