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Journal of Vacuum Science & Technology. B

Journal of Vacuum Science & Technology. B

SCIEICA

中文名称：真空科学与技术学报。乙

ISSN：1071-1023
出版周期：

发文量：6065

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共43条结果

1.Photoluminescence and micro-Raman scattering in Mn-doped ZnS nanocrystalline semiconductors

机译：Mn掺杂的ZnS纳米晶半导体的光致发光和微拉曼散射
- 作者：Richard D. Yang;S. Tripathy;Francis E. H. Tay;L. M. Gan;S. J. Chua
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
2.Emission properties of carbon nanotubes grown on various catalytic layers coated glass using plasma-enhanced chemical-vapor deposition with CO gas

机译：使用等离子增强化学气相沉积和CO气体在涂有各种催化层的玻璃上生长的碳纳米管的发射特性
- 作者：Jae-Hee Han;Sun Hong Choi;Tae Young Lee;Ji-Beom Yoo;Chong-Yun Park;T. W. Jung;H. J. Kim;Y. J. Park;I. T. Han;J. N. Heo;J. H. Lee;SeGi Yu;W. K. Yi;G. S. Park;N. S. Lee;J. M. Kim
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
3.Improvement on electron field emission properties of nanocrystalline diamond films by co-doping of boron and nitrogen

机译：硼和氮共掺杂改善纳米晶金刚石薄膜的电子场发射性能
- 作者：I-Nan Lin;Tung Hsu;Gia-Ming Lin;Yi-Ping Chou;Tong T. Chen;Hsin-Fung Cheng
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
4.Nanocomposite coatings within the system Ti-B-N deposited by plasma assisted chemical vapor deposition

机译：通过等离子体辅助化学气相沉积法沉积的系统Ti-B-N中的纳米复合涂层
- 作者：M. Stoiber;C. Mitterer;T. Schoeberl;E. Badisch;G. Fontalvo;R. Kullmer
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
5.Simple magnetic focusing for an electron gun based on a microtip array

机译：基于微尖端阵列的电子枪的简单磁聚焦
- 作者：J. Barjon;D. Jalabert;F. Levy
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
6.Enhanced infrared detection characteristics of VO_x films prepared using alternating V_2O_5 and V layers

机译：使用交替的V_2O_5和V层制备的VO_x薄膜的增强的红外检测特性
- 作者：Ho Kwan Kang;Yong Hee Han;Hyun Jun Shin;Sung Moon;To Hoon Kim
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
7.Exploring metal vapor vacuum arc implanted copper to catalyze electroless-plated copper film on a TaN/FSG/Si assembly

机译：探索金属蒸气真空电弧注入的铜，以催化TaN / FSG / Si组件上的化学镀铜膜
- 作者：Dei-Shin Chen;Jian-Hong Lin;Wei-Jen Hsieh;Pai-Shen Shih;Ko-Wei Weng;Da-Yung Wang;Yee-Shyi Chang;Han C. Shih
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
8.Improved nucleation of TiN atomic layer deposition films on SiLK low-κ polymer dielectric using an Al_2O_3 atomic layer deposition adhesion layer

机译：使用Al_2O_3原子层沉积粘附层改善SiLK低介电常数聚合物介电层上TiN原子层沉积膜的成核作用
- 作者：J. W. Elam;C. A. Wilson;M. Schuisky;Z. A. Sechrist;S. M. George
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
9.Quantification of line-edge roughness of photoresists. Ⅰ. A comparison between off-line and on-line analysis of top-down scanning electron microscopy images

机译：光刻胶线边缘粗糙度的量化。 Ⅰ。自上而下的扫描电子显微镜图像离线分析与在线分析的比较
- 作者：G. P. Patsis;V. Constantoudis;A. Tserepi;E. Gogolides;G. Grozev
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
10.Atomic force microscopy and x-ray diffraction studies of aluminum-induced crystallization of amorphous silicon in Al/α-Si:H, α-Si:H/Al, and Al/α-Si:H/Al thin film structures

机译：Al /α-Si：H，α-Si：H / Al和Al /α-Si：H / Al薄膜结构中铝诱导非晶硅结晶的原子力显微镜和X射线衍射研究
- 作者：Ram Kishore;Arshad Shaik;H. A. Naseem;W. D. Brown
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
11.Sub-150 nm, high-aspect-ratio features using near-field phase-shifting contact Iithography

机译：使用近场相移接触光刻技术的150 nm以下高纵横比特征
- 作者：Hai Dang;Jackie Lim-Piu Tan;Mark W. Horn
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
12.Effects of Ti insertion between Cu and TiN layers on reliability in Cu/Ti/TiN/Ti layered damascene interconnects

机译：Cu和TiN层之间插入Ti对Cu / Ti / TiN / Ti层镶嵌互连中可靠性的影响
- 作者：Kazuhide Abe;Hiroshi Onoda
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
13.All solid-state rechargeable thin-film microsupercapacitor fabricated with tungsten cosputtered ruthenium oxide electrodes

机译：用钨共溅射氧化钌电极制造的全固态可充电薄膜微型超级电容器
- 作者：Han-Ki Kim;Suk-Ho Cho;Young-Woo Ok;Tae-Yeon Seong;Young Soo Yoon
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
14.Quantification of line-edge roughness of photoresists. Ⅱ. Scaling and fractal analysis and the best roughness descriptors

机译：光刻胶线边缘粗糙度的量化。 Ⅱ。缩放和分形分析以及最佳粗糙度描述符
- 作者：V. Constantoudis;G. P. Patsis;A. Tserepi;E. Gogolides
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
15.Effect of laser annealing on delta-doped boron for super-steep-retrograded well formation using selective Si epitaxy

机译：激光退火对δ掺杂硼的选择性硅外延超陡变阱形成的影响
- 作者：Jung-Ho Lee;Jeong-Youb Lee;Dae-Hee Weon;Seung-Ho Hahn;Seok-Kiu Lee;Masakazu Ichikawa
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
16.Improved room-temperature continuous wave GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs/AlGaAs lasers fabricated on Si substrates via relaxed graded Ge_xSi_(1-x) buffer layers

机译：通过弛豫渐变的Ge_xSi_（1-x）缓冲层在Si基板上制造的改进的室温连续波GaAs / AlGaAs和InGaAs / GaAs / AlGaAs激光器
- 作者：Michael E. Groenert;Arthur J. Pitera;Rajeev J. Ram;Eugene A. Fitzgerald
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
17.Measurement of Ⅴ/Ⅲ ratio using threshold photoemission

机译：使用阈值光发射测量Ⅴ/Ⅲ比
- 作者：J. J. Zinck;J. H. G. Owen;W. Barvosa-Carter
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
18.Rutherford backscattering analysis of GaN decomposition

机译：GaN分解的卢瑟福背散射分析
- 作者：H W. Choi;M. G. Cheong;M. A. Rana;S. J. Chua;T. Osipowicz;J. S. Pan
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
19.Effect of current spreading on luminescence improvement in selectively oxidized AIGalnP light-emitting diodes

机译：电流扩散对选择性氧化AIGalnP发光二极管的发光改善的影响
- 作者：Tzer-En Nee;Kuo-Tai Chien;Yi-Lun Chou;Li-Chang Chou;Chung-Han Lin;Ray-Ming Lin;Bor-Ren Fang;Shi-Shya Chang
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
20.Characteristics of plasma display with rf microdischarge

机译：带射频微放电的等离子显示器的特性
- 作者：J. Kang
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
21.Individual free-standing carbon nanofibers addressable on the 50 nm scale

机译：可在50 nm规模上寻址的独立式碳纳米纤维
- 作者：J. Moser;R. Panepucci;Z. P. Huang;W. Z. Li;Z. F. Ren;A. Usheva;M. J. Naughton
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
22.X-ray photoelectron spectroscopy study of electrodeposited nanostructured CeO_2 films

机译：电沉积纳米结构CeO_2薄膜的X射线光电子能谱研究
- 作者：Adele Qi Wang;Prakaipetch Punchaipetch;Robert M. Wallace;Teresa Diane Golden
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
23.Using electron cyclotron resonance sputtering in the deposition of ultrathin Al_2O_3 gate dielectrics

机译：电子回旋共振溅射在超薄Al_2O_3栅介质中的沉积
- 作者：Yoshito Jin;Kunio Saito;Masaru Shimada;Toshiro Ono
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
24.Selective epitaxial growth for plugs of high-density devices

机译：高密度器件插头的选择性外延生长
- 作者：Woo-Seok Cheong;Seok-Kiu Lee;Jae-Sung Ron
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
25.Real-time, in situ film thickness metrology in a 10 Torr W chemical vapor deposition process using an acoustic sensor

机译：使用声传感器在10 Torr W化学气相沉积过程中进行实时原位膜厚计量
- 作者：L. Henn-Lecordier;J. N. Kidder;G. W. Rubloff;C. A. Gogol;A. Wajid
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
26.Coating protecting layers in alternating current-plasma display panels

机译：交流电等离子显示面板中的涂层保护层
- 作者：W. T. Lee;S. J. Im;D. Y. Lee;SeGi Yu;J. M. Kim;J. G. Han;J. W. Lee;E. H. Choi
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
27.Fabrication of multiwalled carbon nanotube bridges by poly-methylmethacrylate suspended dispersion

机译：聚甲基丙烯酸甲酯悬浮分散体制备多壁碳纳米管桥
- 作者：S.-B. Lee;K. B. K. Teo;G. A. J. Amaratunga;W. I. Milne;M. Chhowalla;D. G. Hasko;H. Ahmed
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
28.Depletion- and enhancement-mode In_(0.49)Ga_(0.51)P/InGaAs/AlGaAs high-electron-mobility transistors with high-breakdown voltage

机译：具有高击穿电压的耗尽型和增强型In_（0.49）Ga_（0.51）P / InGaAs / AlGaAs高电子迁移率晶体管
- 作者：Yih-Juan Li;Wei-Chou Hsu;Yen-Wei Chen;Hir-Ming Shieh
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
29.Integrally gated carbon nanotube field emission cathodes produced by standard microfabrication techniques

机译：通过标准微细加工技术生产的整体门控碳纳米管场发射阴极
- 作者：M. A. Guillorn;M. D. Hale;V. I. Merkulov;M. L. Simpson;G. Y. Eres;H. Cui;A. A. Puretzky;D. B. Geohegan
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
30.Electrical properties of aluminum oxide films deposited on indium-tin-oxide glasses

机译：沉积在氧化铟锡玻璃上的氧化铝膜的电性能
- 作者：Jiyoul Lee;S. S. Kim;Seongil Im
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
31.Reduction of grain-boundary potential barrier height in polycrystalline silicon with hot H_2O-vapor annealing probed using point-contact devices

机译：使用点接触器件探测热H_2O蒸气退火降低多晶硅中的晶界势垒高度
- 作者：Toshio Kamiya;Zahid A. K. Durrani;Haroon Ahmed;Toshiyuki Sameshima;Yoshikazu Furuta;Hiroshi Mizuta;Neil Lloyd
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
32.Focused ion beam induced surface amorphization and sputter processes

机译：聚焦离子束诱导的表面非晶化和溅射过程
- 作者：B. Basnar;A. Lugstein;H. Wanzenboeck;H. Langfischer;E. Bertagnolli;E. Gornik
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
33.Height measurement of dsDNA and antibodies adsorbed on solid substrates in air by vibrating mode scanning polarization force microscopy

机译：振动模式扫描偏光力显微镜测量空气中固体基质上吸附的dsDNA和抗体的高度
- 作者：Xiao-jun Li;Jie-lin Sun;Xing-fei Zhou;Gang Li;Pin-gang He;Yu-zi Fang;Min-qian Li;Jun Hu
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
34.Correlation between structural and transport properties of silicon thin films deposited at various substrate temperatures

机译：在各种衬底温度下沉积的硅薄膜的结构和传输特性之间的相关性
- 作者：D. Roy;Chandan Das;C. Longeaud;F. Houze;S. Ray
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
35.High aspect ratio etching of atomic force microscope-patterned nitrided silicon

机译：原子力显微镜图案化氮化硅的高深宽比蚀刻
- 作者：Steven A. Harfenist;Mehdi M. Yazdanpanah;Robert W. Cohn
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
36.Two-dimensional photonic crystals by focused-ion-beam etching of multilayer membranes

机译：聚焦离子束刻蚀多层膜的二维光子晶体
- 作者：K. Wang;P. Filloux;N. Paraire;P. Roca i Cabarrocas;P. Bulkin
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
37.Comparative study of MeV C~+ and C_2~+ ion implantation in GaAs(100): Surface roughness and evaluation of lattice strain

机译：GaAs（100）中MeV C〜+和C_2〜+离子注入的比较研究：表面粗糙度和晶格应变评估
- 作者：G. Kuri;G. Materlik;V. Hagen;R. Wiesendanger
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
38.Chemical mechanical polishing defect reduction via a plasma etch in the 0.15 μm shallow trench isolation process

机译：在0.15μm浅沟槽隔离工艺中通过等离子刻蚀减少化学机械抛光缺陷
- 作者：C. M. Chiu;T. F. Yen;K.-F. Chiu
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
39.Electrical and plasma property measurements of a deep reactive ion etching Bosch process

机译：深度反应离子刻蚀Bosch工艺的电学和等离子体性能测量
- 作者：I. C. Abraham;J. R. Woodworth;M. E. Riley;P. A. Miller;R. J. Shul;C. G. Willison
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
40.Interface analysis of atomic layer deposited-TiN gate electrodes on ultrathin SiO_2 layers

机译：超薄SiO_2层上原子层沉积TiN栅电极的界面分析
- 作者：Bernhard Sell;Annette Sanger;Wolfgang Krautschneider
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
41.Comparison of two surface preparations used in the homoepitaxial growth of silicon films by plasma enhanced chemical vapor deposition

机译：等离子体增强化学气相沉积法在硅膜同质外延生长中使用的两种表面处理的比较
- 作者：Sean Reidy;Walter J. Varhue;Mark Lavoie;Stephen Mongeon;Edward Adams
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
42.Real-time observation of electromigration-induced stress changes with imaging x-ray topography

机译：X射线成像成像实时观察电迁移引起的应力变化
- 作者：H. H. Solak;C. David;J. Gobrecht;M. Drakopoulos
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期
43.Effect of chemical vapor deposition energy sources on the structure of SiC prepared by carbon nanotubes-confined reaction

机译：化学气相沉积能源对碳纳米管受限反应制备SiC的结构的影响
- 作者：Md. Shajahan;Y. H. Mo;K. S. Nahm
- 期刊名称：《Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structure》 | 2003年第3期

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