霍尔器件

摘要： 为了探究适用于柔性机器人触力觉感知装置的磁场计算方法,利用弹性橡胶与霍尔器件设计带有凸起结构的感知装置.利用环式Halbach阵列的磁场方程,对形变后装置的磁场进行计算.为了验证所提出的计算方法,基于COMSOL Multiphysics平台构建并求解不同形变下感知装置的有限元仿真模型.通过对比理论计算结果与模型仿真结果,验证了所提出的计算方法在不同形变下均有较好的适用性.进一步的数据拟合表明,随着仿真网络的不断细化,仿真值逐渐逼近理论值,最小误差为3.18%,证明二者具有较高的一致性.

摘要： 设计了一种基于模拟选择开关和故障字典的数字芯片检测系统,主控芯片采用MSP 430单片机,实现了对常见数字芯片的自动化故障检测,可以检测数字芯片是否存在短路、开路和逻辑功能错误等故障,并可确定具体故障位置.芯片的短路、开路检测基于数字芯片内部的二极管钳位保护电路,通过霍尔电流传感器和ADC进行检测.测量结果显示,该系统的测量准确率高,测量速度快,功耗低,可实现电池供电和手持化.

摘要： 用分子束外延技术将高灵敏度的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件赝配生长在GaAs衬底上.设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度.与传统的没有掺杂的InAs/AlSb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15000 cm2·V-1·s-1提高到16000 cm2·V-1·s-1.AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量.从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构.双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的InAs/AlSb异质结Hall器件具有广阔的应用前景.%The highly sensitive Hall device made of InAs/AlSb quantum-well structures pseudomorphically grown on the GaAs substrate by molecular beam epitaxy has been developed. The advanced InAs/AlSb Hall device includes double δ-doped layers, which significantly elevate the sheet electron density. Moreover, electron mobility is increased from 15000 cm2 ·V-1 ·s-1 to 16000 cm2 ·V-1 ·s-1 at room temperature, compared with that of an unintentional-ly doped AlSb/InAs Hall device. AFM measurement results show a smooth surface morphology and high crystalline quality of the samples. The quantum Hall device can be operated in the temperature ranging from 77 K to 300 K. Hall measurements show different scattering mechanism on electron mobility at temperature range. The advanced highly-sensitive InAs/AlSb heterostructure two-dimensional electron gases(2DEG) Hall device including double δ-doped layers is promising in near future.

摘要： An unintentionally doped AlSb/InAs quantum well ( QW ) structure and a Si-δ doped quantum well structure on GaAs (001) substrates were grown by molecular beam epitaxy (MBE). The dependence of sheet elec-tron density and electron mobility on the measurement temperature were investigated. It is found that electron mobility as high as 25000 cm2?V-1?s-1 has been achieved for 300 K in the Si-δdoped quantum well structure. The Hall devices with high sensitivity and good temperature stability were fabricated based on the Si-δdoped AlSb/InAs quan-tum well structures. Their sensitivity is markedly superior to Hall devices of an unintentionally doped AlSb/InAs quantum well.%用分子束外延在GaAs(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构.研究了霍尔器件的面电子浓度和电子迁移率与温度的关系.结果表明,在300 K下,Si-δ掺杂的量子阱结构的电子迁移率高达25000 cm2?V-1?s-1,并且该器件输入电阻和输出电阻较低.同时,Si-δ掺杂的量子阱结构霍尔器件的敏感度好于没有掺杂的量子阱结构霍尔器件.

摘要： 对飞轮使用的霍尔器件与转速测量精度之间的关系进行分析,提出了一种基于增加霍尔器件提高飞轮转速测量精度的方法,并根据该方法确定了多霍尔器件安装布局的设计原则和公式.%The relation between Hall position sensors and measurement precision of flywheel speed was analyzed in this paper, and a method of increasing measurement precision was presented. The construction, design formula and principle of layout of more Hall sensors in flywheel was established.

摘要： 随着电子技术的发展，霍尔效应不单是测定半导体材料电学参数的主要手段，利用霍尔效应制成的霍尔器件凭借其结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点，已广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面，随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一，通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。本文重点对霍尔电压(VH)与工作电流(IS)、霍尔电压(VH)与磁场的关系进行实验探索，进一步深入了解霍尔效应的机理。

摘要： 发信盘作为数控车床刀架上的重要配置，在机床运行过程中起着至关重要的作用，一旦出现故障很可能造成工件报废，甚至造成卡盘与刀架碰撞的事故。本文针对数控车床四工位电动刀架最易出现故障的发信盘入手，阐述了发信盘的工作原理，内部结构，核心元件，故障现象及维修的相关知识。

摘要： 根据电相互作用原理，从微观角度分析了霍尔电势差，导体、绝缘体和半导体两端电势差产生的机理。认为在外电场的作用下价电子吸收外电场能量，并将其转化为晶格势场中的电势能，从而导致价电子在晶格势场中的电势降落(价电子远离原子核)，因此，在霍尔元件上垂直于外电场方向上存在霍尔电势差，导体、绝缘体、半导体两端的电势差都是沿外电场方向所有价电子在晶格势场中的电势降落的总和。同时首次给出了空穴形成的物理图象：价电子由电负性弱的原子向电负性强的原子转移形成空穴。也首次给出了反映晶体各向异性的方法——测量非外电场方向绝缘体、半导体两点之间的电势差。%According to electrical interaction principle, mechanisms of Hall potential difference and difference of conductor, insulator and semiconductor from micro perspective are analyzed. It is thought that valence electron absorbs energy from external electric field and converts to positional energy of lattice potential field, thus the potential decreases in lattice potential field of electron (valence electron away from nucleus). So in Hall element exists Hall potential perpendicular to direction of external electric field. Potential of conductor, insulator and semiconductor are all sum of potential descendent of electron in lattice potential field. Physical image is provided at first time, valence electron transfers from weak to strong electro negative atom that causes hole formation. And method reflecting crystal anisotropy, measuring potential between two points of insulator, semiconductor of non external electric field direction, is given.

摘要： 根据电相互作用原理，从微观角度分析了霍尔电势差，导体、绝缘体和半导体两端电势差产生的机理．认为在外电场的作用下价电子吸收外电场能量，并将其转化为晶格势场中的电势能，从而导致价电子在晶格势场中的电势降落（价电子远离原子核），因此，在霍尔元件上垂直于外电场方向上存在霍尔电势差，导体、绝缘体、半导体两端的电势差都是沿外电场方向所有价电子在晶格势场中的电势降落的总和．同时首次给出了空穴形成的物理图象：价电子由电负性弱的原子向电负性强的原子转移形成空穴．也首次给出了反映晶体各向异性的方法一一测量非外电场方向绝缘体、半导体两点之间的电势差．

摘要： 本文利用有限元分析软件ANSYS对长方形和圆形两种霍尔器件的工作状态进行模拟,分析霍尔片(霍尔器件工件区域)结构尺寸与霍尔器件灵敏度的关系,研究形状对器件灵敏度的影响.结果表明:圆形霍尔片灵敏度比长方形霍尔片的高,当圆形霍尔片的半径与厚度比值为15时,灵敏度最高.

摘要： 长期以来,国内全控功率桥的导通监视问题一直未能得到有效解决,本文根据半导体器件理论和工程实践经验,提出了一种基于霍尔器件的新型监测方法,实践证明本方法简单有效实用.

摘要： 随着信息技术的发展,人们对自旋电子学器件的高密度、低能耗和读写速度等提出了更高的要求.反铁磁材料相对传统的铁磁材料而言,由于其没有铁磁残余场,对磁场热扰动不敏感和理论预测的翻转磁矩的电流密度低等优势,在信息存储领域有巨大的应用潜力.如何有效进行反铁磁磁矩的可控操作是反铁磁器件走向实际应用的关键科学问题.本文提出采用磁(磁场、磁性材料)和电场实现对反铁磁性能调控的研究思路,重点研究反铁磁材料的磁性调控机制,通过对薄膜和器件结构的设计,发展基于反铁磁金属的隧道结器件和霍尔器件,探索反铁磁作为信息存储的功能材料应用的可能性.

摘要： 比较了钢板缺陷检测的几种方法,对比了漏磁检测的两种磁敏元件:线圈和霍尔器件的特点。设计了以阵列式线圈为传感器、以直流电机为驱动装置的钢板漏磁检测系统,加工了相关的标准试件。经过试验证明,检测系统的可靠性和灵敏度较高。

摘要： 比较了钢质大型容器缺陷检测的几种方法，对比了漏磁检测两种磁敏元件:线圈和霍尔器件的特点.设计了以阵列式线圈为传感器，以直流电机为驱动装置的钢板漏磁检测系统，加工了相关的标准试件.经试验知，检测系统的可靠性和灵敏度较高，适用于钢质大型容器的在役探伤。

摘要： 针对交流永磁电机伺服系统的测角装置面对结构紧凑或特殊结构的要求,提出了一种利用线性霍尔器件和永磁材料,结构简单、易于实现、其输入输出形式同于旋转变压器的测角实现方案.经原理性样机试验验证,这一新型实现方法适于测角精度要求在0.01-0.1弧度左右而结构尺寸要求紧凑或特殊的机电一体化应用场合.

摘要： 点火提前角是分电器产品合格与否的一项重要指标.介绍了应用霍尔器件、单稳电路及计算机测控技术等测量发动机点火提前角的方法,给出了较为详细的电路原理图,对系统的工作过程和设计原理图作了具体的说明,并论述了克服点火时尖峰干扰的实用方法.

摘要： 该文研制了一种无触点的十字形两维集成垂直霍尔器件，它对平行于芯片表面的磁场敏感。当与被测转角(α)的物体轴向相连的径向永久磁铁转动时，磁场分量B，B分量相对变化，造成两对集成霍尔板输出电量相应地变化。这时传感器通过tan(V/V)可求得转角α，从而达到测量角度的目的。测量结果表明角度测量的分辨率可达1。

摘要： 该文介绍了一种以霍尔开关作为转速变换元件进行转速测量的方法。该方法采用地址发生器和数据计数器的双重计时，可以在大范围内准确测量转速。

摘要： 该文介绍了一种以霍尔开关作为转速变换元件进行转速测量的方法。该方法采用地址发生器和数据计数器的双重计时，可以在大范围内准确测量转速。

摘要： 提供霍尔传感器器件和用于操作所述霍尔传感器器件的方法。霍尔传感器器件包括第一导电类型的霍尔效应区，和配置成向/从霍尔效应区提供电气信号的多个电气接触区。每一个电气接触区形成在不同的第二导电类型的相应阱中，该阱邻接霍尔效应区。霍尔传感器器件还包括电路，包括多个控制端子，其中每一个控制端子配置成控制第二导电类型的相关联的阱中的电导。该电路配置成向多个控制端子的第一子集选择性地施加控制信号以形成在第一操作阶段期间在相关联的阱中传导第一导电类型的多数载流子的沟道。该电路还配置成向多个控制端子的不同的第二子集选择性地施加控制信号以形成在第二操作阶段期间在相关联的阱中传导第一导电类型的多数载流子的沟道。

摘要： 提供霍尔传感器器件和用于操作所述霍尔传感器器件的方法。霍尔传感器器件包括第一导电类型的霍尔效应区，和配置成向/从霍尔效应区提供电气信号的多个电气接触区。每一个电气接触区形成在不同的第二导电类型的相应阱中，该阱邻接霍尔效应区。霍尔传感器器件还包括电路，包括多个控制端子，其中每一个控制端子配置成控制第二导电类型的相关联的阱中的电导。该电路配置成向多个控制端子的第一子集选择性地施加控制信号以形成在第一操作阶段期间在相关联的阱中传导第一导电类型的多数载流子的沟道。该电路还配置成向多个控制端子的不同的第二子集选择性地施加控制信号以形成在第二操作阶段期间在相关联的阱中传导第一导电类型的多数载流子的沟道。

摘要： 本申请提供一种石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件，在制备过程中不需要使用光刻或者电子束曝光，不需要接触光刻胶等有机大分子结构，避免了光刻胶残留等对石墨烯的污染，避免了此等污染造成的石墨烯量子霍尔器件迁移率降低、石墨烯量子霍尔器件电阻量子化不充分引起的阻值偏差等问题。从而，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法，提高了所述石墨烯量子霍尔器件的性能，可用于国家电阻基标准系统和便携式电阻基标准系统。同时，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法不存在与光刻胶相关的步骤，节省了旋涂光刻胶、去除光刻胶等相关步骤，减少了制作过程，简化了工艺，节约了制备成本，提高了制备效率。

摘要： 本申请提供一种石墨烯量子霍尔器件制备方法以及石墨烯量子霍尔器件，在制备过程中不需要使用光刻或者电子束曝光，不需要接触光刻胶等有机大分子结构，避免了光刻胶残留等对石墨烯的污染，避免了此等污染造成的石墨烯量子霍尔器件迁移率降低、石墨烯量子霍尔器件电阻量子化不充分引起的阻值偏差等问题。从而，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法，提高了所述石墨烯量子霍尔器件的性能，可用于国家电阻基标准系统和便携式电阻基标准系统。同时，通过所述石墨烯量子霍尔器件制备方法不存在与光刻胶相关的步骤，节省了旋涂光刻胶、去除光刻胶等相关步骤，减少了制作过程，简化了工艺，节约了制备成本，提高了制备效率。

摘要： 本申请提供一种霍尔器件制备方法及霍尔器件，通过霍尔器件制备方法获得的霍尔器件，在GaAs衬底表面上直接光刻电极图形，沉积金属层，使得金属材料与二维电子气结构层接触，形成所述多个金属电极。然后，通过对制备有多个金属电极的GaAs衬底放置于保护气中退火，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层形成良好的欧姆接触。最后，用划片机沿着多个金属电极的外侧切出霍尔器件。霍尔器件没有霍尔棒结构，使得霍尔器件具有相对较大的临界电流。同时，通过图案化的掩膜层可以使得在进行光刻时，确保多个金属电极的精确对称。并且，霍尔器件制备方法由于减少了化学腐蚀霍尔棒的工艺步骤，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层的欧姆接触电阻的成功率达到100％。

摘要： 本申请公开了一种自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法、最大池化的方法。该自旋霍尔器件包括硼铁化钴层；所述自旋霍尔器件的顶视图和底视图完全相同，均为十字形状图形；所述十字形状图形具有两条对称轴，所述两条对称轴互相垂直且互相平分。本申请的自旋霍尔器件，具有非易失性以及模拟多态特性，能够用于获取霍尔电压，能够应用于多种电路中，结构简单，体积小，能够节省片上资源，能够满足计算需求。

摘要： 本发明属于霍尔电流传感器技术领域，尤其涉及一种基于霍尔器件的数据处理方法、装置及霍尔电流传感器，所述方法包括获取霍尔器件的初始工作信号，所述初始工作信号为表征霍尔器件的工作状态的信号，对所述初始工作信号进行至少两次的温度补偿，并生成校准后工作信号，基于预设的组网通讯模块将所述校准后工作信号发送至云平台。本发明一方面通过对所述初始工作信号的至少两次温度补偿，进而实现对所述初始工作信号的精度校准，以生成更精准的电流信号，另一方面基于组网通讯模块，实现向云平台的信息传输，方便用户通过云平台获取校准后工作信号并对校准后工作信号进行分析，以及时进行故障预警，极大满足用户的使用需求。

摘要： 本发明涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。本发明采用高压CMOS工艺制备，具备了较深的N阱，提高了器件的灵敏度，在时序的控制下，可分时对三个轴向上的磁感应强度进行侦测，相比于分立式的三维霍尔器件，大大减小了版图面积。

摘要： 本实用新型涉及一种具有高频响霍尔集成电路的霍尔器件，包括主体，所述主体的两端均设有一个接线端，所述接线端上设有夹持组件，所述夹持组件包括两个夹持单元，两个夹持单元分别设置在接线端的上下两侧，所述夹持单元包括支杆和压板，所述压板设置在接线端上，所述压板与支杆的一端连接，所述支杆的另一端与主体之间通过扭簧铰接，同一夹持组件的两个夹持单元的压板分别位于接线端的上下两侧，该具有高频响霍尔集成电路的霍尔器件通过在接线端的两侧设置具有夹持功能的夹持单元，能够对连接完成的导线进行压紧固定，提高了连接的稳定性，增强了可靠性。

摘要： 本实用新型涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件，其特征在于：所述霍尔器件为完全对称的两个十字结构的深N阱；所述十字结构的深N阱的四个端和中心分别设置有重掺杂的N+区层，所述四个端点重掺杂的N+区层与中心重掺杂的N+区层之间均设置有高掺杂的P+区层。本实用新型采用高压CMOS工艺制备，具备了较深的N阱，提高了器件的灵敏度，在时序的控制下，可分时对三个轴向上的磁感应强度进行侦测，相比于分立式的三维霍尔器件，大大减小了版图面积。