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Optical and electronic properties of Ge-Sb-Te films

机译:Ge-Sb-Te薄膜的光学和电子性质

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摘要

Amorphous films of Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te7 were grown to a thickness between 0.5 and 4 mu m using RF Sputtering. We examined the effects of growth rate, oxygen impurities and substrate temperature on the optical and electronic properties. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:使用RF溅射将Ge 2 Sb 2 Te 5和Ge 2 Sb 2 Te 7的非晶膜生长到0.5至4μm的厚度。我们检查了生长速率,氧杂质和衬底温度对光学和电子性能的影响。 (c)2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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