晶体学

摘要： 针对不同成分的二组元置换式面心立方固溶体,采用刚性球模型并结合随机函数控制,进行(111)晶面原子排列的晶体学特征分析。在此基础上,采用等效计算方法,分析了不同成分下的Ti-Zr、Ti-Al、Zr-Al 3个体系的二组元置换式固溶体(111)面的晶格常数的变化特征,并与Vegard经验定律进行对比,给出了刚性球模型中由于原子尺寸不同而引起的晶格畸变对晶格常数及相结构的影响关系。

摘要： [目的]本文旨在建立JAZ与NINJA蛋白离体和活体互作以及2个蛋白复合体晶体筛选的体系,并获得2个蛋白复合体晶体。[方法]采用酵母双杂交和双分子荧光互补法用于活体条件下JAZ与NINJA蛋白互作区域的验证;在离体条件下,通过氢氘交换质谱(HDX)和Alpha Screen验证JAZ与NINJA蛋白的互作区域并进一步筛选2个蛋白互作的最小区域;使用原核(大肠杆菌)表达系统、亲和层析和凝胶过滤层析纯化等手段获得NINJA截短蛋白。将NINJA截短蛋白与JAZ多肽按照物质的量比为1∶1.5混合孵育一段时间,通过坐滴结晶方法进行复合体结晶,最终获得复合体晶体。[结果]成功创建了JAZ与NINJA离体和活体互作体系;获得JAZ多肽与NINJA(342~406)的复合体晶体的条件分别是0.2 mol·L^(-1) CaCl_(2)·2H_(2)O、0.1 mol·L^(-1) BIS-Tris(pH6.5)、45%2-甲基-2,4-戊二醇与0.2 mol·L^(-1)醋酸铵、0.1 mol·L^(-1) Tris(pH8.5)、45%2-甲基-2,4-戊二醇。[结论]JAZ蛋白ZIM结构域的TIFY基序和羧基端与NINJA(342~406)是JAZ与NINJA蛋白互作所必需的;JAZ蛋白ZIM结构域是JAZ同源和异源互作所必需的;成功获得了JAZ与NINJA复合体晶体。

摘要： 晶体学相关知识是材料、化学类专业的重要课程内容。透彻理解晶体学知识是学生进入高阶专业课学习的前置条件,也是日后开展材料、化工相关工程实践及科学研究的必备理论基础。本文针对晶体学教学中的重点和难点,介绍一款功能强大的轻量级晶体学软件Vesta,并通过示例展示其在空间点阵、晶体结构、晶体对称性、X射线衍射等相关内容教学中的应用。文章总体表明该软件可以直观、快捷、多维度的方式加深学生对相关知识的认识和理解,为以能力培养为目标的高水平教学提供了新的动能和技术手段。

摘要： 植物免疫激酶中的CERK1(chitin elicitor receptor kinase 1)家族是能够感知细菌及真菌侵染的模式识别受体。此类受体蛋白可以通过识别多糖类的病原微生物相关分子,引起病原微生物相关分子模式触发的免疫反应,是植物产生先天性免疫应答以应对微生物感染的重要元件,同时也是诱导植物-微生物共生的关键蛋白质。为推进CERK1激酶区真实蛋白质三维空间构象的解析,本研究针对拟南芥源的CERK1蛋白构建了野生型及突变型AtCERK1的E.coli-pRSF原核表达系统,经原核表达得到带有6个His标签的融合蛋白,经镍柱亲和层析、离子交换层析和凝胶过滤层析等一系列纯化过程得到高纯度蛋白质样品后对其进行结晶条件筛选。最终,AtCERK1F460V突变型成功在0.2 mol/L氟化铵和20%PEG3350溶液环境中析出蛋白质晶体。经上海光源BL17U1线站采集,蛋白质晶体X射线衍射数据的分辨率为3.2魡。综上所述,本研究成功获得了高纯度的AtCERK1蛋白样品,且突变型蛋白质成功析出晶体;同时,利用X射线收取了一套中等分辨率的衍射数据,为AtCERK1介导的植物免疫的结构机理进行了实验探索。

摘要： 晶体学是高中化学选修教材《物质结构与性质》重要内容,是高考“物质结构与性质”试题的重要组成部分,熟练掌握晶胞中重要的特殊点的立体几何关系,可大大降低有关计算难度,加快解题速度,提高解题准确性,也有助于学生对晶胞中特殊点位置关系的理解。

摘要： 2020年国际物理奥林匹克竞赛实验试题为"晶体学".试题从一维光栅出发,引导选手寻找衍射花样和晶体结构间的对应关系,最后测定出未知晶体的结构.本文介绍了试题内容和组委会提供的标准答案,并且在个别处提供了其他解法.

摘要： 通过场发射扫描电镜对夹持在原位加载台上的样品进行形变过程微观组织的实时观察和EBSD,探究EH47船用特厚板裂纹萌生与晶体学取向的关系。研究表明,钢板在单向拉应力作用下断裂,裂纹沿滑移线和晶界聚合和扩展,裂纹萌生的位置在晶体学上具有明显的选择性。初始的微裂纹倾向于〈111〉、〈112〉取向的晶粒位置处发生,避开了〈110〉取向的晶粒,其Schmid因子值相比于其他大部分晶粒小。

摘要： 针对晶体学理论课程的抽象特征,结合学科工程应用背景强及学生基础差别较大的现状,提出了以去抽象化为核心的教学改革方向.通过教学内容、教学形式和课后训练去抽象化,进一步提高教学效果.去抽象化教学改革对学习积极性、实际工程实践应用能力提高起到了积极的作用.

摘要： 中国的人工晶体研究始于二十世纪五六十年代,发展于二十世纪七八十年代,如今已经成为世界人工晶体事业的重要组成部分。这期间,一批杰出的科学家作出了不朽的贡献,这些前辈的远见卓识和超前布局,以及忘我的工作,成就了中国的晶体事业,孕育了中国的晶体文化。蒋民华先生是我国著名的晶体学家、教育家,中国科学院院士。

摘要： 光催化技术是一种将太阳能转换为化学能的新技术,基于该技术可利用半导体光催化材料实现光催化分解水制氢、二氧化碳还原制备有机物、降解有机污染物等,是解决未来能源和环境问题的潜在途径之一。然而,作为光催化技术的核心,光催化材料面临着光吸收范围窄、光生载流子分离效率低等问题,这些问题严重制约着光催化能量转化效率及其实际应用。针对制约光催化材料活性的关键科学问题,近年来本课题组从晶体学基本原理出发,基于半导体材料结构与性能的关系,通过对半导体材料的晶体结构、电子结构、微结构参数进行设计与调控,探索制备了一系列具有宽光谱响应范围、高载流子分离效率的新型高效光催化材料,为设计制备新型高效光催化材料提供了一些新的设计思路和材料制备方法。

摘要： 本文分别对电子束选区铺粉堆积态(EBSM-as-built),电子束选区铺粉热等静压(EBSM-HIP),激光选区铺粉退火态(SLM-HT)这三种增材制造Ti64合金显微组织的金相特征、晶体学特征进行分析研究.结果表明EBSM-as-built中不同取向柱状晶及再热影响区特征在EBSM-HIP及SLM-HT中消失.EBSM-HIP及SLM-HT中出现晶界α,原始β晶内板条粗化并出现回转组织及β薄膜.SLM-HT中的大角晶界(＞45°)呈均匀分布,EBSM-HIP中则存在取向差很小(＜3°)的平行板条区.两种状态下,原始β晶粒内的组织在取向分布上与Burgers取向关系(110)β//(0002)α,[1-11]β//[11-20]α)下协变相变变体的取向分布规律一致.EBSM-HIP中平行板条区的出现由变体选择控制.EBSM-HIP中相邻的原始β晶取向接近,而SLM-HT中相邻的原始β晶取向则随机分布.EBSM-H1P中疲劳萌生源处刻面的形成及其代表疲劳寿命的高低,应受到板条取向特征及β薄膜结构两方面影响.

摘要： 文章从蛋白质晶体学、研究牙医用氧化锆的内部应力应变状态、多晶体内部某个晶粒的状态等方面，就近年来晶体学的发展情况进行了简要概述。

摘要： 本文探讨了晶体学技术类著作翻译的必要性,并从翻译目标选择、翻译者知识储备、英汉语言表达区别、直译、意译和注释的结合等方面阐述了该类翻译的要点和特征,同时对相关讨论举例进行说明。本文可望推动晶体学技术类著作的翻译进展,并为相关科技翻译工作的理论和实践提供借鉴。

摘要： 本文用透射电子显微镜(TEM)，研究了Fe-C-Si合金在480°C等温形成的上贝氏体初生状态.实验中发现上贝氏体铁素体(BF)亚条是由大量细小的贝氏体相变基元组成.BF亚条内的相变基元具有相同的晶体学取向关系和{111}A原子惯习面.对于铁基合金贝氏体亚条内存在BF相变基元已有大量报道,不同学术观点的研究者对相交基元的形成机制却有不同的论述.Bhadeshia等认为BF相变基元由切变形成;Aaronson等则认为相变基元由扩散长大形成.但是由于BF相变基元的存在,可以肯定有的研究者所报道在BF亚条的宽面上发现的巨型台阶是不可能成为BF的生长台阶.也有研究者考虑到巨型台阶无法扩散迁移,提出巨型台阶是位于台阶阶面上的原子尺度小台阶阶面或小扭折阶面的侧向迁移并在迁移过程中受阻后发生的堆积,即扩散生长台阶可以是原子尺度的高度.但是,当BF的生长台阶高度为原子尺度时,再采用碳扩散控制的Jones-Trivedi方程来描述BF单个台阶的伸长速率就是不恰当的,因为碳浓度场的相互重叠已经不能满足Jones-Trivedi方程的基本假设.另一方面,众多研究者无论是在讨论台阶长大机制,或者是在测定BF惯习面等晶体学数据,都是以BF亚条的宽面为研究对象,而BF相变基元的存在且相变基元宽面与BF亚条宽面间存在50～70°夹角揭示以往大多数有关铁基合金贝氏体相变机制的晶体学研究工作极可能存在本质上的失误.

摘要： 钛酸锶(SrTiO3)的反铁畸变是氧八面体绕[001]轴转过一微小角度θ引起的。提出一种晶体学原胞的选取方法,能很好地说明相变前后对称性的变化。由居里原理,分析其序参量是一个三阶全对称的极张量。

摘要： 本文主要从能量角度讨论马氏体相变过程中从形核到晶体学的系列特征.马氏体相变特殊的软模形核方式、晶体学中的界面共格以及惯习面的存在都与马氏体相变所需的能量有关.马氏体相变形核所需要克服的巨大能量势垒,促使马氏体相变不能不通过原子集体的声子振动模式来获得足够的能量;同时还需要尽可能的降低相变在形核过程中的势垒,于是就需要界面共格来降低形核的界面能,需要惯习面的存在来降低形核的畸变能.在考虑一般马氏体相变的基础上本文进一步探讨了Pu-Ga合金相变的特殊性.Pu-Ga合金马氏体相变与普通材料相变的不同之处在于,Pu-Ga合金中具有介于成键和不成键边缘的5f电子.Pu-Ga合金相变过程中5f电子的成键导致了Pu-Ga合金的相变的特异性质。

摘要： 许多L1结构三铝化物的室温断裂研究来看,绝大竞争是穿晶解理,这种穿晶解理断口是由取向各异的解理刻面所组成.研究这类合金在室温下穿晶解理断口的解理刻面晶体学取向对研究合金的脆性本质具有重要意义,它不仅可将合金的断裂与解理能联系起来,而且有助于分析合金解理裂纹的萌生、扩展.本文利用电子背散射衍射(electron backscatter diffraction-EBSD)技术对多晶L1结构AlFeTi合金室温弯曲试样断口解理刻面的晶体学取向进行测试,并结合解理能的理论计算对其脆性进行讨论.

摘要： 在异质体材料性能设计领域,结合材料微观组织结构的'性能导向性设计'与材料微观组织结构的'虚拟失效'推演,作者在国际上首先具体总结了'材料结构弱点'之物理概念与几何意义,提出了'材料结构弱点'特性理论,在国内率先从材料组成物的几何状态与晶体学取向角度研究'材料结构弱点'问题,为研究材料微观组织结构同材料性能的内在关系提供了新的途径.

摘要： 依据群论原理,提出一种新的判别方法,用于判别含Cn轴的晶体和准晶的物理性质张量是否具有围绕Cn轴的任意旋转不变性.用Matlab语言编制了用于任意阶弹性、弹光、电光和电致伸缩系数张量的判别软件.在此基础上,判别出含4、5、6、8、10和12度转轴的晶体或准晶的线性电光系数张量和压电模量张量,含5、6、8、10和12度转轴的晶体或准晶的线性弹性系数张量、弹光系数张量、二次电光系数张量和电致伸缩系数张量,含6、8、10和12度转轴的晶体或准晶的三次电光系数张量和二阶电致伸缩系数张量,以及含8、10和12度转轴的准晶的三阶非线性弹性系数张量、二阶非线性弹光系数张量、四次电光系数张量和三阶电致伸缩系数张量,都具有围绕相应转轴的任意旋转不变性.

摘要： 依据群论原理,提出一种新的判别方法,用于判别含Cn轴的晶体和准晶的物理性质张量是否具有围绕Cn轴的任意旋转不变性.用Matlab语言编制了用于任意阶弹性、弹光、电光和电致伸缩系数张量的判别软件.在此基础上,判别出含4、5、6、8、10和12度转轴的晶体或准晶的线性电光系数张量和压电模量张量,含5、6、8、10和12度转轴的晶体或准晶的线性弹性系数张量、弹光系数张量、二次电光系数张量和电致伸缩系数张量,含6、8、10和12度转轴的晶体或准晶的三次电光系数张量和二阶电致伸缩系数张量,以及含8、10和12度转轴的准晶的三阶非线性弹性系数张量、二阶非线性弹光系数张量、四次电光系数张量和三阶电致伸缩系数张量,都具有围绕相应转轴的任意旋转不变性.

摘要： 通过适当地相对于硅层(102)之结晶特性(crystallographiccharacteristic)而定向沟道长度方向，应变硅/碳材料(109)之应力引发效果在与传统的技术相比较可有明显的增进。在一个例示实施例中，该沟道(103)可沿着方向予以定向以用于(100)表面定向，因此提供了大约1/4的电子迁移率的增加。

摘要： 通过适当地相对于硅层(102)之结晶特性(crystallographic characteristic)而定向沟道长度方向，应变硅/碳材料(109)之应力引发效果在与传统的技术相比较可有明显的增进。在一个例示实施例中，该沟道(103)可沿着方向予以定向以用于(100)表面定向，因此提供了大约1/4的电子迁移率的增加。

摘要： 本发明涉及一种用于结晶样本(31)的带电粒子结晶学，特别是用于结晶样本(31)的电子结晶学的衍射仪(1)。衍射仪(1)包括：带电粒子源(10)，用于沿着带电粒子束轴(11)生成带电粒子束；带电粒子光学系统(20)，用于操纵带电粒子束，诸如以便利用带电粒子束照射样本；以及带电粒子检测系统(50)，至少用于基于透射通过样本的带电粒子束来收集样本(31)的衍射图案。衍射仪(1)还包括用于固持样本的样本固持器(30)和可操作地耦接到样本固持器(30)用于相对于束轴(11)定位样本(31)的操纵器(40)。操纵器(40)包括用于围绕倾斜轴(44)相对于入射带电粒子束倾斜样本固持器(30)的旋转台(41)，以及用于至少在垂直于倾斜轴(44)的平面内移动样本固持器(30)的多轴平移台(42)。多轴平移台(42)可操作地耦接在样本固持器(30)和旋转台(41)之间，使得多轴平移台(42)处于旋转台(41)的旋转系统中，并且样本固持器(30)处于多轴平移台(42)的移动系统中。

摘要： 本发明提供一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法。本发明方法，包括如下步骤：获取所述晶体材料待测区域内的二维组织形貌和EBSD花样；将其通过三维图像分析软件进行三维图像合成，获取三维形貌；提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向；通过三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中，获得所述特征形貌的晶体学取向。本发明可以精确地同时解析各种材料特征组织结构的取向和晶体学取向，对材料晶体生长取向和生长行为研究具有重要意义。

摘要： 本发明涉及一种用于标定多晶材料的晶体学取向的方法，所述方法包括：接收(21)多晶材料的一系列图像，这些图像在不同的照射几何下通过获取装置来获取，不同的照射几何比如所述材料的不同倾斜角度，获取装置比如扫描电子显微镜或者聚焦离子束；根据系列图像对材料的至少一个考虑点估算(22)至少一个强度分布，每个强度分布代表与考虑点相关联的强度关于照射几何的函数；以及通过将与每个考虑点相关联的强度分布与已知晶体学取向的理论强度分布特征相比较(23)，来确定(24)材料的考虑点的晶体学取向，所述特征包含在数据库中。

摘要： 本发明提供一种同步辐射串行晶体学静电纺丝上样装置以及一种基于同步辐射的串行晶体学实验方法。该上样装置包括：微流注射泵；与微流注射泵连接的四通管，样品母液和子液经过四通管被制备成同轴纺丝液；真空腔，包括：真空腔本体，入射窗口和衍射光出射窗口，电源电极针头和电源负极针头；高压电源；以及真空泵；其中，同轴纺丝液被输送到真空腔内，在高电压作用下形成静电纺丝射流，实现稳定可控的串行晶体学上样。根据本发明，为同步辐射光束线站上的串行晶体学实验提供稳定连续的上样，通过抽真空大幅降低空气电离对腔内电场的影响，解决了静电纺丝上样装置在同步辐射线站X射线作用下空气电离干扰的问题，大幅提高了静电纺丝射流的稳定性。

摘要： 本发明提供一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法。本发明方法，包括如下步骤：获取所述晶体材料待测区域内的二维组织形貌和EBSD花样；将其通过三维图像分析软件进行三维图像合成，获取三维形貌；提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向；通过三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中，获得所述特征形貌的晶体学取向。本发明可以精确地同时解析各种材料特征组织结构的取向和晶体学取向，对材料晶体生长取向和生长行为研究具有重要意义。

摘要： 本发明涉及单晶金属材料技术领域，特别涉及一种单晶金属材料晶体学取向的快速测定方法。本发明提供的测定方法，利用单晶金属材料金相组织在光学显微镜下形成具有颜色深浅不同的图案，将金相组织的光学显微镜照片转换成灰度图，计算灰度值后，用得到的金相组织光学显微镜照片的灰度的数值代表某一取向的金相组织，将所述待检测金相样品的金相组织灰度值与单一取向的金相样品的金相组织灰度值进行比较，当所述待检测金相样品的金相组织灰度值与单一取向的金相样品的金相组织灰度值相近时，所述待检测金相样品的晶体取向与所述单一取向的金相样品的晶体取向相同。因此，本发明提供的测定方法测定效率高，同时降低实验风险和实验成本。

摘要： 描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶。该方法进一步包括从该衬底去除该盖层，将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。

摘要： 本实用新型属于材料衍射三维重构技术领域，公开了一种XRD三维晶体学重构三轴样品台、扫描电子显微镜，设置有圆形样品台底座；圆形样品台底座中心开有一螺纹孔，圆形样品台底座与旋转台通过螺纹孔用螺栓连接；旋转台与样品台底座间设有滚动轴承，旋转台侧壁设有涡轮；样品台底座上通过螺栓固定有第一电机，第一电机通过涡轮与旋转台中的滚动轴连接；旋转台两端通过螺栓固定有对称放置的第一立柱和第二立柱；第一立柱和第二立柱中心偏上位置开孔，在两孔中插入一摇篮杆；摇篮杆中部通过螺栓固定有第三电机，第三电机上端通过轴承与载物台连接。本实用新型便于放置与拆卸样品，可以在扫描电子显微镜中使用，能够得到更为普遍的应用。