量子线

摘要： 基于有效质量包络函数近似理论,采用变分法计算了InAs/InxAl1-xAs圆形截面量子线中的基态激子结合能和发射能.计算过程主要考虑了量子线半径、材料组分和外加电场的影响.理论研究表明,随着量子线半径的减小,激子结合能先增大到最大值,然后继续减小;Al组分越高,激子的结合能越高;较小强度的外加电场对激子结合能影响不大,而较大强度的外加电场会破坏激子效应.此外,还发现较大的量子线半径对电场更敏感.发射能与量子线半径、电场强度之间呈非线性关系,发射能随半径或电场的增大而减小.

摘要： 近几年来,学术界针对低维半导体材料的研究逐渐增多,已经成为半导体科学技术领域中研究的热点问题.电子运输性质是低维半导体结构研究中的一个关键问题,是充分发挥出低维半导体材料作用的必要因素.该文将针对超晶格、量子线和量子点3种低维半导体结构的电子运输进行深入分析.

摘要： 一项新的研究观察到电子中的量子效应以及它们在挤入一维“量子线”时的相互作用。通过使用用于制造计算机处理器的现有技术的扩展，研究人员能够通过挤压它们来控制电子，当挤压到一定程度时开始显示量子效应，表现出来的性质可能在新量子技术中得到应用。

摘要： 量子线中类氢杂质束缚能的计算方法有很多,本文利用分离变数法将类氢杂质的定态薛定谔方程分离成两个分别与角度和距离有关的二阶常微分方程.再利用二阶常微分方程在正则奇点邻域内的级数解原理,解类氢杂质的波函数,从而求出类氢杂质的束缚能.通过对具体材料的数值计算,结果与其他文献的报道基本吻合,说明该级数解法可行.

摘要： 本文通过精确求解一维有限长量子线中电子的能量本征方程,得到其能量本征值和本征波函数,利用基态和与之宇称相同的最低激发态构造了一个量子比特,研究了低能态性质和量子比特的性质.理论推导与数值计算表明:电子能量随量子线长度的增大而减小;量子比特的振荡周期(或频率)随量子线长度的增大而减小(或增大);量子比特内电子的概率密度随时间和空间变化,给定时刻各空间点的概率密度随位置的变化而变化;且各空间点的概率均随时间做周期性振荡.

摘要： 考虑铁基超导中能带间的相互作用和界面对每一个能带的散射作用，利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk模型，并通过求解Bogoliubov-de Gennes 方程研究了具有不同类型双能隙系统的量子线/铁基超导隧道结中准粒子的输运系数和隧道谱.研究表明：1)在弹道极限时，随着带间相互作用的增大， s±波隧道谱中零偏压附近的平台演变成电导峰；s++波的平台演变成凹陷；p波的零偏压电导峰被压低.2)界面对两个能带的散射作用不为零时，随着带间相互作用的增大， s±波和s++波两能隙处的峰值将降低，而两峰间的凹陷值将变大； p波的零偏压电导峰被压低，非零偏压电导增大.3)界面对每个能带的散射，可使其产生的电导峰变得更加尖锐，但可压低和抹平另一个带产生的电导峰值.这些结果对于澄清铁基超导体的能隙结构和区别不同类型铁基超导体有所帮助.%Taking into account the interface scattering effect on each band (in-band interaction) and the interaction between the bands (inter-band interaction), within an extended Blonder-Tinkham-Klapwijk scattering formalism, we have studied the quasi-particle transport coefficients and the tunneling spectrum for quantum wire/iron-based superconductor junction of different types of two-level system by solving the Bogoliubov-de Gennes equations. It has been shown that: 1) When the junction is in ballistic limit, the platform near zero bias of the s±-wave tunneling spectroscopy will become a conductance peak as the inter-band interaction increases, while a dip occurs in s++-wave tunneling spectroscopy, and the zero-bias conductance peak will be depressed for p-wave. 2) When the interface scattering effect is not zero, the peaks in the two energy gaps of both s±-wave and s++-wave iron-based superconductor will be depressed; as the inter-band interaction increases, the dip between the two peaks will increase, moreover, the value of zero-bias conductance peaks for p-wave will be lowered and the value of nonzero-bias conductance will be increased. 3) As the in-band interaction is increased, the self-conductance peak will become sharper, while the another conductance peak is not only lowered but also smoothed. These results will be helpful for clarifying the structure of the pair-potential in iron-based superconductor and distinguishing their types.

摘要： 采用线性组合算符和幺正变换相结合方法研究了电场和温度对量子线中强耦合束缚极化子性质的影响。计算了在电场和温度影响下抛物量子线中强耦合束缚极化子的基态能量、平均声子数和振动频率。数值计算结果表明：束缚极化子的基态能量随约束强度、库仑束缚势和电场强度的增大而逐渐增大；平均声子数随温度、耦合强度的增大呈现递增关系，随库仑束缚势的加大呈现递减关系；振动频率随耦合强度和温度的增大而增大，随库仑束缚势的减小而增大。%The influences of electric field and temperature on properties of strong-coupling bound polaron in parabolic quantum wires are studied by using of the linear combination operator and the unitary transformation methods. The ground state energy, the mean number of phonon and the vibrational frequency were calculated. The numerical results show that the ground state energy increases with the increasing Coulomb bound potential and electric field. The mean number of phonon is a increasing function of the temperature and the confinement strength, and it is a decreasing function of the Coulomb bound potential. The variation frequency increases with the increasing of electron-phonon coupling strength and temperature. However, it decreases with increasing the Coulomb bound potential.

摘要： The influences of Rashba effect on the properties of strong -coupling bound magnetopolaron in quan-tum wire are studied by using the improved linear combination operator and the unitary transformation methods . The effective mass and the vibrational frequency are calculated .Numerical calculations for RbCl crystal are per-formed and the results show that the Rashba effect makes the effective mass of the bound magnetpolaron split into two branchs , whereas the vibration frequency λof polaron will increase with the increases of the confinement strength and the cyclotron frequency .%采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了Rashba效应对抛物量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响。计算了抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的有效质量和振动频率，对RbCl材料的数值计算结果表明：量子线中强耦合束缚磁极化子的振动频率随受限强度和回旋频率的增加而增大；有效质量与磁极化子的受限强度、回旋频率和电子面密度有关，在Rashba效应影响下有效质量随上述各量的变化曲线都发生了分裂。

摘要： 采用线性组合算符和幺正变换法计算了量子线中强耦合极化子的振动频率、基态能量、基态自陷能随温度、电子-声子耦合强度以及受限长度的变化。发现振动频率、基态能量、基态自陷能都是温度及耦合强度的函数,且随着温度的增加而增大;受限长度也随温度及耦合强度的增加而增大,但是当温度增大到一定值时,随着温度的增加耦合强度在减小。

摘要： 硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构，具有石墨烯类似的电学性质，由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注。本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构。研究发现，只有在较强的门电压下，而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时，硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态。另外，计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的。这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持。%Silicene is a two-dimensional honeycomb lattice formed by a monolayer of silicon atoms, which has similar electrical properties to those of graphene. Silicene attracts much attention due to its relatively large spin-orbit coupling. The transport properties through a silicene quantum wire controlled by a gate are studied by using the non-equilibrium Green function formalism. A pair of gapless and spin-polarized edge states appears only when the gate voltage is strong and the silicene quantum wire has perfect zigzag or armchair boundaries in which additional silicon atoms are absent. Moreover, the edge states controlled by gate are spin valley-polarized, that is, the directions of spins are opposite in different valleys, which is different from that of the edge state at the interface between the silicene and vacuum. These results can be helpful to design and fabricate the practical silicene nanostructure.

摘要： 低维半导体量子材料是解决光纤通信领域光电子器件的重要因素,IN st，有必要对严重影响低维自组织半导体材料光电性能的应变分布进行研究。本文利用格林函数法研究了InGaAs/GaAs量子线宽度对应变分布的影响,根据VandeWalle的固体模型理论分析了修正应变后的带隙。沿量子线宽度方向,量子线应变的绝对值明显减小,带隙则随量子线宽度增加而逐渐减小。

摘要： 利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光.

摘要： 利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法，制备出纯度极高、直径分布均匀（１３ｎｍ左右）的硅的一维量子线。光致发光（ＰＬ）测量显示，在３１３．５ｎｍ激光激发下，室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光。对硅量子线进行氧化处理后，随氧化时间的增加，红光ＰＬ峰发生蓝移，而绿、蓝峰没有移动。红光ＰＬ与量子尺寸限制效应有关，而绿、蓝光ＰＬ来源于表层氧化硅中的缺陷发光。

摘要： 本文介绍了纳米半导体光电子量子点、量子线和量子阱材料的发展动态和应用。最后，展望了这些材料的发展前景。

摘要： 用动力学李代数方法描述了纳米结构中准一维系统(量子线)的电子态,这种代数方法特别适合于理论上求解这些人造量子系统问题,得到了一种量子线结构的波函数表达式.结果表明,这种方法能够很好地揭示出人造量子系统的电子结构和限制势之间的关系.

摘要： 本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

摘要： 本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

摘要： 本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.

摘要： 本发明公开了一种用于确认量子比特量子态的阈值线的获取方法，涉及量子测控领域；将量子比特制备成第一量子态和第二量子态并分别对其进行重复测量获取多个量子比特读取信号在正交平面坐标系上的坐标点数据，分别记为第一集合和第二集合，对第一集合与第二集合的坐标点分别进行高斯拟合，获得第一集合和第二集合分别对应的高斯拟合图形的第一统计中心坐标点和第二统计中心坐标点，分别对应的第一标准差和第二标准差；分别确定第一集合中的第一概率密度分布函数和第二集合的第二概率密度分布函数；确定保真度函数，确定保真度函数取最值时对应的阈值线为最佳阈值线；依照本发明方法建立的阈值线，能够为未知量子态的判定提供更为准确的参考。

摘要： 本发明公开一种用于确认量子比特量子态的阈值线的更新方法，涉及量子测控领域；获得量子比特位于第一量子态、第二量子态时量子比特读取信号在正交平面坐标系上分别对应的坐标点数据；根据第一集合和所述第二集合确定第一阈值线；获得量子比特处于某量子态时对应的量子比特读取信号在正交平面坐标系上对应的坐标点数据记为第三集合；将第一阈值线作为初始阈值线，设定终止条件；用初始阈值线将第三集合分割成两个聚类并计次；确定更新阈值线；以更新阈值线作为初始阈值线重复执行步骤分割聚类；直至终止条件后停止，确定更新阈值线为最优阈值线；本发明能够在提供用于量子态分辨时使用的阈值分割线之后，根据量子比特读取精度要求持续更新阈值线。

摘要： 本申请公开了一种量子芯片、量子数据总线、微波传输线谐振腔及制备方法，其中，所述微波传输线谐振腔从同一个中心节点出发，利用传输线延伸至多个终端，每一个终端都可以用于耦合一至两个量子比特，从而增加了微波传输线谐振腔能够耦合的量子比特数量；并且所述微波传输线谐振腔较现有技术中的微波谐振腔能够耦合的量子比特数量更多，不需要通过增加微波谐振腔数量的方式来增加量子芯片能够耦合的量子比特数量，降低了能够耦合多量子比特的量子芯片的结构设计复杂性。

摘要： 本文描述了量子电路中的新传输线结构以用作谐振器和非谐振互连件。在本公开的一个方面中，一种所提出的结构包括衬底、在所述衬底上面设置的地平面、在所述地平面上面设置的介电层和在所述介电层上面设置的导体带。在另一方面中，一种所提出的结构包括衬底、在所述衬底上面设置的下地平面、在所述下地平面上面设置的下介电层、在所述下介电层上面设置的导体带、在所述导体带上面设置的上介电层和在所述上介电层上面设置的上地平面。如本文提出的传输线结构可以用于提供去往量子比特、来自量子比特或/和量子比特之间的微波连接，或者设定对各个量子比特进行寻址的频率。还公开了用于制造这种结构的方法。

摘要： 本实用新型公开了控制线复用电路、控制线电路、量子芯片以及量子计算机，属于量子芯片技术领域，要解决的技术问题为如何实现量子比特芯片控制线的复用。控制线复用电路包括：直流信号隔绝器，所述直流信号隔绝器电连接于控制线和量子比特之间，用于隔绝控制线与量子比特之间的直流信号；控制信号过滤器，所述控制信号过滤器电连接于所述控制线与量子比特之间，与所述直流信号隔绝器配合用于将特定频率的控制信号送入量子比特。

摘要： 本申请公开了一种量子芯片、量子数据总线及微波传输线谐振腔，其中，所述微波传输线谐振腔从同一个中心节点出发，利用传输线延伸至多个终端，每一个终端都可以用于耦合一至两个量子比特，从而增加了微波传输线谐振腔能够耦合的量子比特数量；并且所述微波传输线谐振腔较现有技术中的微波谐振腔能够耦合的量子比特数量更多，不需要通过增加微波谐振腔数量的方式来增加量子芯片能够耦合的量子比特数量，降低了能够耦合多量子比特的量子芯片的结构设计复杂性。

摘要： 本发明公开了一种可控生成量子点或量子线的方法，属于低维量子材料制备领域。该方法包括：在溶解有量子点或量子线材料的溶液中设置生长量子点或量子线的衬底，在所述衬底底面设置与衬底下表面接触的电极；在所述溶液与所述电极之间施加电压形成稳恒电场，使溶液中的量子点或量子线材料在所述稳恒电场的电场力的作用下向所述衬底上的电极所在的位置沉降，在所述电极所对应位置的衬底上生长量子点或量子线；调整所述电极的位置控制量子点或量子线在衬底上的生长位置。该方法操作简单，可控效果好，可实现任意量子点或量子线位置的可控生长，为量子器件的加工制造奠定基础。

摘要： 加热硅衬底时,厚度为0.6nm的金蒸发于其上,因此在衬底表面形成熔融的合金液滴。然后,在小于0.5Torr的硅烷气体气氛中将硅衬底加热到450°C—650°C。因此,发生由熔融的合金液滴做催化剂的硅烷气体的分解反应,因而硅线生长在衬底表面。接下来,除去硅线端部的熔融的合金液滴,并氧化硅线的表面部分。此后除去所得的表面氧化层。因此,得到减薄厚度为表面氧化层厚度的硅量子线。

摘要： 本发明公开了一种可控生成量子点或量子线的方法，属于低维量子材料制备领域。该方法包括：在溶解有量子点或量子线材料的溶液中设置生长量子点或量子线的衬底，在所述衬底底面设置与衬底下表面接触的电极；在所述溶液与所述电极之间施加电压形成稳恒电场，使溶液中的量子点或量子线材料在所述稳恒电场的电场力的作用下向所述衬底上的电极所在的位置沉降，在所述电极所对应位置的衬底上生长量子点或量子线；调整所述电极的位置控制量子点或量子线在衬底上的生长位置。该方法操作简单，可控效果好，可实现任意量子点或量子线位置的可控生长，为量子器件的加工制造奠定基础。

摘要： 本实用新型公开了一种可控生成量子点或量子线的装置，属于低维量子材料制备装置领域。该装置包括：容器、电源、第一电极和控制电极；其中，第一电极设置在容器内的上方，与设置在容器外的电源的正极电连接；控制电极活动设置在容器底面外，贴接容器底面，与所述电源的负极电连接；第一电极与控制电极上下相对应，两者之间由施加的电压形成电场。该装置操作简单，可控效果好，可实现任意量子点或量子线位置的可控生长，为量子器件的加工制造奠定基础。