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Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices
Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices
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1.
Luminescence characteristics of single InGaN quantum wells grown on bulk GaN as compared to sapphire substrates
机译:
与蓝宝石衬底相比,在块状GaN上生长的单个InGaN量子阱的发光特性
作者:
J. C. Brooksby
;
S. Srinivasan
;
J. Mei
;
F. A. Ponce
;
T. Mukai
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
2.
Proposal and Modelling of Novel Multisection DFB Lasers with Varied Ridge Width
机译:
新型变截面脊宽的多截面DFB激光器的建议与建模
作者:
Qin Wan
;
Changzheng Sun
;
Yi Luo
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
关键词:
multisection DFB;
self-pulsation;
ridge waveguide;
large-signal dynamics;
3.
Room temperature continuous-wave operation of 1.33um InAs/GaAs quantum dot laser
机译:
1.33um InAs / GaAs量子点激光器的室温连续波操作
作者:
Q. Han
;
Z.C.Niu
;
H.Q.Ni
;
S.Y.Zhang
;
X.H.Yang
;
Y.Du
;
C.Z.Tong
;
H.Zhao
;
Y.Q.Xu
;
R.H.Wu
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
4.
Simulation of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Rate Equations
机译:
基于速率方程的垂直腔面发射激光器的仿真
作者:
Junqiang Cheng
;
Zhongyuan Yu
;
Shiqi Zheng
;
Yan Ren
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
关键词:
VCSELs;
rate-equation;
simulation;
5.
Preparation and photoluminescence performance of ZnO nanowires
机译:
ZnO纳米线的制备及光致发光性能
作者:
J. C. Wang
;
H. Deng
;
H. Cheng
;
Y. Li
;
Y. R. Li
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
关键词:
ZnO nanowires;
luminescence;
free exciton emission;
exciton-exciton collision emission;
6.
Prismatic stacking faults in epitaxially lateraly overgrown GaN
机译:
外延横向过生长GaN中的棱柱堆叠缺陷
作者:
J. Mei
;
S. Srinivasan
;
R. Liu
;
F. A. Ponce
;
Y. Narukawa
;
T. Mukai
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
7.
(In,Ga)As sidewall quantum wires on shallow-patterned InP (311)A
机译:
浅图案InP(311)A上的(In,Ga)As侧壁量子线
作者:
D. Zhou
;
R. Noe tzel
;
Q. Gong
;
P. Offermans
;
P.M. Koenraad
;
P.J. van Veldhoven
;
F.W.M. van Otten
;
T.J. Eijkemans
;
J.H. Wolter
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
8.
Cell Gap parameter selection of filled twisted reflective nematic liquid crystal
机译:
填充扭曲反射向列液晶的单元间隙参数选择
作者:
Chia -Fu Chang
;
Si-Wen
;
Wan
;
Zou-ni Wan
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
9.
Theory of Pattern-free Pulse-Train amplification in Reduced Dimensional Semiconductor Optical Amplifiers
机译:
尺寸减小的半导体光放大器中无模式脉冲激励放大的理论
作者:
M. Crowley
;
A.V. Uskov
;
A.D.Andreev
;
E.P. OReilly
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
10.
Strain-compensated InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers
机译:
应变补偿InGaAs / InAlAs量子级联激光器
作者:
Feng-Qi Liu
;
Xiu-Zhen Lu
;
Yu Guo
;
Jun-Qi Liu
;
Zhan-Guo Wang
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
11.
Investigation the dependence of volume, cap layer and aspect ratio on the strain distribution and electronic structure of self-organized InAs/GaAs quantum dot
机译:
研究体积,盖层和长宽比对自组织InAs / GaAs量子点的应变分布和电子结构的依赖性
作者:
Yumin Liu
;
Zhongyuan Yu
;
Yongzhen Huang
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
关键词:
quantum dot;
strain;
self-organized;
12.
Influence of Intraband Relaxation on Quantum Dot Lasers
机译:
带内弛豫对量子点激光器的影响
作者:
Sheng-ling Deng
;
Yong-Zhen Huang
;
Li- Juan Yu
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
13.
GaN-based blue-violet laser diodes
机译:
GaN基蓝紫色激光二极管
作者:
Yang Hui
;
Chen Lianghui
;
Zhang Shuming
;
Chong Ming
;
Zhu Jianjun
;
Zhao Degang
;
Ye Xiaojun
;
Li Deyao
;
Liu Zongshun
;
Duan Lihong
;
Zhao Wei
;
Wang Hai
;
Shi Yongsheng
;
Cao Qing
;
Sun Jie
;
Chen Jun
;
Liu Suying
;
Jin Ruiqin
;
Liang Junwu
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
14.
Atomic Arrangement at Au/p-GaN Interface in Low Resistance Contacts
机译:
低电阻触点中Au / p-GaN界面的原子排列
作者:
H. Omiya
;
S. Srinivasan
;
F. A. Ponce
;
S. Tanaka
;
H. Marui
;
T. Mukai
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
15.
A Trial of p-ZnO Preparation by R.F. Sputtering
机译:
R.F.制备p-ZnO的尝试。溅镀
作者:
Pang Xiaofeng
;
Yu Lei
;
Zhang Zhiyong
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
关键词:
p-ZnO;
r.f.sputtring;
nitrogen;
16.
Preparation and photolumineseence performance of ZnO nanowires
机译:
ZnO纳米线的制备及光致发光性能
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
17.
High-pressure characterisation of Si wafers and nanostructures
机译:
硅晶片和纳米结构的高压表征
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
18.
Luminescence characteristics of single lnGaN quantum wells grown on bulk GaN as compared to sapphire substrates
机译:
与蓝宝石衬底相比,在块状GaN上生长的单个lnGaN量子阱的发光特性
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
19.
Prismatic stacking faults in epitaxially laterally overgrown GaN
机译:
外延横向生长的GaN中的棱柱堆叠缺陷
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
20.
Investigation the dependence of volume, cap layer and aspect ratio on the strain distribution and electronicstructure of self-organized InAs/GaAs quantum dot
机译:
研究体积,盖层和纵横比对自组织InAs / GaAs量子点的应变分布和电子结构的依赖性
会议名称:
《Proceedings of the Summer School on Semiconductor Nanostructures and Optoelectronic Devices》
|
2005年
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