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Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999
Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999
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1.
GaInNAs / AaAs: A novel material system for many applications
机译:
GaInNAs / AaAs:适用于多种应用的新型材料系统
作者:
C.W.Tu
;
M.Sopanen
;
H.P.Xin
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
2.
Room temperature single electron transistor by AFM nano-oxidation process: coincidence in experimental and theoretical results
机译:
AFM纳米氧化法室温单电子晶体管:实验和理论结果一致
作者:
K.Matsumoto
;
Y.Gotoh
;
T.Maeda
;
J.Harris
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
3.
Base pushout and high current effects in InP-based Pnp heterojunction bipolar transistors
机译:
基于InP的Pnp异质结双极晶体管的基极推出和高电流效应
作者:
S.Datta
;
K.P.Roenker
;
M.M.Cahay
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
4.
Application of impedance technique to characteriza anodic oxides on PbSe surfaces
机译:
阻抗技术在表征PbSe表面阳极氧化上的应用
作者:
D.G.Ebling
;
H.Meincke
;
J.Heinze
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
5.
Deuterium introduction into 6H and 3C-SiC crystals and thermal stability with annealing
机译:
将氘引入6H和3C-SiC晶体中以及退火的热稳定性
作者:
J.M.Zavada
;
R.G.Wilson
;
S.J.Pearton
;
B.K.Lee
;
A.J.Steckl
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
6.
Comparison of InP/InGaAs HBT and InAlAs/InGaAs HBT for ULP applications
机译:
用于ULP应用的InP / InGaAs HBT和InAlAs / InGaAs HBT的比较
作者:
P.C.Chang
;
A.G.Baca
;
J.F.Klem
;
M.J.Hafich
;
C.I.H.Ashby
;
V.M.Hietala
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
7.
High quality AlN and GaN on Si(111) by MBE with ammonia
机译:
MBE和氨气在Si(111)上的高质量AlN和GaN
作者:
S.Nikishin
;
N.Faleev
;
S.N.G.Chu
;
H.Temkin
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
8.
In-situ monitoring of crystal growth using specular ion current oscillations
机译:
使用镜面离子电流振荡原位监测晶体生长
作者:
P.M.Deluca
;
K.C.Ruthe
;
S.A.Barnett
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
9.
Measurement services for optoelectronics at the national institute of standards and technology
机译:
美国国家标准与技术研究院的光电测量服务
作者:
S.Bruce
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
10.
SiGe heterojunction bipolar transistors with 156 GHz transit frequency
机译:
过渡频率为156 GHz的SiGe异质结双极晶体管
作者:
A.Gruhle
;
H.Kibbel
;
A.Schurr
;
D.Behammer
;
U.Koenig
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
11.
Reduced Cavity loss for ultra-low threshold vertical cavity surface emitting lasers
机译:
降低超低阈值垂直腔表面发射激光器的腔损耗
作者:
D.L.Huffaker
;
Z.Zou
;
D.G.Deppe
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
12.
Properties of Semi-Insulating GaAs:Fe Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy
机译:
氢化物气相外延生长的半绝缘GaAs:Fe的性质
作者:
E.Rodriguez Messmer
;
D.Soderstrom
;
P.Hult
;
S.Marcinkevicius
;
S.Lourdudoss
;
D.C.Look
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
13.
Development of multi-functional ohmic contacts for both n and p-GaAs
机译:
开发用于n和p-GaAs的多功能欧姆接触
作者:
M.Ogura
;
M.Murakami
;
M.Nakamura
;
M.Wada
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
14.
GaInP/GaAs compatible E/D - mode d - HEMT's
机译:
GaInP / GaAs兼容E / D-模式d-HEMT
作者:
H.T.Chen
;
M.-Y.Wu
;
P.L.Cheng
;
G.Y.Lai
;
W.S.Lour
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
15.
Characterizations of ion-implanted GaAs substrates by optically excited terahertz radiation
机译:
通过光激发太赫兹辐射表征离子注入的GaAs衬底
作者:
G.-R.Lin
;
C.L.Pan
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
16.
Electronic books: requirements for displays and storage
机译:
电子书:显示和存储要求
作者:
V.McCrary
;
J.Roberts
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
17.
Dual-Side wafer processing and resonant tunneling transistor applications
机译:
双面晶圆处理和共振隧穿晶体管应用
作者:
J.Moon
;
J.Simmons
;
J.Wendt
;
V.Hietala
;
J.Reno
;
W.Baca
;
M.Blount
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
18.
Interfacial reactions between metals and gallium nitride
机译:
金属与氮化镓之间的界面反应
作者:
M.Ahonen
;
B.Liu
;
A.Davydov
;
E.Ristolainen
;
P.Holloway
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
19.
Formation of p-type gallium nitride with zinc ion implantation
机译:
锌离子注入形成p型氮化镓
作者:
C.C.Chang
;
G.C.Chi
;
J.R.Dun
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
关键词:
gallium nitride;
ion implantation;
activation;
annealing;
20.
Fabrication and characterization of triangular shaped InGaAs/GaAs quantum wire structures using selective area epitaxy
机译:
利用选择性区域外延法制备和表征三角形InGaAs / GaAs量子线结构
作者:
S.-I.Kim
;
Y.K.Park
;
Y.T.Kim
;
H.H.Tan
;
C.Jagadish
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
21.
Hot-electron-induced degredation of high efficiency AlGaAs / InGaAs / AlGaAs PHEMTs
机译:
热电子诱导的高效AlGaAs / InGaAs / AlGaAs VENT的降解
作者:
Y.Tkachenko
;
A.Klimashov
;
C.Wei
;
Y.Zhao
;
M.Hua
;
D.Bartle
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
22.
High-efficiency, low voltage compound semiconductor devices for microwave and MM-Wave power amplifiers
机译:
用于微波和毫米波功率放大器的高效,低压复合半导体器件
作者:
L.Sloan
;
V.Hietala
;
P.C.Chao
;
W.Kong
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
23.
Optimization of InGaAs/InP DHBT devices for use in high speed circuits
机译:
优化用于高速电路的InGaAs / InP DHBT器件
作者:
R.F.Kopf
;
Y.-C.Wang
;
R.A.Hamm
;
R.W.Ryan
;
A.Tate
;
M.A.Melendes
;
R.Pullela
;
G.Georgiou
;
J.-P.Mattia
;
Y.Baeyens
;
H.-S.Tsai
;
Y.-K.Chen
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
24.
MOCVD Growth of AlGaInN for UV Emitters
机译:
用于紫外发射器的AlGaInN的MOCVD生长
作者:
J.Han
;
M.Crawford
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
25.
Growth Mechanism in the multiple buffer layer of GaN on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy
机译:
有机金属气相外延在蓝宝石上GaN多缓冲层中的生长机理
作者:
C.-C.Yang
;
M.-C.Wu
;
Y.-C.Hung
;
G.-C.Chi
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
关键词:
GaN;
multi-layer;
etch-pits density (EPD);
TEM;
organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE);
26.
Polarized response in normal incidence InAs quantum dot infrared photodetectors
机译:
法向入射InAs量子点红外光电探测器中的极化响应
作者:
S.Maimon
;
V.Immer
;
E.Finkman
;
G.Bahir
;
S.E.Schacham
;
O.Gauthier-Lafaye
;
S.Herriot
;
F.H.Julien
;
M.Gendry
;
J.Brault
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
27.
Various spectroscopic studies of single quantum dots using highly sensitive near-field scanning optical microscope
机译:
使用高灵敏度近场扫描光学显微镜对单个量子点进行各种光谱学研究
作者:
T.Saiki
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
28.
The structural, chemical and electronic properties of a stable GaS/GaAs interface
机译:
稳定的GaS / GaAs界面的结构,化学和电子性质
作者:
H.T.Hu
;
X.-A.Cao
;
X.-M.Ding
;
X.-Y.Hou
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
29.
Self-Aligned 0.2 - 0.6 mu m T-gate microwave FET's
机译:
自对准0.2-0.6μmT栅极微波FET
作者:
W.S.Lour
;
Y.M.Shih
;
G.Y.Lai
;
P.L.Cheng
;
H.R.Chen
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
30.
Sidewall effects on dc and ac performance of III-V compound FET's
机译:
侧壁对III-V型复合FET的直流和交流性能的影响
作者:
H.R.Chen
;
G.L.Huang
;
P.L.Cheng
;
G.Y.Lai
;
W.S.Lour
会议名称:
《Thirty - first Symposium on State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS XXXI), Honolulu, Hawaii; October 17-22, 1999》
|
1999年
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