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Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.
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1.
Breakdown degradation associated with elementary screw dislocations in 4H-SiC P~+N junction rectifiers
机译:
4H-SiC P〜+ N结整流器中与基本螺钉位错相关的击穿退化
作者:
P.G.Neudeck
;
W.Huang
;
M.Dudley
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
2.
Covalent silicon bonding at room temperature in ultrahigh vacuum
机译:
室温下超高真空下的共价硅键合
作者:
Andreas Plobl
;
Heminz Stenzel
;
Qin-Yi Tong
;
Martin Langenkamp
;
Cord Schmidthals
;
Ulrich Gosele
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
3.
Applications of high power electronic switches in the electric power utility industry and the needs for high power switching devces
机译:
大功率电子开关在电力工业中的应用以及对大功率开关设备的需求
作者:
G.T.Heydt
;
B.J.Skoromme
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
4.
Comparison of DRY-etch techniques for GaN, InN, and AlN
机译:
GaN,InN和AlN的DRY蚀刻技术比较
作者:
R.J.Shul
;
G.a.Vawter
;
C.G.Willison
;
M.M.Bridges
;
J.W.Lee
;
S.J.Pearton
;
C.R.Abernathy
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
5.
Design and fabrication of nitride based high power devices
机译:
氮化物基大功率器件的设计与制造
作者:
A.Z.Bandic
;
E.C.Piquette
;
P.M.Bridger
;
S.T.F.Kuech
;
T.C.Mcgill
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
6.
Cl_2based dry etching of the AlGaInN system in inductively coupled plasmas
机译:
电感耦合等离子体中AlGaInN系统基于Cl_2的干法刻蚀
作者:
Hyun Cho
;
C.B.Vartuli
;
C.R.Abernathy
;
S.M.Donovan
;
S.J.Pearton
;
R.J.Shul
;
J.Han
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
7.
Etching and hydrogen incorporation in ScAlMgO_4
机译:
ScAlMgO_4中的蚀刻和氢结合
作者:
C.D.Brandle
;
F.Ren
;
R.G.Wilson
;
J.W.Lee
;
S.J.Pearton
;
J.M.Zavada
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
8.
Dielectrics for GaN based MIS-diodes
机译:
GaN基MIS二极管的电介质
作者:
F.Ren
;
C.R.Abernathy
;
J.D.MacKenzie
;
B.P.GSila
;
S.J.Pearton
;
M.Hong
;
M.Macos
;
M.J.Cchurman
;
A.G.Bchurman
;
A.G.Baca
;
R.J.Shul
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
9.
Development of diamond based power microelectronics
机译:
金刚石基功率微电子学的发展
作者:
J.L.Davidson
;
W.P.Kang
;
Y.Gurbuz
;
D.V.Kerns
;
L.Davis
;
K.Holmes
;
L.Jiang
;
Venkata Pulugurta
;
W.Anurat
;
M.Howell
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
10.
High frequency capacitance measurements on metal-insulator-semiconductor structures in thermal non-equilibrium condition
机译:
热不平衡条件下金属-绝缘体-半导体结构上的高频电容测量
作者:
M.Sadegi
;
A.Jauhiainen
;
B.Liss
;
E.O.Sveinbjornsson
;
O.Engstrom
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
11.
Heat spreader characteristics of multilayer damond films for high frequency power devices
机译:
高频功率器件用多层杏仁膜的散热特性
作者:
B.Ramaswami
;
K.Jagannadham
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
12.
Influence of silicon defects on the electrical behavior of semiconductor power devices
机译:
硅缺陷对半导体功率器件电性能的影响
作者:
H.-J.Schulze
;
B.O.Kolbesen
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
13.
Microraman characterization of microdeffects in bulk SiC
机译:
体SiC中微缺陷的显微拉曼表征
作者:
E.Martin
;
M.Chafai
;
J.Jmenez
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
14.
Epitaxial growth of high quality SiC by sublimation close space technique
机译:
升华近空间技术外延生长高质量SiC
作者:
S.Nishino
;
T.Yoshida
;
Y.Nishio
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
15.
GaN and related materials for high power application
机译:
GaN和相关材料用于大功率应用
作者:
M.S.Shur
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
16.
Formation mechanism of negative fixed charge in glass at lead glass/silicon interface
机译:
铅玻璃/硅界面处玻璃中负固定电荷的形成机理
作者:
Susumu Murakami
;
Minoru Kanno
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
17.
Grwoth control and characterization of wide band GaP silcon-carbon films
机译:
宽带GaP硅碳膜的生长控制与表征
作者:
S.Kerdiles
;
R.Rizk
;
a.Perez-Rodriguez
;
Bgarrido
;
O.GOnzalez-Varona
;
L.Calvo-Barrio
;
J.R.Morante
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
18.
Junction field effect transistors for high-temperature or high-porwer electronics
机译:
高温或高功率电子学的结型场效应晶体管
作者:
J.C.Zolper
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
19.
Morphology of silicon oxides on silicon carbide
机译:
碳化硅上氧化硅的形态
作者:
M.L.OBrien
;
S.Pejdo
;
R.J.Nemanich
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
20.
4H-SiC power devices: comparative overview of UMOS, DMOS, and GTO device structures
机译:
4H-SiC功率器件:UMOS,DMOS和GTO器件结构的比较概述
作者:
J.B.Casady
;
A.K.Agarwal
;
L.B.Rowland
;
S.Seshadri
;
R.R.Siergiej
;
S.S.Mani
;
D.C.Sheridan
;
P.A.Sanger
;
C.D.Brandt
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
21.
Achievement of coalesced oriented diamond films on nickel by optical process control and methane enrichment
机译:
光学过程控制和甲烷富集技术在镍上形成聚结取向金刚石膜
作者:
P.C.Yang
;
C.A.Wolden
;
W.Liu
;
R.Schlesser
;
R.F.Davis
;
J.T.Prater
;
Z.Sitar
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
22.
A technique for rapid thick film SiC epitaxial growth
机译:
快速厚膜SiC外延生长的技术
作者:
I.Khlebnikov
;
T.S.Sudarshan
;
V.Madangarli
;
M.a.Capano
会议名称:
《》
|
1997年
23.
A new methodology for designing floating ring termination technique in high voltage structure
机译:
设计高压结构浮环端接技术的新方法
作者:
E.Stefanov
;
G.Charitat
;
L.Bailon
;
J.Barbolla
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
24.
A novel Bi-layer photoresist T-gate technique to reduce gate resistance
机译:
降低栅极电阻的新型双层光刻胶T型栅极技术
作者:
J.R.Lothian
;
F.Ren
;
Bell-Labs
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
25.
A novel technique for RTP annealing of compound semiconductors
机译:
化合物半导体RTP退火的新技术
作者:
M.Fu
;
V.Sarvepalli
;
R.K.Singh
;
C.R.Abernathy
;
X.Cao
;
S.J.Pearton
;
J.A.Sekhar
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
26.
Optical characterization of silicon oxycarbide thin films
机译:
碳氧化硅薄膜的光学表征
作者:
D.M.Wofe
;
F.wang
;
B.J.Hinds
;
G.Lucovsky
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
27.
PLD epitaxial IiN and Pt omghic metallizations to p-type 6H-SiC using focused in beam surface modification
机译:
使用聚焦束表面改性将PLD外延IiN和Pt杂化金属化为p型6H-SiC
作者:
A.A.Iliadis
;
S.N.Andronscu
;
K.Edinger
;
J.JH.Orloff
;
VTalyansky
;
R.D.Vispute
;
R.P.Sharma
;
T.Venkatesan
;
M.C.Wood
;
K.A.Jones
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
28.
PLD epitaxial TiN contacts to 6H-SiC and GaN
机译:
PLD外延TiN接触6H-SiC和GaN
作者:
V.Talansky
;
R.D.Vispute
;
S.N.Andronescu
;
A.A.Iliadis
;
K.A.Jones
;
S.Choopun
;
M.J.Downes
;
R.P.Sharma
;
TVenkatesan
;
Y.X.Li
;
L.G.Salamanca-Riba
;
M.C.Wood
;
R.a.Lareau
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
29.
Optimization of technology and design parameters of IGBT using TWB
机译:
使用TWB优化IGBT的技术和设计参数
作者:
B.Fatemizadeh
;
Y.Granik
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
30.
Selective etching of wide bandgap nitrides
机译:
宽带隙氮化物的选择性刻蚀
作者:
R.J.Shul
;
C.G.Willison
;
M.M.Bridges
;
J.han
;
J.W.Lee
;
S.J.Pearton
;
C.R.Abernathy
;
J.D.MacKenzie
;
S.M.Donovan
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
31.
Residual oxygen determination in silicon epilayer, comparison with ftir measurements
机译:
测定硅外延层中的残余氧气,并与FTIR测量结果进行比较
作者:
F.Degas
;
G.Blondiaux
;
B.Pichaud
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
32.
Surface and interface study of PdCr/SiC schottky diode gas senosr annealed At 425 deg C
机译:
425℃退火的PdCr / SiC肖特基二极管气体传感器的表面和界面研究
作者:
Liang-Yu Chen
;
Gary W.Hunter
;
Philip G.Neudeck
;
Dak Knight
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
33.
Uniformity, high temperature performance and reliability of X-band nitride power hemits fabricated frm 2-inch epitaxy
机译:
X波段氮化物功率隐身制造的frm 2英寸外延的均匀性,高温性能和可靠性
作者:
R.Hickman
;
J.M.Van Hove
;
P.P.Chow
;
J.J.Klaassen
;
A.M.Wowchack
;
C.J.Polley
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
34.
Wet chemical etching survey of III-nitrides
机译:
III族氮化物的湿法化学蚀刻调查
作者:
Hyn Cho
;
D.C.Hays
;
C.B.Vartuli
;
SJ.peaton
;
C.R.Abernathy
;
J.D.MacKenzie
;
F.Ren
;
J.C.Zolper
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
35.
Wide bandap semiconductor power devices
机译:
宽带隙半导体功率器件
作者:
T.P.Chow
;
N.Rmaungul
;
M.Ghezzo
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
36.
Thin film diamond field effect transistors for high power applications
机译:
用于大功率应用的薄膜金刚石场效应晶体管
作者:
Hui Jin Looi
;
LIsa Ys Pang
;
Richard B.Jackman
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
37.
Localized lifetime control in silicon bipolar power devices by voids induced by He ion implantation
机译:
He离子注入引起的空穴在硅双极型功率器件中的局部寿命控制
作者:
M.Saggio
;
V.Raineri
;
F.Frisija
;
E.Rimini
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
38.
Bulk growth of silicon carbide crystals: analysis of growth rate and crystal quality
机译:
碳化硅晶体的整体生长:生长速率和晶体质量分析
作者:
D.Hofmann
;
R.Echstein
;
L.Kadinski
;
M.Kolbl
;
M.Muller
;
St.G.Muller
;
E.Schmitt
;
A.Weber
;
A.Winnacker
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
39.
Electronic properties of wide bandgap materials
机译:
宽带隙材料的电子性能
作者:
J.E.Yater
;
A.Shih
;
R.Abrams
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
40.
HIgh resistivity oxygen-doped AlGaAs for power devices
机译:
功率器件用高电阻率掺氧AlGaAs
作者:
Yuichi Sasajima
;
Noboru Fukuhara
;
Masahiko Hata
;
STakayoshi Maeda
;
Hideyo Okushi
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
41.
High temperature characterization of Ni, W and Al contacts to 3C-silicon carbide thin films
机译:
Ni,W和Al接触到3C碳化硅薄膜的高温特性
作者:
C.Jacob
;
P.Pirouz
;
H.-I.Ku
;
M.Mehregany
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
42.
In-situ monitoring of etch by-products during reactive ion beam etching of GaAs in chlorine/argon
机译:
氯/氩气中GaAs的反应离子束蚀刻过程中对蚀刻副产物的原位监测
作者:
J.W.Lee
;
S.J.Pearton
;
C.R.Abernathy
;
G.a.Vawter
;
R.J.Shul
;
M.M.Bridges
;
C.G.Willison
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
43.
Influence of open-tube GA diffusion on the characteristics for hyristor
机译:
开管GA扩散对液敏电阻特性的影响
作者:
Wen Ruimei
;
Pei SUhua
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
44.
Metalization of thin graphite layers after Cs deposition oa 4H-SiC(0001) surfaces
机译:
Cs沉积在4H-SiC(0001)表面后的薄石墨层的金属化
作者:
H.Nienhaus
;
V.Van Elsbergen
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
45.
Heteroepitaxy and high density nucleation of diamond on mirro-polished silicon
机译:
镜面抛光硅上金刚石的异质外延和高密度成核
作者:
Zhangda Lin
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
46.
ICP etching of SiC
机译:
SiC的ICP蚀刻
作者:
J.J.Wang
;
E.S.Lambers
;
S.J.Pearton
;
M.Sstling
;
C.-M.Zetterling
;
J.M.Grow
;
F.Ren
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
47.
Introduction of ions into wide based gap semiconductors
机译:
将离子引入宽基间隙半导体中
作者:
H.Paul Maruska
;
MIke Lioubtchenko
;
Thomas G.Tetreault
;
Marek Osiski
;
Stephen J.Pearton
;
Matthew Schurman
;
Robert Vaudo
;
SHiro Sakai
;
Qisheng Chen
;
Randy J.Shul
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
48.
Low-temperatue PECVD SiO_2 on Si and SiC
机译:
Si和SiC上的低温PECVD SiO2
作者:
L.Teng
;
W.A.anderson
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
49.
Material requirements for high voltage, high power IGBT devices
机译:
高电压,大功率IGBT器件的材料要求
作者:
R.Zehringer
;
A.Stuck
;
T.Lang
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
50.
Novel fabrication of C-doped base InGaAs/InP DHBT structures for high speed circuit applications
机译:
用于高速电路应用的C掺杂基础InGaAs / InP DHBT结构的新颖制造
作者:
R.F.Kopf
;
R.A.Hamm
;
R.J.Malik
;
R.W.Ryan
;
J.Burm
;
A.Tate
;
Y.-K.Chen
;
G.Georgiou
;
D.V.Lang
;
M.Geva
;
F.Ren
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
51.
A fast and efficient simulation tool for the voltage handing capability of high voltage devices
机译:
快速高效的高压工具仿真工具
作者:
E.Sefanov
;
G.Charitat
;
N.Nolhier
;
Ph.SPiesser
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
52.
Power limitation due to premature breakdown in alGaN/GaN HFETs
机译:
由于alGaN / GaN HFET的过早击穿而导致的功率限制
作者:
G.Gradinaru
;
N.C.Kao
;
J.Yang
;
Q.Chen
;
M.a.Khan
;
T.S.Sudarshan
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
53.
Silicon carbide and gallium nitride RF power devices
机译:
碳化硅和氮化镓射频功率器件
作者:
C.E.Weitzel
;
K.E.Moore
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
54.
SiC epitaxial growth on carbon
机译:
SiC在碳上外延生长
作者:
I.Khlebnikov
;
V.madangarli
;
T.S.Sudarshan
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
55.
The structural evolution of lely seeds during the initial stages of SiC sublimation growth
机译:
SiC升华生长初期种子种子的结构演变
作者:
V.D.Heydemann
;
E.K.Sanchez
;
G
;
S.Rohrer
;
M.Skowronski
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
56.
Single crystal silicon carbide on silicon using a supersonic gas jet of methylsilane
机译:
使用甲基硅烷的超声气体射流在硅上形成单晶碳化硅
作者:
S.A.Ustin
;
C.Long
;
L.Lauhon
;
W.Ho
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
57.
Theoretical model and computer simulation results of enhanced diffusion of high-temperature implanted aluminum in silion carbide
机译:
高温注入铝在碳化硅中扩散扩散的理论模型和计算机模拟结果
作者:
G.V.Gadiyak
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
58.
Thermo-mechanical simulation of a multichip press-packed IGBT
机译:
多芯片压装式IGBT的热机械仿真
作者:
A.Pirondi
;
G.Nicoletto
;
P.Cova
;
M.Pasqualetti
;
M.Protesien
;
P.E.Zani
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
59.
Understanding the role of deffects in limiting the minority carrier lifetime in SiC
机译:
了解缺陷在限制SiC中少数载流子寿命方面的作用
作者:
W.A.Doolittle
;
a.Rohatgi
;
R.Ahrenkiel
;
D.Levi
;
G.Augustine
;
R.H.Hopkins
会议名称:
《Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
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